华晶分立器件 3DD127D 低频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DD127D 硅 NPN 型功率开关晶体管 主要用于电子节能灯 电子镇流器 该产品采用了一种 特殊设计 将保护二极管直接集成在 E C 极之间 既简化了外围线路 又提高了产品自身的可靠 性 其特点如下 击穿电压高 反向漏电流小 开关速度快 饱和压降低 电流特性好 高温性能好 封装形式 TO-126F 8.1max 10.9max 3 3.4max 2.20 2.23 3.0 2 电特性 1.27 单位 V V V A 16min 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符号 额定值 集电极-发射极电压 VCE0 400 集电极-基 极电压 VCB0 700 发射极-基 极电压 VEB0 9 集电极电流 IC 2.5 Ta=25 1.25 耗散功率 Ptot Tc=25 50 结温 Tj 150 贮存温度 Tstg -55 150 0.75max 1.92 2.29 2.29 B C E 0.51max C B W E 电路等效图 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 小电流下 hFE1 与大电流下 hFE2 比值 集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 下降时间 贮存时间 ICB0 IEB0 VCB=700V, IE=0 VEB=9V, IC=0 hFEa VCE=5V, IC=0.5A hFE1/ hFE2 VCE sata VBE sata tf ts 特征频率 fT a: 脉冲测试 tp 300 s, 测 试 条 件 hFE1: VCE=5V, IC=5mA hFE2: VCE=5V, IC=0.5A IC=2A, IB=0.5A IC=2A, IB=0.5A VCC=120V, IC=2A 2IB1=-IB2=0.4A VCE=10V, IC=200mA f=1MHz 最小 规 范 值 典型 最大 0.1 0.1 10 0.75 单位 mA mA 40 0.9 1 1.5 0.8 3.6 5 V V s s MHz 2% 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DD127D 3 特性曲线 Ptot - T 关系曲线 安全工作区(直流) IC (A) Ptot (W) Tcase=25 40 Ptot-Tcase 1 30 20 0.1 10 0.01 1 Ptot-Tamb 0 10 100 VCE (V) 0 hFE - IC 关系曲线 50 100 T( ) VCEsat - IC 关系曲线 hFE VCEsat (V) Tamb=25 VCE=5V Tamb=25 IC/IB=4 1 10 0.1 1 0.01 0.1 1 IC(A) 0.01 0.1 VBEsat - IC 关系曲线 V BEsat (V) Tamb=25 IC/IB=4 1.6 1.2 0.8 0.4 0.1 1 IC(A) 第 2 页 共 2 页 1 IC (A)