PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 HIT5610 H5610 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 作音频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………150℃ P C ——集电极耗散功率…………………………………750mW V CB O ——集电极—基极电压……………………………-25V 1―发射极，E 2―集电极，C 3―基 极，B V C E O ——集电极—发射极电压…………………………-20V V E B O ——发射极—基极电压……………………………-5V I C — — 集电极 电 流 ……… … … ……… … … ……… … …- 1 A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO HFE VCE(sat) VBE fT Cob 符 号 说 明 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极电压 特征频率 共基极输出电容 最小值 典型值 最大值 单位 -25 -20 -5 60 -0.2 -0.8 360 38 V V V μA -1 240 -0.5 -1 60—120 试 条 件 IC=-10μA，IE=0 IC=-1mA，IB=0 IE=-10μA，IC=0 VCB=-20V, IE=0 VCE=-2V, IC=-500mA IC=0.8A, IB=-80mA VCE=-2V, IC=-500mA V V MHz VCE=-2V, IC=-500mA pF VCB=-10V,IE=0，f=1MHz █ 分档及其标志 A 测 B C 85—170 120—240