ONSEMI MC74VHCXXXM

ON Semiconductort
MC74VHC574
Octal D−Type Flip−Flop
with 3−State Output
The MC74VHC574 is an advanced high speed CMOS octal
flip−flip with 3−state output fabricated with silicon gate CMOS
technology. It achieves high speed operation similar to equivalent
Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS low power
dissipation.
This 8−bit D−type flip−flop is controlled by a clock input and an
output enable input. When the output enable input is high, the eight
outputs are in a high impedance state.
The internal circuit is composed of three stages, including a buffer
output which provides high noise immunity and stable output. The
inputs tolerate voltages up to 7V, allowing the interface of 5V systems
to 3V systems.
• High Speed: fmax = 180MHz (Typ) at VCC = 5V
• Low Power Dissipation: ICC = 4μA (Max) at TA = 25°C
• High Noise Immunity: VNIH = VNIL = 28% VCC
• Power Down Protection Provided on Inputs
• Balanced Propagation Delays
• Designed for 2V to 5.5V Operating Range
• Low Noise: VOLP = 1.2V (Max)
• Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families
• Latchup Performance Exceeds 300mA
• ESD Performance: HBM > 2000V; Machine Model > 200V
• Chip Complexity: 266 FETs or 66.5 Equivalent Gates
w
DW SUFFIX
20−LEAD SOIC WIDE PACKAGE
CASE 751D−05
DT SUFFIX
20−LEAD TSSOP PACKAGE
CASE 948E−02
M SUFFIX
20−LEAD SOIC EIAJ PACKAGE
CASE 967−01
ORDERING INFORMATION
MC74VHCXXXDW
SOIC WIDE
MC74VHCXXXDT
TSSOP
MC74VHCXXXM
SOIC EIAJ
These devices are available in Pb−free package(s). Specifications herein
apply to both standard and Pb−free devices. Please see our website at
www.onsemi.com for specific Pb−free orderable part numbers, or
contact your local ON Semiconductor sales office or representative.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
March, 2006 − Rev. 5
1
Publication Order Number:
MC74VHC574/D
D0
D1
D2
DATA
INPUTS
D3
D4
D5
D6
D7
CP
OE
2
19
3
18
4
17
5
16
6
15
7
14
8
13
9
12
Q0
Q1
OE
1
20
VCC
Q2
D0
2
19
Q0
Q3
D1
3
18
Q1
D2
4
17
Q2
D3
5
16
Q3
D4
6
15
Q4
D5
7
14
Q5
D6
8
13
Q6
D7
9
12
Q7
10
11
CP
Q4
NONINVERTING
OUTPUTS
Q5
Q6
Q7
11
GND
1
Figure 1. LOGIC DIAGRAM
Figure 2. PIN ASSIGNMENT
FUNCTION TABLE
INPUTS
OE
L
L
L
H
OUTPUT
CP
D
Q
L, H,
X
H
L
X
X
H
L
No Change
Z
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
Symbol
Value
Unit
VCC
DC Supply Voltage
Parameter
– 0.5 to + 7.0
V
Vin
DC Input Voltage
– 0.5 to + 7.0
V
Vout
DC Output Voltage
– 0.5 to VCC + 0.5
V
IIK
Input Diode Current
− 20
mA
IOK
Output Diode Current
± 20
mA
Iout
DC Output Current, per Pin
± 25
mA
ICC
DC Supply Current, VCC and GND Pins
± 75
mA
PD
Power Dissipation in Still Air,
500
450
mW
Tstg
Storage Temperature
– 65 to + 150
_C
SOIC Packages†
TSSOP Package†
This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high−impedance circuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
range GND v (Vin or Vout) v VCC.
Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or V CC ).
Unused outputs must be left open.
* Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device
may occur. Exposure to these conditions or conditions beyond those indicated may
adversely affect device reliability. Functional operation under absolute−maximum−rated
conditions is not implied.
