ETC PNZ303(PN303)

PIN フォトダイオード
PNZ303 (PN303)
PINフォトダイオード
Unit : mm
各種光制御機器用
φ9.4 max.
φ8.1±0.2
Glass window
φ5.9±0.2
3.5 max.
■ 特 長
12.7 min.
• 応答速度が速く、
高速変調光の検出に適する : tr , tf = 50 ns
• 受光感度が高く、かつダイナミックレンジが広い
• ピーク感度波長は 900 nm で、感度波長域が広い
• 受光面積が広く、かつ指向角度が広い
• 高信頼性の TO-5 形ヘッダを採用
2-φ0.45±0.1
1
2
0.
8
5.08±0.5
0.
8
項目
記号
定格
45°
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
単位
逆電圧( 直流値)
VR
30
V
許容損失
PD
100
mW
動作周囲温度
Topr
−30 ∼ +100
°C
保存温度
Tstg
−40 ∼ +100
°C
1 : Anode
2 : Cathode
■ 電気的特性 • 光学的特性 Ta = 25°C
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
5
50
nA
ID
VR = 10 V
光電流
IL
VR = 10 V, L = 1 000 lx
70
µA
ピーク感度波長
λP
VR = 10 V
900
nm
暗電流
*1
50
応答時間
*2
tr , t f
VR = 10 V, RL = 1 kΩ
50
ns
応答時間
*2
tr , t f
VR = 10 V, RL = 100 kΩ
5
µs
端子間容量
Ct
VR = 0 V, f = 1 MHz
70
pF
半値角
θ
垂直入射時の 50% となる角度
55
°
注 ) *1 : 光源はタングステンランプ(色温度 T = 2 856 K)で測定
*2 : スイッチングタイム測定回路
Sig. in
VR = 10 V
(入力パルス)
λP = 800 nm
50 Ω
90%
10%
Sig. out
RL
(出力パルス)
td
tr
tf
td : 遅れ時間
tr : 上昇時間
(光電流がピーク値の10%から90%に上昇する時間)
tf : 下降時間
(光電流がピーク値の90%から10%に下降する時間)
注 ) ( )内は, 従来品番です
1
PIN フォトダイオード
PNZ303
P D  Ta
IL  L
許容損失 PD (mW)
0V
光電流 IL (µA)
60
40
120
1 000
100
VR = 10 V
102
80
1 200
10
800
80
ISC
600
60
400
40
VO
1
20
200
0
20
40
60
80
10−1
10
100
102
周囲温度 Ta (°C)
ID  T a
103
103
0
200
400
VR = 10 V
102
相対開放電圧 ∆VO (%)
相対光電流 ∆IP (%)
1
VR = 10 V
Ta = 25°C
80
IP
100
10
0
1 000 1 200
800
分光感度特性
100
IP  Ta条件
VR = 10 V
L = 1 000 lx
T = 2 856 K
120
600
照度 L (lx)
∆VO , ∆IP  Ta
160
140
暗電流 ID (nA)
0
104
照度 L (lx)
相対感度 ∆S (%)
0
−30
20
80
VO
60
60
40
40
20
20
10−1
−40 −20
0
20
40
60
80
0
−40
100
周囲温度 Ta (°C)
0
40
0
200
120
400
Ct  VR
80
80
60
40
20
f = 1 MHz
Ta = 25°C
60
40
20
80
40
0
角度 θ (°)
2
40
80
0
10−2
10−1
1
逆電圧 VR (V)
1 000
1 200
t r , t f  RL
1
10−1
10−2
Sig. in
10
102
10−3 −1
10
VR = 10 V
Sig.
out
RL
50 Ω
0
800
10
上昇時間, 下降時間 tr , tf (µs)
100
端子間容量 Ct (pF)
100
600
波 長 λ (nm)
周囲温度 Ta (°C)
指向特性
相対感度 ∆S (%)
80
1
tr
td
10
負荷抵抗 RL (kΩ)
90%
10%
tf
102
短絡電流 ISC (µA)
100
VO , ISC  L
VR = 10 V
Ta = 25°C
T = 2 856 K
開放電圧 VO (mW)
103
120
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」
に該当するものを輸出する時、
ま
たは、
国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2)
本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
工業所有
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。
(3)
本資料に記載されている製品は、
標準用途 — 一般電子機器(事務機器、
通信機器、
計測機器、
家電
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、
人体に危害を及ぼす
—
恐れのある用途
特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
事前に
弊社営業窓口までご相談願います。
(4)
本資料に掲載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご使用に際しましては、
事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、
ご確認ください。
(5)
設計に際して、
特に最大定格、
動作電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲でご使用いただき
ますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につい
ては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご使用であっても、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな
いような冗長設計をお願いします。
(6)
防湿包装を必要とする製品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件 (保存
期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(7)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複製することを固くお断り
いたします。
本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項
A. 本資料は、
お客様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。
記載されている販売可能な品種および技術情報等は、
予告なく常に更新しておりますので、
ご検討
にあたっては、
早めに弊社営業部門にお問い合わせの上、最新の情報を入手願います。
B. 本資料は正確を期し、
慎重に制作したものですが、
記載ミス等の可能性があります。
したがって、
弊
社は資料中の記述誤り等から生じる損害には責任を負わないものとさせて頂きます。
C. 本資料は、
お客様ご自身でのご利用を意図しております。
したがって、
弊社の文書による許可なく、
インターネットや他のあらゆる手段によって複製、
販売および第三者に提供するなどの行為を禁止
いたします。
2001 MAR