OSRAM SPLLG98-P

Passiv gekühlter SIRILAS® Diodenlaser 15 W cw bei 975nm
Conductively cooled SIRILAS® Laser Diode Array 15 W cw at 975nm
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SPL LG98-P
Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet
Besondere Merkmale
Features
• Kostengünstige Strahlquelle für Dauerstrichund Pulsbetrieb
• Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv
verspanntes Halbleiter-Material
• Montage des Laserchips auf
ausdehnungsangepasste Wärmesenke
• Kompaktes, den Laser schützendes Gehäuse
• Strahlabmessungen am optischen Austritt
(Fenster) 7,0 mm x 0,3 mm
• Verringerte vertikale Strahldivergenz durch
Verwendung einer internen Linse
• Efficient radiation source for cw and pulsed
operation
• Reliable InGa(Al)As strained quantum-well
material
• Mounting of laser bar on expansion matched
submount
• Compact package protecting the laser bar
• Beam dimensions at optical port (window) 7,0
mm x 0,3 mm
• Reduced fast axis divergence by use of internal
lens
Anwendungen
Applications
•
•
•
•
•
• Pumping solid state lasers (rod, fiber and disk
lasers)
• Direct material processing
• Medical
• Heating, Illumination
• Printing
Pumpen von Festkörperlasern
Direkte Materialbearbeitung
Medizinische Anwendungen
Erwärmen, Beleuchten
Druckanwendungen
Sicherheitshinweise
Safety Advices
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare InfrarotStrahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt
werden
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
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SPL LG98-P
Typ
Type
Wellenlänge1)
Wavelength1)
Bestellnummer
Ordering Code
SPL LG98-P
975 nm
Q65110A5576
1)
Andere Wellenlängen sind auf Anfrage erhältlich.
Other wavelengths are available on request.
Grenzwerte (25 °C heat sink temperature)
Maximum Ratings
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
max.
Popt
–
20
W
Spitzen-Ausgangsleistung (quasi-continous
Pqcw
wave, tp ≤ 200 µs, duty cycle ≤ 20%)1)
Peak output power(quasi-continous wave, tp ≤ 200
µs, duty cycle ≤ 20%)1)
–
50
W
Betriebstemperatur2)1)
Operating temperature2)1)
Top
+ 10
+ 50
°C
Lagertemperatur2)1)
Storage temperature2)1)
Tstg
- 40
+ 85
°C
Löttemperatur (tmax = 10 s)
Soldering temperature (tmax = 10 s)
Ts
–
+ 260
°C
Ausgangsleistung
Output power1)
1)
1)
Kurzzeitiger Betrieb. Der Betrieb bei den Grenzwerten beeinflußt die Lebensdauer.
Short time operation. The operation at the maximum ratings influences the lifetime.
2)
Betauung des Moduls muss ausgeschlossen werden.
Bedewing of the module has to be excluded.
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SPL LG98-P
Dioden Kennwerte (25 °C heat sink temperature)
Diode Characteristics
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
min.
typ.
max.
Zentrale Emissionswellenlänge1) 2)
Emission wavelength1) 2)
λpeak
970
975
980
nm
Spektrale Breite (Halbwertsbreite)1) 2)
Spectral width (FWHM)1) 2)
∆λ
–
3.0
–
nm
Ausgangsleistung im Betriebspunkt1)
Output power at operating point1)
Pop
–
15
–
W
Differentielle Effizienz
Differential efficiency
ηd
–
1.05
–
W/A
Schwellstrom
Threshold current
Ith
–
6
–
A
Betriebsstrom1)
Operating current1)
Iop
–
21
–
A
Betriebsspannung1) 3)
Operating voltage1) 3)
Vop
–
1.45
1.60
V
Differentieller Serienwiderstand
Differential series resistance
Rs
–
5
–
mΩ
Konversionseffizienz (elektrisch zu
optisch)1)
Conversion efficiency (electrical to optical)1)
η con
–
50
–
%
Charakteristische Temperatur (Schwelle)4)
Characteristic temperature (threshold)4)
T0
–
150
–
K
Temperaturkoeffizient des Betriebsstroms
Temperature coefficient of operating current
∂Iop / Iop∂T –
0.5
–
%/K
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
Temperature coefficient of wavelength
∂λ/∂T
–
0.3
–
nm/K
Thermischer Widerstand
(pn-Übergang → Wärmesenke)
Thermal resistance (junction → heat sink)
Rth JA
–
1.3
–
K/W
Wärmesenkentemperatur5)
Heat sink temperature5)
Tfluid
+ 10
+ 20
+ 30
°C
Strahldivergenz fast-axis (Vollwinkel 1/e2)
Beam divergence fast axis (full angle, 1/e2)
θ⊥
–
1.4
–
Grad
deg.
