华晶分立器件 3DD128F 低频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DD128F 主要用于低压电子镇流器中作功率开关 是电子镇流器的核心器件 该产品采用了 一种特殊结构 巧妙地将二极管直接设计集成在 E C 极之间 既简化了外围线路 节省了应用成 本 又提高了产品的可靠性 其特点如下 击穿电压高 漏电流小 开关速度快 饱和压降低 电流特性好 封装形式 TO-126F 8.1max 10.9max 3 3.4max 2.20 2.23 2 电特性 3.0 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-发射极电压 VCE0 集电极-基 极电压 VCB0 发射极-基 极电压 VEB0 集电极电流 IC 耗散功率(Ta=25 ) PC (Tc=25 ) 结温 Tj 贮存温度 Tstg 额 定 值 200 350 9 4 1.5 50 150 -55 +150 单位 V V V A 16min 1.27 0.75max 1.92 2.29 2.29 B C E 0.51max C B W E 电路等效图 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 集电极-基极截止电流 ICB0 VCB=350V, IE=0 发射极-基极截止电流 IEB0 VEB=9V, IC=0 hFEa VCE=5V, IC=0.5A 共发射极正向电流传输比 的静态值 规 范 值 最小 典型 最大 1 1 10 单位 mA mA 40 集电极-发射极饱和电压 VCE sata IC=2A, IB=0.5A 1 V 基 极-发射极饱和电压 VBE sata IC=2A, IB=0.5A 1.5 V 下降时间 tf VCC=120V IC=2A 0.8 s 贮存时间 ts 2IB1=-IB2=0.4A 3.6 s 特征频率 fT a: 脉冲测试 tp 300 s, VCE=10V IC=500mA f=1MHz 4 MHz 2% 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DD128F 3 特性曲线 Ptot - T 关系曲线 安全工作区(直流) Ptot (W) 50 45 IC (A) Tcase=25 Ptot-Tcase 35 1 25 0.1 15 5 Ptot-Tamb 0.01 10 1 100 0 VCE (V) 50 hFE - IC 关系曲线 hFE 100 T( ) VCEsat - IC 关系曲线 VCEsat (V) Tamb=25 VCE=5V Tamb=25 IC/IB=4 1 10 0.1 1 0.01 0.01 0.1 0.1 IC (A) 1 VBEsatt - IC 关系曲线 V BEsat (V) Tamb=25 IC/IB=4 1.2 0.8 0.4 0.1 1 IC (A) 第 2 页 共 2 页 1 IC (A)