ETC 2SK0656(2SK656)

シリコン MOS FET (小信号)
2SK0656 (2SK656)
シリコンNチャネルMOS形
スイッチング用
unit: mm
4.0±0.2
2.0±0.2
● スイッチング速度が速い。
● 入力インピーダンスが高く、駆動電流が極めて小さい。
● 静電気破壊耐圧が極めて高い。
7.6
(0.8)
3.0±0.2
■特 長
15.6±0.5
(0.8)
0.75 max.
■ 絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目
記号
定格
単位
ドレイン·ソース降伏電圧
VDSS
50
V
ゲート· ソース電圧
VGSO
8
V
ドレイン電流
ID
100
mA
最大ドレイン電流
IDP
200
mA
許容損失
PD
200
mW
チャネル部温度
Tch
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ~ +150
°C
0.45+0.20
–0.10
0.45+0.20
–0.10
(2.5) (2.5)
0.7±0.1
1
2
1: Source
2: Drain
3: Gate
NS-B1 Package
3
内部接続図
D
R1
G
R2
S
■ 電気的特性 (Ta = 25°C)
項目
記号
条件
最小
ドレイン·ソースしゃ断電流
IDSS
VDS = 10V, VGS = 0
ゲート·ソース漏れ電流
IGSS
VGS = 8V, VDS = 0
ドレイン·ソース降伏電圧
VDSS
ID = 100µA, VGS = 0
50
ゲートしきい値電圧
Vth
ID = 100µA, VDS = VGS
1.5
40
ドレイン·ソース間オン抵抗
RDS(on)
ID = 20mA, VGS = 5V
順方向伝達アドミタンス
| Yfs |
ID = 20mA, VDS = 5V, f = 1kHz
20
ハイレベル出力電圧
VOH
VDD = 5V, VGS = 1V, RL = 200Ω
4.5
ローレベル出力電圧
VOL
VDD = 5V, VGS = 5V, RL = 200Ω
入力抵抗
R1 + R2
入力容量 (ソース接地)
Ciss
出力容量 (ソース接地)
Coss
帰還容量 (ソース接地)
Crss
*1
標準
単位
10
µA
80
µA
V
3.5
50
35
V
Ω
mS
V
100
VDS = 10V, VGS = 0, f = 1MHz
最大
1
V
200
kΩ
9
pF
4.5
pF
1.1
pF
ターンオン時間
ton
*2
VDD = 5V, VGS = 0 ~ 5V, RL = 200Ω
1
µs
ターンオフ時間
toff*2
VDD = 5V, VGS = 5 ~ 0V, RL = 200Ω
1
µs
*1
*2
抵抗比率 R1/R2 = 1/50
パルス測定
注 ) ( )内は , 従来品番です
285
シリコンMOS FET (小信号)
2SK0656
PD  Ta
ID  VDS
240
ID  VGS
120
120
VDS=5V
Ta=25˚C
160
120
80
100
VGS=6.0V
80
5.5V
5.0V
60
4.5V
40
40
20
0
0
4.0V
ドレイン電流 ID (mA)
100
ドレイン電流 ID (mA)
許容損失 PD (mW)
200
3.5V
80
Ta=–25˚C
25˚C
60
75˚C
40
20
3.0V
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
周囲温度 Ta (˚C)
入力容量（ソース接地）, 出力容量（ソース接地） Ciss, Coss (pF)
順方向伝達アドミタンス |Yfs| (mS)
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
10
8
6
4
Coss
2
0
0.1
1
100
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (mA)
3
10
30
100
VIN  IO
0.3
0.1
0.03
10
3
1
0.003
0.3
4
入力電圧 VIN (V)
5
VO=1V
Ta=25˚C
30
0.01
0.001
2
1
1000
300
3
2
0.1
0.1
4
6
8
10
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
120
ID=20mA
100
80
60
Ta=75˚C
40
25˚C
–25˚C
20
0
0.3
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
VO=5V
Ta=25˚C
2
0
RDS(on)  VGS
Ciss
3
1
10
VGS=0
f=1MHz
Ta=25˚C
IO  VIN
0
8
12
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
10
6
Ciss, Coss  VDS
VDS=5V
Ta=25˚C
0
4
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
| Yfs |  VGS
50
2
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on) (Ω)
0
0.3
1
3
10
30
出力電流 IO (mA)
100
0
2
4
6
8
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
10
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」
に該当するものを輸出する時、
ま
たは、
国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2)
本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
工業所有
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。
(3)
本資料に記載されている製品は、
標準用途 — 一般電子機器(事務機器、
通信機器、
計測機器、
家電
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、
人体に危害を及ぼす
—
恐れのある用途
特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
事前に
弊社営業窓口までご相談願います。
(4)
本資料に掲載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご使用に際しましては、
事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、
ご確認ください。
(5)
設計に際して、
特に最大定格、
動作電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご使用であっても、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな
いような冗長設計をお願いします。
(6)
防湿包装を必要とする製品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件 (保存
期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(7)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複製することを堅くお断り
いたします。
本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項
A. 本資料は、
お客様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。
記載されている販売可能な品種および技術情報等は、
予告なく常に更新しておりますので、
ご検討
にあたっては、
早めに弊社営業部門にお問い合わせの上、最新の情報を入手願います。
B. 本資料は正確を期し、
慎重に制作したものですが、
記載ミス等の可能性があります。
したがって、
弊
社は資料中の記述誤り等から生じる損害には責任を負わないものとさせて頂きます。
C. 本資料は、
お客様ご自身でのご利用を意図しております。
したがって、
弊社の文書による許可なく、
インターネットや他のあらゆる手段によって複製、
販売および第三者に提供するなどの行為を禁止
いたします。
2001 MAR