ETC ATT2161

《国外电子元器件>>1 996 年第 1 期
一 30 一
1996 年 1 月
·新特器件应用
ATT2161
~
ATT2162
~ ~镇流 a
拉刹 IC 众共法用
毛兴式
摘要
万怀善
ATT2161 和 ATT2162 分别是低端及高端电子镇流器控制器 I C，均内装有
300V 、 20 的功率 MOSFET
0
ATT2161 为苯电压开关，其控制逻辑有预热、启动和正
常工作三种模式。 ATT2161 与 ATT2162 可共同组成简单、低成本的串联谐振型电
子镇流器。
ATT2161 的功能方框图如图 1 。
1 、引言
ATT2161AC 采用 16 脚封装 DIP 封装，顶
迄今为止，还未发现任何一种电子镇流
视图如图 2 0 ATT2161AW 则采用 16 脚窄体
器控制 IC. 象 AT&T 公司生产的 ATT2161
SOIC 封装。 ATT2161 的引脚符号及其功能
和 ATT2162 一样，内装有 N 沟道功率开关
如表 1 。
MOSFET
0
ATT2161 在半桥逆变电路中为
低端提供一个 300V 、 2!l的 N 沟道功率
ATT2161 的电特性参数如表 2 。
2.2 ATT2162 高端镇流器 IC
MOSFET 输出;而 ATT2162 高端控制 IC
ATT2162 高端镇流器控制器 IC 功能
内装有 300V 、 20 的浮置电源 N 沟道功率
方框图如图 3 0 ATT2162AAF 采用 14 脚窄
MOSFET. 浮置电源利用简单的自举技术设
体 SOIC 封装， ATT2162AB 则采用 8 脚
计。 ATT2161 的高电压电平移位晶体管直
DIP 塑料封装，顶视图分别如图 4 和图 5 。
接与 ATT2162 低端镇流器 IC 对接。
在图 3 中，括弧内引脚符号为 ATT2162AB
ATT2161 低端镇流器 IC 控制逻辑在
的符号。不论采用何种封装型式，实际上只
三种模式中工作。在预热模式下，峰值负载
有 6 个引脚被利用。各引脚的功能分别为:
电流被限制到一个小的数值;在启动模式下，
V DDH 是逻辑电源电压
负载被 ~i动到接近谐振直至谐振发生
位输入，电流脉冲使功率 MOSFET 接通 z
•
ili常
HSl 是高端电平移
HS2 是高端电平移位输入，电流脉冲使功率
工作后，负载在恒定频率下工作。
ATT2161 和 ATT2162 共同组成简单
MOSFET 关断
V ss 为逻辑地 ; DRAIN 是
的低成本的串联谐振式镇流器电路，无需外
功率 MOSFET 的漏极输出
加功率开关器件，从而使电路大为简化。同
功率 MOSFET 的源极引出脚
时，对荧光灯具有良好的阴极预热启动功
脚。
能。
2.1 ATT2161 低端镇流器 IC
NC 为空
ATT2162 的极限参数是 z 漏一源电压
2 、内部结构、引脚功能及其主要
参数
SOURCE 是
声
V DS二三 300V. 脉冲漏电流 I Ds =3A. 驱动器电
源电压 V
DDH= -
O. .5
'""-'+ 7V.
工作温度
T A = -40----+8 .5 'C. 结温 TJ = 一.5.5.-....+ 1 .5 0'C 。
ATT2162 的主要电特性寥数如表 3 。
'息，
ATT2J 61 与 A丁1' 2162 电子镇流器控制 IC 及其应用
制眼
Ni 执启动
时际控制
INP
12
电离
1/ ~
nu
平端
选得
CJM
H
1
预热启动、 l
Rd自-E···EA·
吨，‘
"
HS
Q
Qo
武vhVEEEEEEBEa­
10
9
一 31 一
13
INN
8
TO
低编开关
可3
因 1 A'1'1' 2161 引脚符号及功能
去 1
..
ATT2161 引脚符号及功能
功
引脚
符号
1
NC
i 未连接(可以接地)
。
..
