华晶分立器件 2G711 高频放大环境额定双极型晶体管 1 概述与特点 2G711 硅 NPN 型超高频小功率晶体管 主要用于 VHF/UHF 频段作高频小功率放大或振荡 该产品特点如下 特征频率高 反向漏电流小 饱和压降低 电流特性好 封装形式 B4(A3-02B) 8.64 9.39 2 电特性 结温 贮存温度 Tj Tstg 2.2 电特性 除非另有规定 Ptot 单位 8.01 8.50 V V V mA W E 150 -55 150 B C Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输 比的静态值 集电极-发射极饱和电压 ICB0 IEB0 VCB=30V VEB=3V hFE VCE=5V VCE sat 特征频率 fT 输出电容 6.10 6.60 VCE0 VCB0 VEB0 IC 额定值 BC D 30 45 50 4 100 0.5 12.5 25.0 集电极-发射极电压 集电极-基 极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25 耗散功率 45 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符号 Cob 测 试 条 件 IE=0 IC=0 规 范 值 最 典 最小 大 型 100 100 IC=20mA IC=50mA IB=5mA VCE=10V IC=20mA B D f=400MHz C VCB=10V IE=0 f=1MHz 50 单位 μA μA 150 0.5 750 1000 V MHz 5 pF 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5803016 2G711 华晶分立器件 3 特性曲线 Ptot - T 关系曲线 安全工作区(直流) Ptot (mW) IC (A) Tamb=25 Tcase=25 0.1 600 400 0.01 200 0.001 0.1 hFE 1 VCE(V) 10 hFE - IC 关系曲线 0 0 VCEsat (V) Tamb=25 VCE=5V 50 100 T( ) VCEsat - IC 关系曲线 Tamb=25 hFE=10 1 100 0.1 10 0.001 0.01 0.1 IC(A) 第 2 页 0.01 0.01 共 2 页 0.1 IC(A)