†Derating — SOIC Packages: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C
TSSOP Package: − 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
VCC
DC Supply Voltage
Vin
DC Input Voltage
Vout
DC Output Voltage
TA
Operating Temperature
tr, tf
Input Rise and Fall Time
VCC = 3.3V
VCC = 5.0V
Min
Max
Unit
2.0
5.5
V
0
5.5
V
0
VCC
V
− 40
+ 85
_C
0
0
100
20
ns/V
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VCC
V
Symbol
Parameter
Test Conditions
VIH
Minimum High−Level
Input Voltage
2.0
3.0 to
5.5
VIL
Maximum Low−Level
Input Voltage
2.0
3.0 to
5.5
VOH
Minimum High−Level
Output Voltage
Vin = VIH or VIL
IOH = − 50μA
Vin = VIH or VIL
IOH = − 4mA
IOH = − 8mA
VOL
Maximum Low−Level
Output Voltage
Vin = VIH or VIL
IOL = 50μA
TA = 25°C
Min
Min
1.9
2.9
4.4
3.0
4.5
2.58
3.94
3.0
4.5
http://onsemi.com
Max
1.50
VCC x 0.7
0.50
VCC x 0.3
2.0
3.0
4.5
3
Max
1.50
VCC x 0.7
2.0
3.0
4.5
Vin = VIH or VIL
IOL = 4mA
IOL = 8mA
Typ
TA = − 40 to 85°C
2.0
3.0
4.5
Unit
V
0.50
VCC x 0.3
V
V
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.44
0.44
V
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VCC
V
TA = 25°C
Max
Unit
Iin
Maximum Input
Leakage Current
Vin = 5.5V or GND
0 to 5.5
± 0.1
± 1.0
μA
IOZ
Maximum
Three−State Leakage
Current
Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
5.5
± 0.25
± 2.5
μA
ICC
Maximum Quiescent
Supply Current
Vin = VCC or GND
5.5
4.0
40.0
μA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
TA = − 40 to 85°C
Typ
Max
Min
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns)
TA = 25°C
Symbol
fmax
tPLH,
tPHL
tPZL,
tPZH
tPLZ,
tPHZ
tOSLH,
tOSHL
Parameter
Maximum Clock Frequency
(50% Duty Cycle)
Maximum Propagation Delay,
CP to Q
Output Enable Time,
OE to Q
Output Disable Time,
OE to Q
Output to Output Skew
Test Conditions
TA = − 40 to 85°C
Min
Typ
Max
Min
Max
Unit
ns
VCC = 3.3 ± 0.3V
CL = 15pF
CL = 50pF
80
50
125
75
—
—
65
45
—
—
VCC = 5.0 ± 0.5V
CL = 15pF
CL = 50pF
130
85
180
115
—
—
110
75
—
—
VCC = 3.3 ± 0.3
CL = 15pF
CL = 50pF
—
—
8.5
11.0
13.2
16.7
1.0
1.0
15.5
19.0
VCC = 5.0 ± 0.5V
CL = 15pF
CL = 50pF
—
—
5.6
7.1
8.6
10.6
1.0
1.0
10.0
12.0
VCC = 3.3 ± 0.3V
RL = 1kΩ
CL = 15pF
CL = 50pF
—
—
8.2
10.7
12.8
16.3
1.0
1.0
15.0
18.5
VCC = 5.0 ± 0.5V
RL = 1kΩ
CL = 15pF
CL = 50pF
—
—
5.9
7.4
9.0
11.0
1.0
1.0
10.5
12.5
VCC = 3.3 ± 0.3V
RL = 1kΩ
CL = 50pF
—
11.0
15.0
1.0
17.0
VCC = 5.0 ± 0.5V
RL = 1kΩ
CL = 50pF
—
7.1
10.1
1.0
11.5
VCC = 3.3 ± 0.3V
(Note 1)
CL = 50pF
—
—
1.5
—
1.5
ns
VCC = 5.0 ± 0.5V
(Note 1)
CL = 50pF
—
—
1.0
—
1.0
ns
ns
ns
ns
Cin
Maximum Input Capacitance
—
4
10
—
10
pF
Cout
Maximum Three−State Output
Capacitance, Output in
High−Impedance State
—
6
—
—
—
pF
Typical @ 25°C, VCC = 5.0V
28
CPD
Power Dissipation Capacitance (Note 2)
