PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R HEP32 Series Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. （HEP32/HEP32A/HEP32B/HEP32C） █ APPLICATIONS Mediuｍ Power Linear switching Applications. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-220AB T stg ——Storage Temperature………………………… -55~150℃ T j ——Junction Temperature…………………………………150℃ PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）……………………………40W PC——Collector Dissipation（Ta=25℃）……………………………2W VCBO ——Collector-Base Voltage、VCEO——Collector-Emitter Voltage HEP32……………………………-40V HEP32A…………………………-60V HEP32B……………………………-80V HEP32C…………………………-100V VE B O ——Emitter -Base Voltage………………………………-5V IC——Collector Current（DC）………………………………………-3A IC——Collector Current（DC）……………………………………-3mA IC——Collector Current（Pulse）……………………………………-5A Ib——Base Current………………………………………………-1A 1―Base，B 2―Collector，C 3―Emitter，E █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol Characteristics Min Typ Max Unit HEP32 －４０ HEP32A －６０ HEP32B －８０ HEP32C －１００ ICEO Collector Cut-off Current HEP31/ HEP32A HEP31B/ HEP32C ICES Collector Cut-off Current HEP32 HEP32A HEP32B HEP32C HFE（1） *DC Current Gain ２５ HFE（2） １０ VCE(sat) *Collector- Emitter Saturation Voltage VBE(ON) *Base-Emitter On Voltage IEBO Emitter Cut-off Current －０．３ －０．３ －２００ －２００ －２００ －２００ ５０ －１．２ －１．８ －１ ３．０ BVCEO fT Collector-Emitter Breakdown Voltage Current Gain-Bandwidth Product *Pulse Test：PW≤300μｓ，Ｄｕｔｙ ｃｙｃｌｅ≤2% Ｖ Ｖ Ｖ Ｖ ｍＡ ｍＡ μＡ μＡ μＡ μＡ Ｖ Ｖ ｍＡ ＭＨｚ Test Conditions IC=-30mA, IB=0 VCB=-30V, IB=0 VCB=-60V, IB=0 VCE=-40V, VEB=0 VCE=-60V, VEB=0 VCE=-80V, VEB=0 VCE=-100V, VEB=0 VCE=-4V, IC=-1A VCE=-4V, IC=-3A IC=-3A, IB=-375mA VCE=-4V, IC=-3A VEB=-5V, IC=0 VCE=-10V, IC=-500mA，ｆ＝１ＭＨｚ PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HEP32 Series （HEP32/HEP32A/HEP32B/HEP32C）