?、JC
!未连接(可以接地)
主
ljrain
ov
能
|功率 M恼了E丁的指极输出
逻辑电酒电压
4
专V
5
HSl
骂边电干移位输出.电流脉冲使 MOSFET 导通。
6
HS;~
|高边电干移位输出.电流脉冲使 MOSFET 关断 U
7
PH
8
一一
筒。在工作模式中.为不变
j周率的利用编程时间间隔。
9
'
i
i 预热。 OC 低电平)..，.预热模式;l{高电平)=工作模式。
!到零电压开关 (ZVS) 死lð.时间 Q 脚的延时模型
10
Q"
Q
11
FB
!为谐振操作确立反馈电平
12
INP
1 谐振控制比较器的肉相输入
13
INN
!谐振控制比较器的比相输入
14
\' ,S
j 逻辑电源地.和 MOSFET 输出晶体管的源极连接
15
ι.、吨冒飞户,
|未连接(可以接地)
16
k‘11飞、f
l 未连接(可以接地)
|决定功率 MO曰;ET 输出的状态
ATT2162 高端镇流器 IC 是为驱动半桥
‘逆变电路中高端功率开关而设计的。该瓦内
得。在开始输出之前，欠压闭锁电路能保证足
够的栅极驱动电压。
ATT2162 直接与
装一只 300V 、 20 的浮置电源 N 沟道功率
ATT2161 低端镇流器控制器 IC 的高压电平
MOSFET ，浮置屯 i原通过简单的自举1.'{术获
移位输出相接。
•
《国外电子元器件>>1 996 年第 1 期
一 32 一
1996 年 1 月
3 、 ATT2161 与 ATT2162 应用
实例
ATT2161 低端和 ATT2162 高端镇流
器 IC 所组成的电子镇流器典型应用电路如
图 6 。该镇流器的输入电压为 120V ，
OUT1
和 OUT2 输出直接与荧光灯相接。逻辑电源
电压分别由 ATT2161 的脚 4 和 ATT2162
的脚 3 提供。当 ATT2161 的 7 脚为高电平
图 2 ATT2161 的封装图
时， ATT2161 处于工作模式;当 7 脚为低电
在预热模式下，当负载电流超过固定的
平时，则工作于预热模式。
表 2
ATT2161 的主要参数
符号
测试条件
最小值
BVoss
I D =10μA
300
ROS(ONl
ID=500mA
电平移位击穿电压
BVHS
IHS =10 J.lA
电平移位关态电流
IHS(OFFl
V Hs =300V
电平移位脉冲电流
IHS!ONl
V Hs =10V
5.0
电平移位稳态电流
IHS(ONl
V Hs =10V
100
参数名称
漏一源击穿电压
静态漏一源开态电阻
逻辑电源电流
最大植
V
2.0
Q
V
300
10
IDD
单位
μA
p mA
500
μA
2.0
mA
逻辑电源欠压锁定正门限
VDDUV +
3.4
4.2
V 、
逻辑电源欠压锁定负门限
VDDUV-
2.8
3.6
V
VDDUV(HYS >
O. 2
V
V L'1P= 一 0.5V
1. 0
M !l
V INP =5.0V
1. 0
M!l
Rininp(Ll
V 1阳 =-0.5V
1. 0
M!l
RiniftP(Hl
V INN =5.0V
1. 0
PH=H.FB 断开
0.15VDD
50
O.lS:VDD
M !l
mV
V
PH=L.FB 断开
0.034VDD
0.043VDD
V
0.45VDD
0.55VDD
V
1. 0
K !l
逻辑电源欠压锁定滞后
Ri副呻(L)
INP 输入电阻
Rini
阳s呻
E
合
INN 输入电阻
,
输入比较描决调电压
Vω
INP 电流限制门限
V INP
INP 预热门限
V INP
FB 对 INP 开关电阻
FB 对 INN 开关电阻
Q 开通电阻
QD 死区时间门限
Q=H
一
RFB(Ll
Q=L
1. 0
M!l
RFB <H)
Q=H
1. 0
M !l
RFB(L)
Q=L
RQ(Hl
Q=VDD
RQ!L)
Q=OV
VQD
一
70四
最大脉冲漏极电流
IOS( 1D&xl
TA
二一一一一一
一一一
5.0
RFB(H)
TO 门限电压
工作温度
.
一
1. 0
K !l
1. 0
KO
1. 0
K !l
0.45VDD
0.55V DD
V
0.45VDD
0.55VDD
V
3: 0
A
85
℃
一
一 40
I
ATT2161 与 ATT2162 电子镇流器控制 IC 及其应用
一 33 一
VO OH
DRAIN
(VB)
HS1
叫 S2
图 5 ATT2162AB 管脚排列
SOURCE
(VS1)
Vss(VS)
MOSFET 的变化状态形成半桥输出。此情
况下，峰值负载电流被限制到较小数值。在启
图 3 ATT2162 内部假回
动模式中，负载电流超过参考电平后，由于谐
振反射的作用，负载电流将下降到参考电平
以下。此时负载通过闭合环路被驱动到接近
NC
谐振。在编程的暂停周期内〈由 TO 脚履行) ,
NC
如果负载电流不能反射至参考电平以下，半
11 SOURCE
桥输出则改变状态，从而使负载在工作模式
SOURCE
DRAIN
中以固定频率工作。
死区时间由 ATT2161Q 脚上的电阻 R4
和 QD 脚与地之间的电容 C4 决定。 IC 随死
图 4 ATT2162 AAF 管脚排列
区时间执行零电压开关 (ZVS) 。参考电缸电
参考电平时， ATT2161 和 ATT2162 的功率
表 3
参数名称
漏一源击穿电压
合
平由 FB (11)脚上电阻 R2 、 lNP (1 2) 脚和
ATT2162 主要参数
符号
测试条件
最小值
BVnss
I HS1 = - 5. OmA
I Hs2 = --250μA
300
最大值
单
位
V
In=250μA
I HS1 = 一 5.0mA
静态漏一惊开态电阻
,
逻辑电源电流
I Hsz = 一 250μA
RnS<ONl
2.0
。
400
μA
I n =250mA
I nnH
逻辑电源欠压锁定正间限
V nnuv +
3.4
4.2
V
逻辑电源欠压锁定负阀限
V nnuv -
2.8
3.6
V
Vnnuv<HYS)
0.3
V
IHSI:-I(H)
一 5.0
μA
逻辑电摞欠压锁定滞后
逻辑高输入电流门限
逻辑低输入电流门限
IHSIN<L)
输出导通延时
td(on)
输出上升时间
tr
输出关断延时
td(off)
输出下降时间
tf
输出电容
Coss
-
4
VIN=O. 8V , V ns =25V
f= 1. OMHz
-250
μA
20
ns
3.0
ns
85
ns
30
ns
100
: PF
《国外电子元器件))1 996 年第 1 期
一 34 一
1996 年 1 月
01
IN4004
2M
阳
nu.