pF
1. Parameter guaranteed by design. tOSLH = |tPLHm − tPLHn|, tOSHL = |tPHLm − tPHLn|.
2. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC / 8 (per flip−flop). CPD is used to determine the
no−load dynamic power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
http://onsemi.com
4
NOISE CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns, CL = 50pF, VCC = 5.0V)
TA = 25°C
Symbol
Parameter
Typ
Max
Unit
VOLP
Quiet Output Maximum Dynamic VOL
0.9
1.2
V
VOLV
Quiet Output Minimum Dynamic VOL
− 0.9
− 1.2
V
VIHD
Minimum High Level Dynamic Input Voltage
—
3.5
V
VILD
Maximum Low Level Dynamic Input Voltage
—
1.5
V
TIMING REQUIREMENTS (Input tr = tf = 3.0ns)
TA = − 40
to 85°C
TA = 25°C
Symbol
CP
Parameter
Test Conditions
Typ
Limit
Limit
Unit
tsu
Minimum Setup Time, D to CP
VCC = 3.3 ± 0.3 V
VCC = 5.0 ± 0.5 V
—
—
3.5
3.5
3.5
3.5
ns
th
Minimum Hold Time, CP to D
VCC = 3.3 ± 0.3 V
VCC = 5.0 ± 0.5 V
—
—
1.5
1.5
1.5
1.5
ns
tw
Minimum Pulse Width, CP
VCC = 3.3 ± 0.3 V
VCC = 5.0 ± 0.5 V
—
—
5.0
5.0
5.5
5.0
ns
VCC
50%
OE
GND
tw
tPZL
1/fmax
tPLH
Q
VCC
50%
tPHL
Q
Q
HIGH
IMPEDANCE
50% VCC
tPZH
50% VCC
GND
tPLZ
VOL +0.3V
tPHZ
VOH −0.3V
HIGH
IMPEDANCE
50% VCC
Figure 3. Switching Waveforms
VALID
D
50%
tsu
CP
TEST POINT
VCC
th
50%
OUTPUT
GND
DEVICE
UNDER
TEST
VCC
C L*
GND
*Includes all probe and jig capacitance
Figure 4.
Figure 5.
http://onsemi.com
5
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
2
C
Q
D
19
3
C
Q
D
18
4
C
Q
D
17
5
C
Q
D
16
6
C
Q
D
15
7
C
Q
D
14
8
C
Q
D
13
9
C
Q
D
12
CP
OE
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
11
1
Figure 6. Expanded Logic Diagram
TEST POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST
1 kΩ
C L*
CONNECT TO VCC WHEN
TESTING tPLZ AND tPZL.
CONNECT TO GND WHEN
TESTING tPHZ AND tPZH.
INPUT
*Includes all probe and jig capacitance
Figure 7. Test Circuit
Figure 8. INPUT EQUIVALENT CIRCUIT
http://onsemi.com
6
OUTLINE DIMENSIONS
DW SUFFIX
SOIC
CASE 751D−05
ISSUE F
A
20
q
X 45 _
E
h
H
M
10X
0.25
NOTES:
1. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M, 1994.
3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 PER SIDE.
5. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION SHALL
BE 0.13 TOTAL IN EXCESS OF B DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
11
B
M
D
1
10
20X
DIM
A
A1
B
C
D
E
e
H
h
L
q
B
B
0.25
M
T A
S
B
S
L
A
18X
e
SEATING
PLANE
A1
C
T
MILLIMETERS
MIN
MAX
2.35
2.65
0.10
0.25
0.35
0.49
0.23
0.32
12.65
12.95
7.40
7.60
1.27 BSC
10.05
10.55
0.25
0.75
0.50
0.90
0_
7_
DT SUFFIX
TSSOP
CASE 948E−02
ISSUE A
20X
0.15 (0.006) T U
2X
L
K REF
0.10 (0.004)
S
L/2
20
M
T U
S
V
S
K
K1
ÍÍÍÍ
ÍÍÍÍ
ÍÍÍÍ
11
J J1
B
−U−
PIN 1
IDENT
SECTION N−N
1
10
0.25 (0.010)
N
0.15 (0.006) T U
S
M
A
−V−
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH,
PROTRUSIONS OR GATE BURRS. MOLD FLASH
OR GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.15
(0.006) PER SIDE.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE INTERLEAD
FLASH OR PROTRUSION. INTERLEAD FLASH OR
PROTRUSION SHALL NOT EXCEED 0.25 (0.010)
PER SIDE.
5. DIMENSION K DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN
EXCESS OF THE K DIMENSION AT MAXIMUM
MATERIAL CONDITION.
6. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
7. DIMENSION A AND B ARE TO BE DETERMINED
AT DATUM PLANE −W−.
N
F
DETAIL E
−W−
C
D
G
H
DETAIL E
0.100 (0.004)
−T− SEATING
PLANE
http://onsemi.com
7
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
J1
K
K1
L
M
MILLIMETERS
MIN
MAX
6.40
6.60
4.30
4.50
−−−
1.20
0.05
0.15
0.50
0.75
0.65 BSC
0.27
0.37
0.09
0.20
0.09
0.16
0.19
0.30
0.19
0.25
6.40 BSC
0_
8_
INCHES
MIN
MAX
0.252
0.260
0.169
0.177
−−− 0.047
0.002
0.006
0.020
0.030
0.026 BSC
0.011
0.015
0.004
0.008
0.004
0.006
0.007
0.012
0.007
0.010
0.252 BSC
0_
8_
OUTLINE DIMENSIONS
M SUFFIX
SOIC EIAJ
CASE 967−01
ISSUE O
20
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD
FLASH OR PROTRUSIONS AND ARE MEASURED
AT THE PARTING LINE. MOLD FLASH OR
PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006)
PER SIDE.
4. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
5. THE LEAD WIDTH DIMENSION (b) DOES NOT
INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE
DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003)
TOTAL IN EXCESS OF THE LEAD WIDTH
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
DAMBAR CANNOT BE LOCATED ON THE LOWER
RADIUS OR THE FOOT. MINIMUM SPACE
BETWEEN PROTRUSIONS AND ADJACENT LEAD
TO BE 0.46 ( 0.018).
LE
11
Q1
E HE
1
M_
L
10
DETAIL P
Z
D
e
VIEW P
A
A1
b
0.13 (0.005)
c
M
0.10 (0.004)
DIM
A
A1
b
c
D
E
e
HE
L
LE
M
Q1
Z
MILLIMETERS
MIN
MAX
−−−
2.05
0.05
0.20
0.35
0.50
0.18
0.27
12.35
12.80
5.10
5.45
1.27 BSC
7.40
8.20
0.50
0.85
1.10
1.50
10 _
0_
0.70
0.90
−−−
0.81
INCHES
MIN
MAX
−−− 0.081
0.002
0.008
0.014
0.020
0.007
0.011
0.486
0.504
0.201
0.215
0.050 BSC
0.291
0.323
0.020
0.033
0.043
0.059
0_
10 _
0.028
0.035
−−− 0.032
ON Semiconductor and
are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice
to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.
“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All
operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights
nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should
Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,
and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death
associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal
Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
LITERATURE FULFILLMENT:
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
USA/Canada
P.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 85082−1312 USA
Phone: 480−829−7710 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051
Fax: 480−829−7709 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada
Phone: 81−3−5773−3850
Email: [email protected]
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
Order Literature: http://www.onsemi.com/litorder
For additional information, please contact your
local Sales Representative.
MC74VHC574/D