ETC FF6R16KF

European PowerSemiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
FF 600 R 16 KF4
55,2
11,85
M8
screwing depth
max. 8
130
31,5
114
E1
C2
C1
E2
E2
E1
C1
G1
M4
28
screwing depth
max. 8
7
2,5 deep
40
53
E1
C2
16 18
G2
44
2,5 deep
57
C2
E1
C2
G1
G2
C1
E2
C1
E2
VWK Apr. 1997
IGBT-Module
FF 600 R 16 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
DC-collector current
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
Gate-Emitter-Spitzenspannung
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
DC forward current
repetitive peak forw. current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
VCES
1600 V
Ptot
VGE
3900 W
± 20 V
tp=1 ms
IC
ICRM
600 A
1200 A
tp=1ms
IF
IFRM
600 A
1200 A
tC=25°C, Transistor /transistor
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
VISOL
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Eingangskapazität
Kollektor-Emitter Reststrom
input capacity
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate leakage current
turn-on time (inductive load)
Speicherzeit (induktive Last)
Fallzeit (induktive Last)
3,4 kV
min.
iC=600A, vGE=15V, t vj=25°C
iC=600A, vGE=15V, t vj=125°C
iC=40mA, vCE=vGE, tvj=25°C
fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, v GE=0V
vCE=1600V, v GE=0V, t vj=25°C
vCE=1600V, v GE=0V, t vj=125°C
vCE=0V, v GE=20V, t vj=25°C
fall time (inductive load)
-
3,5
3,9 V
4,6
5,5
5 V
6,5 V
Cies
iCES
-
90
4
40
- nF
- mA
- mA
iGES
-
-
400 nA
-
-
400 nA
-
0,8
1
- µs
- µs
vGE(TO)
iEGS
ton
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=25°C
ts
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=125°C
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
tf
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
Eon
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=25°C
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=125°C
max.
4,5
vCE=0V, v EG=20V, t vj=25°C
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=25°C
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=125°C
storage time (inductive load)
vCE sat
typ.
-
1,1
- µs
-
1,3
- µs
-
0,25
0,3
- µs
- µs
-
240
- mWs
-
140
- mWs
-
2,4
2,2
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Einschaltverlustenergie pro Puls
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
RG=3,3Ω, tvj=125°C, LS=70nH
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
turn-off energy loss per pulse
RG=3,3Ω, tvj=125°C, LS=70nH
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
iF=600A, vGE=0V, t vj=25°C
iF=600A, vGE=0V, t vj=125°C
iF=600A, -diF/dt=3kA/µs
vRM=900V, v EG=10V, t vj=25°C
vRM=900V, v EG=10V, t vj=125°C
iF=600A, -diF/dt=3kA/µs
recovered charge
vRM=900V, v EG=10V, t vj=25°C
vRM=900V, v EG=10V, t vj=125°C
Eoff
vF
IRM
Qr
2,8 V
- V
-
230
- A
-
320
- A
-
50
110
- µAs
- µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor, DC, pro Modul / per module
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
RthJC
Diode /diode, DC, pro Modul / per module
Diode /diode, DC, pro Zweig / per arm
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
max. junction temperature
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
pro Module / per Module
pro Zweig / per arm
Innere Isolation
0,04 °C/W
0,08 °C/W
RthCK
tvj max
tc op
tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
internal insulation
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque
terminals M6 / tolerance ±10%
terminals M4 / tolerance +5/-10%
M1
M2
terminals M8
Gewicht
weight
G
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
in
combination with the belonging technical notes.
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs
VCC = 1000 V
vL = ±15V
vCEM = 1300 V
RGF = R GR = 3,3 Ω
iCMK1 ≈ 6000 A
tvj = 125°C
iCMK2 ≈ 4500 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
v
CEM
= VCES - 20nH x |di c/dt|
0,016 °C/W
0,032 °C/W
0,008 °C/W
0,016 °C/W
150 °C
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Al2O3
3 Nm
2 Nm
8...10 Nm
ca. 1500 g
FF 600 R 16 KF4
1000
1200
iC
[A]
iC
[A]
1000
800
VGE = 20 V
15 V
800
600
12 V
600
10 V
400
9V
400
8V
200
200
0
1
2
3
4
5
0
1
vCE [V]
FF 600 R 16 KF4 / 1
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VGE = 15 V
t vj = 25°C
t vj = 125°C
1200
3
4
5
vCE [V]
Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
tvj = 125°C
1400
tvj = 125 °C
25 °C
iC
[A]
2
FF 600 R 16 KF4 / 2
iC1200
[A]
1000
1000
800
800
600
600
400
400
200
200
0
5
6
7
8
FF 600 R 16 KF4 / 3
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20 V
9
10
11
vGE [V]
12
0
0
500
1000
FF 600 R 16 KF4 / 4
Bild / Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich /
Reverse biased safe operating area
tvj = 125 °C
vLF = vLR = 15 V
RG = 3,3 Ω
1500
vCE [V]
2000
FF 600 R 16 KF4
-1
10
Diode
7
1200
iF
[A]
Z(th)JC
[°C/W]
1000
IGBT
3
800
2
-2
10
600
7
5
400
4
3
200
2
-3
10
10-3
2
3 4 5 7 10-2
2
3 4 5 7 10 -1
2
FF 600 R 16 KF4 / 5
Bild / Fig. 5
Transienter innerer Wärmewiderstand (DC) /
Transient thermal impedance (DC)
3 4 5 7 100
2
t [s]
3 4 5 7 101
0
0
0,5
1
1,5
2
FF 600 R 16 KF4 / 6
Bild / Fig. 6
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) /
Forward characteristic of the inverse diode (typical)
tvj = 25°C
tvj = 125°C
2,5
3
vF [V]
3,5