Strahldivergenz slow-axis (Vollwinkel 1/e2)
Beam divergence slow axis (full angle, 1/e2)
θ||
–
6
–
Grad
deg.
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Werte
Values
Einheit
Unit
SPL LG98-P
Dioden Kennwerte (25 °C heat sink temperature)
Diode Characteristics (cont’d)
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Strahlabmessungen am optischen Austritt
Beam dimensions at optical output
w×h
–
7.0 ×
0.3
–
mm2
TE Polarisation
TE Polarization
PTE
–
90
–
%
1)
Werte beziehen sich auf die Standardbetriebsbedingung 15W Ausgangsleistung, 25 °C Wärmesenkentemperatur.
Values refer to standard operating conditions of 15W output power, 25 °C heat sink temperature.
2)
Die zentrale Emissionswellenlänge muss beim spezifizierten Strom kontrolliert werden. Liegt die Wellenlänge höher
als im Testprotokoll spezifiziert, so weist dies auf einen schlechten thermischen Kontakt und eine thermische
Überbelastung der Laserdiode hin. Bevor der Laserbetrieb weitergeführt wird, muss der thermische Kontakt
verbessert werden. Die zentrale Emissionswellenlänge schiebt mit 0,3 nm/K.
Check the emission wavelength at the specified current. A much longer wavelength than specified in the test protocol
indicates bad thermal contact and thermal overload of the diode laser. Then the thermal contact has to be improved
before continuing laser operation. The emission wavelength shifts with 0.3 nm/K.
3)
Das Anlegen einer Spannung in Sperrrichtung der Laserdiode muss ausgeschlossen werden.
Reverse voltage applied to the laser diode has to be excluded.
4)
Modell zur Bestimmung des thermischen Verhaltens bzgl. des Schwellstroms:
Model for the thermal behavior of threshold current:
Ith(T2) = Ith(T1) × exp (T2 – T1)/T0
5)
Wärmesenkentemperatur beeinflusst die Ausgangsleistung, die zentrale Emissionswellenlänge und die
Lebensdauer. Betauung muss ausgeschlossen werden.
Heat sink temperature influences output power, emission wavelength and lifetime. Condensation has to be excluded.
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SPL LG98-P
Optical spectrum, relative intensity Irel vs.
wavelength λ (15 W cw, 20 °C)
Ligth-current and voltage-current curves (cw,
20 °C)
V
OHW02730
2.0
V
1.6
25
W
OHL01665
1.00
I rel
Pout
%
20
0.75
1.2
15
0.50
0.8
10
0.4
5
0.25
0
0
10
0
A 30
20
0
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940
960
980
1000 nm 1020
λ
I
5
SPL LG98-P
Maßzeichnung
Package Outlines
8.5 (0.335)
23.6 (0.929) ±0.3 (0.012)
10.14 (0.399)
4.45 (0.175)
4.7 (0.185)
10 (0.394)
0.75 (0.030)
0.5 (0.020)
1.05 (0.041)
2.4 (0.094)
Optical
Output
Port
1.3 (0.051)
1.5 (0.059)
2.54 (0.100)
1.3 (0.051)
2.54 (0.100)
7.7 (0.303)
GEOY7015
Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch).
Notes:
Der optische Strahlaustritt liegt 1.5 mm über der Unterseite der Gehäusegrundplatte.
Exit height of optical output beam is 1.5 mm referring to bottom side of package base plate.
Gehäusegrundplatte ist auf Anodenpotential.
Package base plate is on anode potential.
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Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical
components 1 , may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS.
1
A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected
to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system.
2
Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain
and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered.
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