Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 188 S 10...14 S Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak forward reverse voltage T vj = - 25°C...Tvj max VRRM 1000 1200 1400 V V V Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage T vj = + 25°C...Tvj max VRSM 1100 1300 1500 V V V IFRMSM 290 A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current T C =100°C IFAVM 185 A Stoßstrom-Grenzwert surge foward current T vj = 25°C, tp = 10 ms IFSM 2400 1900 5060 4000 A A A A T vj = Tvj max, tp = 10 ms T vj = 25°C, tp = 1 ms T vj = Tvj max, tp = 1 ms Grenzlastintegral T vj = 25°C, tp = 10ms I²t 28800 18050 12800 8000 T vj = Tvj max, tp = 10ms T vj = 25°C, tp = 1ms I²t-value T vj = Tvj max, tp = 1ms A²s A²s A²s A²s Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage T vj = Tvj max, iF = 600 A vF Schleusenspannung threshold voltage T vj = Tvj max V(TO) Ersatzwiderstand forward slope resistance T vj = Tvj max rT Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung typical value of forward recovery voltage IEC 747-2 VFRM max. 2,2 V 1 V 1,8 mΩ typ 5,9 V 1) typ 3,1 µs 1) max. max. 4 40 mA mA IRM 60 A 1) Qr 132 µAs 1) trr 2,4 µs 1) T vj = Tvj max diF/dt=50A/µs, vR=0V Durchlaßverzögerungszeit forward recovery time IEC 747-2, Methode / method tIIfr T vj = Tvj max, iFM=600A diF/dt=50A/µs, vR=0V Sperrstrom reverse current Rückstromspitze peak reverse recovery current T vj = 25°C, vR=VRRM iR T vj = Tvj max, vR = VRRM DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =185A,-diF/dt=50A/µs vR=100V, vRM= 200V Sperrverzögerungsladung recovered charge DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =185 A,-diF/dt=50A/µs vR=100V, vRM<= 200V Sperrverzögerungszeit reverse recovered time DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =185A,-diF/dt=50A/µs vR=100V, vRM<= 200V Sanftheit T vj = Tvj max Softness iFM =185A,-diF/dt=50A/µs µs/A 2) SR vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM 1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) 2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value) SZ-M / 18.02.1987 Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 188 S 10...14 S Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resitance, junction to case Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, Θ =180°sin RthJC beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, Θ =180°sin Anode / anode, DC Κατηοδ ε /χατηοδ ε,Θ =180°σιν Kathode / cathode, DC Übergangs- Wärmewiderstand thermal resitance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface max. max. max. max. max. max. 0,15 0,14 0,22 0,21 0,43 0,42 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W max. max. 0,015 0,030 °C/W °C/W RthCK beidseitig / two-sided einseitig / single-sided Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature T vj max 150 °C Betriebstemperatur operating temperature T c op -40...+150 °C Lagertemperatur storage temperature T stg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Seite 3 page 3 Durchmesser/diameter 15mm Anpreßkraft clamping force F Gewicht weight G 1,7...3,4 typ. Kriechstrecke creepage distance Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 60 g 17 mm C 5x9,81 Kühlkörper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; KL42 ; K0,36S Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 18.02.1987 kN Seite/page 2 m/s² Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode SZ-M / 18.02.1987 D 188 S 10...14 S Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 188 S 10...14 S Kühlung Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC cooling Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1 2 3 4 5 0,0003 0,00262 0,0189 0,06818 0,05 6 beidseitig Rthn [°C/W] two-sided τ n [s] 0,000051 0,000516 0,00148 0,0488 0,311 anodenseitig Rthn [°C/W] 0,00075 0,0225 0,0287 0,06775 0,0903 anode-sided τ n [s] 0,000099 0,00143 0,0269 0,115 5,78 kathodenseitig Rthn [°C/W] 0,00048 0,0229 0,0419 0,04372 0,151 cathode-sided τ n [s] 0,16 0,000066 0,00141 0,0322 0,147 3,768 7,213 n max Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = =∑ Rthn ( 1 - EXP ( - t / τn )) n=1 SZ-M / 18.02.1987 Seite/page 4 7 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 188 S 10...14 S 800 700 600 iF [A] 500 400 300 200 100 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 vF [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vF) Tvj = T vj max SZ-M / 18.02.1987 Seite/page 5