SUN2310 无锡日晟微电子有限公司 P 沟道 MOSFET SUN2310SG 描述： 特点： SUN2310SG P 沟道增强型功率场效 z 应管（MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟 道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通 电阻。 z z -30V/-4A RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A 超大密度单元、极小的 RDS(ON)） 采用带散热片的 SOP8 封装（散热片和Ｄ端短接） SUN2310SG 适用于低压应用，例如移动电 话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电 路。 引脚排列图： 典型应用: z z z 电源管理 负载开关 电池保护 极限参数: 参数 符号 极限值 单位 漏级电压 VDSS -30V V 栅级电压 VGSS ±20 V 漏级电流 ID -4 A 允许最大功耗 PD 2 W 工作温度 TOpr 150 ℃ 存贮温度 Tstg -65/150 ℃ ｗｗｗ．ｓｕｎｒｉｓｅｉｃ．ｎｅｔ ｓａｌｅｓ＠ｓｕｎｒｉｓｅｉｃ．ｎｅｔ 无锡日晟微电子有限公司 SUN2310 无锡日晟微电子有限公司 Ｗｕｘｉ Ｓｕｎｒｉｓｅ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ 无锡地址： 江苏省无锡市蠡园经济开发区标准厂房Ａ４栋３０８ 电话：０５１０－８５１６７３９１ 传真：０５１０－８５１６７３９１ 网址：ｗｗｗ．ｓｕｎｒｉｓｅｉｃ．ｎｅｔ 深圳地址： 广东省深圳市福田区彩田路福源大厦１栋２２Ｆ 电话：１８８２０２４９８０３（电信座机） 电话：１８８１８７８５７２１（电信座机） 传真：０７５５－８２９０２１８３ 网址：ｗｗｗ．ｓｕｎｒｉｓｅｉｃ．ｎｅｔ 邮箱：ｓａｌｅｓ＠ｓｕｎｒｉｓｅｉｃ．ｎｅｔ ｗｗｗ．ｓｕｎｒｉｓｅｉｃ．ｎｅｔ ｓａｌｅｓ＠ｓｕｎｒｉｓｅｉｃ．ｎｅｔ