KOM 2057 L KOM 2057 L feo06429 3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip Silicon Photodiode Array Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from Bereich von 400 nm bis 1100 nm ● Kurze Schaltzeit (typ. 14 ns) ● DIL-Plastikbauform ● Short switching time (typ. 14 ns) ● DIL plastic package Anwendungen Applications ● ● ● ● ● Nachlaufsteuerungen Kantenführung Positionierung Industrieelektronik “Messen/Steuern/Regeln” 400 nm to 1100 nm ● ● ● ● ● Follow-up controls Edge drives Positioning Industrial electronics For control and drive circuits Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package KOM 2057 L Q62702-K8 klares Epoxy−Gießharz, Lötspieße im 7,62-mm-Raster (3/10”), Kathodenkennzeichnung: Nase am Lötspieß transparent epoxy resin, solder leads in 7.62 mm spacing (3/10”), cathode marking: projection at solder lead KOM 2057 L Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t = ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t = ≤ 3 s) TS 230 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 32 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 150 mW Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, 2856 K) für jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, 2856 K) per single diode Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity, VR = 5 V S 80 (≥ 50) nA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 880 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 400 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 7 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfinlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 2.65 × 2.65 mm x mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.4 ... 0.6 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 2 (≤ 30) nA L×W KOM 2057 L Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, 2856 K) für jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, 2856 K) per single diode Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.62 A/W Maximale Abweichung der Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert Max. deviation of the system spectral sensitivity from the average value ∆S ± 10 % Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.90 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 365 (≥ 300) mV Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current ISC 80 µA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time RL = 50 Ω, VR = 10 V; λ = 850 nm; IP = 800 µA tr, tf 14 ns Durchlaßspannung, IF = 100 mA; E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazität Capacitance VR = 0 V; f = 1 MHz; E = 0 C0 72 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV –2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von IP Temperature coefficient of IP TCI 0.18 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, λ = 850 nm NEP 4.1 × 10–14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 850 nm Detection limit D* 6.6 × 1012 cm · √Hz W KOM 2057 L Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev); VR = 5 V Open-circuit voltage VO= f (Ev) Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E=0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ)