ETC XN06542(XN6542)

複合トランジスタ
XN06542 (XN6542)
シリコン NPN エピタキシャルプレーナ形
Unit: mm
高周波増幅･発振･混合用 (Tr1)･中間周波増幅用 (Tr2)
2.90+0.20
–0.05
1.9±0.1
0.16+0.10
–0.06
(0.95) (0.95)
3
2
1
0.30+0.10
–0.05
0.50+0.10
–0.05
■ 使用素子基本形名
10°
■ 絶対最大定格
(Ta=25˚C)
項目
Tr1
総合
1 : Collector (Tr1)
2 : Base (Tr1)
3 : Collector (Tr2)
記号
定格
単位
コレクタ･ベース電圧
VCBO
30
V
コレクタ･エミッタ電圧
VCEO
20
V
エミッタ･ベース電圧
VEBO
3
V
IC
50
mA
コレクタ･ベース電圧
VCBO
45
V
コレクタ･エミッタ電圧
VCEO
35
V
エミッタ･ベース電圧
VEBO
4
V
コレクタ電流
IC
50
mA
5
全損失
PT
300
mW
4
接合部温度
Tj
150
˚C
Tstg
–55 ~ +150
˚C
コレクタ電流
Tr2
1.1+0.2
–0.1
2SC2480 + 2SC4444
0 to 0.1
●
保存温度
0.4±0.2
1 パッケージに 2 素子内蔵。(独立タイプ)
実装面積とアセンブリコストの半減が可能。
2.8+0.2
–0.3
6
1.50+0.25
–0.05
5
(0.65)
●
4
1.1+0.3
–0.1
●
5°
■ 特 長
4 : Base (Tr2)
5 : Emitter (Tr2)
6 : Emitter (Tr1)
Mini6-G1 Package
形名表示記号：5Z
内部接続図
6
Tr1
1
2
Tr2
3
注) ( )内は , 従来品番です
1
複合トランジスタ
■ 電気的特性
●
XN06542
(Ta=25˚C)
Tr1 部
項目
記号
最小
標準
最大
単位
VCBO
IC = 100µA, IE = 0
エミッタ･ベース電圧
VEBO
IE = 10µA, IC = 0
3
直流電流増幅率
hFE
VCB = 10V, IE = –2mA
25
ベース･エミッタ電圧
VBE
VCB = 10V, IE = –2mA
720
帰還容量
Cre
VCB = 10V, IE = –1mA, f = 10.7MHz
1.0
1.5
pF
トランジション周波数
fT
VCB = 10V, IE = –15mA, f = 200MHz
1300
1600
MHz
電力利得
PG
VCB = 10V, IE = –1mA, f = 100MHz
20
dB
帰還容量
Crb
VCE = 6V, IC = 0, f = 1MHz
0.8
pF
●
30
1000
V
V
250
mV
Tr2 部
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
コレクタ･ベース電圧
VCBO
IC = 10µA, IE = 0
45
V
コレクタ･エミッタ電圧
VCEO
IC = 1mA, IB = 0
35
V
4
エミッタ･ベース電圧
VEBO
IE = 10µA, IC = 0
コレクタしゃ断電流
ICEO
VCE = 20V, IB = 0
直流電流増幅率
hFE
VCB = 10V, IE = –10mA
コレクタ･エミッタ飽和電圧
VCE(sat)
IC = 20mA, IB = 2mA
トランジション周波数
fT
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 100MHz
帰還容量
Cre
VCB = 10V, IE = –1mA, f = 10.7MHz
電力利得
PG
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 58MHz
共通特性図
PT — Ta
500
全損失 PT (mW)
400
300
200
100
0
0
40
80
120
周囲温度 Ta (˚C)
2
条件
コレクタ･ベース電圧
160
V
10
20
50
100
0.5
300
500
V
MHz
1.5
18
µA
pF
dB
複合トランジスタ
XN06542
Tr1 部特性図
IC — VCE
IC — IB
24
IB — VBE
24
400
Ta=25˚C
VCE=10V
Ta=25˚C
IB=300µA
16
200µA
12
150µA
8
100µA
4
ベース電流 IB (µA)
20
250µA
コレクタ電流 IC (mA)
16
12
8
50µA
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18
0
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
100
IC — VBE
Ta=75˚C
300
–25˚C
20
0
1.2
0.4
160
Ta=75˚C
120
25˚C
–25˚C
80
1.6
0
0.1
2.0
ベース・エミッタ電圧 VBE (V)
0.3
1
3
fT — I E
10
30
1000
800
600
400
2.0
IC/IB=10
3
1
0.3
Ta=75˚C
25˚C
0.1
–25˚C
0.03
0.3
1
3
10
30
100
コレクタ電流 IC (mA)
Zrb — IE
120
帰還インピーダンス Zrb (Ω)
コレクタ帰還容量 Cre (pF)
1200
2.0
10
0.01
0.1
100
IC=1mA
f=10.7MHz
Ta=25˚C
VCB=10V
Ta=25˚C
1400
1.6
30
Cre — VCE
2.4
1.2
100
コレクタ電流 IC (mA)
1600
0.8
VCE(sat) — IC
40
0.8
0
ベース・エミッタ電圧 VBE (V)
200
30
0.4
100
0
500
VCE=10V
10
トランジション周波数 fT (MHz)
400
VCE=10V
40
0
150
hFE — IC
直流電流増幅率 hFE
コレクタ電流 IC (mA)
200
240
50
200
ベース電流 IB (µA)
60
25˚C
250
50
0
0
300
4
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V)
コレクタ電流 IC (mA)
20
VCE=10V
Ta=25˚C
350
1.6
1.2
0.8
0.4
VCB=10V
f=2MHz
Ta=25˚C
100
80
60
40
20
200
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
エミッタ電流 IE (mA)
–100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
0
–0.1 –0.2 –0.3 –0.5
–1
–2 –3 –5
–10
エミッタ電流 IE (mA)
3
複合トランジスタ
XN06542
PG — IE
NF — IE
40
0
VCB=10V
f=100MHz
Rg=50Ω
Ta=25˚C
10
yib=gib+jbib
VCB=10V
入力サセプタンス bib (mS)
VCB=10V
f=100MHz
Rg=50Ω
Ta=25˚C
35
30
雑音指数 NF (dB)
電力利得 PG (dB)
bib — gib
12
25
20
15
8
6
4
10
2
–10
–20
IE=–2mA
f=900MHz
–5mA
–30
600
500
300
–40
200
–50
5
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
0
–0.1 –0.3
–100
エミッタ電流 IE (mA)
–60
–1
brb — grb
–100
0
–0.4
500
–0.8
600
–1.2
f=900MHz
–2mA
IE=–5mA
–2.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
40
yob=gob+jbob
VCE=10V
yfb=gfb+jbfb
VCB=10V
40
IE=–5mA
f=200MHz
32
300
–2mA
500
24
600
16
900
8
0
–60
30
50
bob — gob
出力サセプタンス bob (mS)
300
20
12
200
yrb=grb+jbrb
VCB=10V
–1.6
10
入力コンダクタンス gib (mS)
bfb — gfb
順方向伝達サセプタンス bfb (mS)
逆方向伝達サセプタンス brb (mS)
–30
48
逆方向伝達コンダクタンス grb (mS)
4
–10
エミッタ電流 IE (mA)
0
–2.4
–1.0
–3
900
10
600
8
IE=–2mA
–5mA
500
6
4
300
2
f=200MHz
0
–40
–20
0
20
40
順方向伝達コンダクタンス gfb (mS)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
出力コンダクタンス gob (mS)
複合トランジスタ
XN06542
Tr2 部特性図
IC — VCE
IC — VBE
80
60
1.6mA
50
1.4mA
1.2mA
40
1.0mA
30
0.8mA
0.6mA
20
0.4mA
10
Ta=75˚C
50
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V)
IB=2.0mA
1.8mA
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
70
VCE=10V
25˚C
Ta=25˚C
–25˚C
40
30
20
10
0.2mA
0
0
2
4
6
8
0
10
0
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
0.4
0.8
1.2
1.6
hFE — IC
80
Ta=75˚C
60
25˚C
–25˚C
20
1
3
10
3
1
0.3
25˚C
10
30
100
–25˚C
0.03
1
0.3
500
400
300
200
100
–3
30
100
f=1MHz
IE=0
Ta=25˚C
VCB=10V
Ta=25˚C
–1
10
Cob — VCB
–10
–30
エミッタ電流 IE (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
3
3.0
0
–0.1 –0.3
Ta=75˚C
0.1
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ出力容量 Cob (pF)
トランジション周波数 fT (MHz)
100
0.3
30
fT — IE
VCE=10V
0
0.1
IC/IB=10
0.01
0.1
2.0
600
40
100
ベース・エミッタ電圧 VBE (V)
120
直流電流増幅率 hFE
VCE(sat) — IC
60
–100
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1
2
3
5
10
20 30 50
100
コレクタ・ベース電圧 VCB (V)
Cre — VCE
コレクタ帰還容量 Cre (pF)
2.4
IC=1mA
f=10.7MHz
Ta=25˚C
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1
2
3
5
10
20 30 50
100
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
5
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」
に該当するものを輸出する時、
ま
たは、
国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2)
本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
工業所有
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。
(3)
本資料に記載されている製品は、
標準用途 — 一般電子機器(事務機器、
通信機器、
計測機器、
家電
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、
人体に危害を及ぼす
—
恐れのある用途
特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
事前に
弊社営業窓口までご相談願います。
(4)
本資料に掲載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご使用に際しましては、
事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、
ご確認ください。
(5)
設計に際して、
特に最大定格、
動作電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご使用であっても、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな
いような冗長設計をお願いします。
(6)
防湿包装を必要とする製品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件 (保存
期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(7)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複製することを堅くお断り
いたします。
本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項
A. 本資料は、
お客様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。
記載されている販売可能な品種および技術情報等は、
予告なく常に更新しておりますので、
ご検討
にあたっては、
早めに弊社営業部門にお問い合わせの上、最新の情報を入手願います。
B. 本資料は正確を期し、
慎重に制作したものですが、
記載ミス等の可能性があります。
したがって、
弊
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C. 本資料は、
お客様ご自身でのご利用を意図しております。
したがって、
弊社の文書による許可なく、
インターネットや他のあらゆる手段によって複製、
販売および第三者に提供するなどの行為を禁止
いたします。
2001 MAR