500" H
OCR=O 5 仆
C9
50ür.P
L1
ou 川
It
。
~50V
08
IN4148
AC1
VARISTOR
VR1
R::'
'M \>
AC!
(Iþ PT!O tJ A~j
JLl 工?PF
[
';lj
图 6 用 ATT2161 和 ATT2162 组成的电子镇流器电路
命
(3) 脚上的电阻 R5 ， R6 及传感电阻 RT 产
灯由于某种原因错误地进行"冷"启动，
生。 PH (7) 脚上的低电平迫使 ATT2161 工
ATT2161 将自动进行重复启动。当 INP (1 2)
作在预热模式。如果 PH 脚为高电平， IC 处
脚上电压变至约 O.7V 时， ATT2161 将通过
于启动模式还是处于工作模式，取决于负载
减小半桥输出，限制峰值灯电流。
特性，亦即灯管是否被启动点火。假如荧光
'怡'酷'险'岭'峙..~险'脸'腼..~抽'腼…..~据'悔'旨'旨'曲'也峙'脸'撮，恬.....~险'险'曲曲也艇'曲......
咨询编号 :96105
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来信时把发表过的文章的复印件、个人简历和其他有关资料一并寄来。
亏一、
I
,
d
"
~c:..二
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ζ，
r.
一、
J. I
三三章 AT&iτ
毛孟吾~ MicroeiectronÎcs
Advance Data Sheet
February 1994
、、-
ATT2161 Low-Side 8allast IC
Features
Description
• 300 V, 2 n N-channel power MOSFET output
节1e ATI2161 Low-Side Ballast Ccntrcl!er IC is
• Programmable thresholds and deadtimes for zero
voltage switching
channel power MOSFET output for the low-side in
the half-bridge inverter circuit.
• Instant ON start-up
• 300 V level shift transistors to interface tc the
ATT21S2 High-Side Ballast IC
The ATT21S1 controllogic operates in three modes:
a preheat mode where the peak load current is limited to a small value, a start-up mod~ where the load
is driven near resonance, and an operatíon mode
where the load is driven at a ∞ nstant frequency.
.. Under/oltage locl<out with hysteresis
.. Available in surface mount and 01 P packages
The ATT21 61 also provides the high-voltage level
Applications
、、-
designed to provide the low-side power switch plus
aJ l the necessary controi 109ic for a series resonant
baJ last circui t. The ATT21 61 provides a 300 V, 2 n N-
shitting transistocs needed to interface with the
ATT2162 High唱ide Ballast IC. When used in conJunct阳n wìth the ATT2162 , the A了了2161 provides a
simple, cost effective series resonant ballast com.
monly used in controlllng fluorescent 阳nps.
• Electronic lamp bal1asts
节1eATT2161AC
is available in a 16.pin plastic DIP,
while the ATT2161AW is available in a 16-pin narrowbody surface mount-package.
i
Sl!T
1 ~
同咱
。。
0
l
简章。H呻.çr
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IFO侧，确Ð<ÞT Þ.阉
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↓尘王f
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。 se民l..\TOAFO钝 CCNSTAN'i
FRE也J I!NC'f
OptllATIOH
rO
-J工
-
-
、M咽-
Fi gure 1. A廿2161 FÏJnetional Sloek Oiagram
FEB
2~
'9~
1~:29 ~T 二 T
F~"
';;.ü 主乞
1二U.I'::，
r.
.L.':::;'
ATI2161 Low-Side Ballast IC
Pinout Information
、--
1
I NC
21 NC
NC
31
V主s
114
INN
113
INP
12
FB
11
Q
10
。。
9
ãl
DRAIN
HS2
7 I PH
81
T。
Figure 2. A1ì2161 AC/AW Pinout
TabJe 1. Pln Oescriptions
Pin
、-
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
Symbol
NC
NC
Orain
Voo
HS1
HS2
PH
TO
00
Q
FB
INP
INN
ilsS
NC
NC
Function
No Connecti∞. (May be grounded.)
No Conn创tion. (May be ground创.)
Drain of the Power MOSFET Output.
'
Logic Supply Vo忧age.
High-sìde Level Shift Output. Current Pulse Tums ATT2162 Power MOSFET Output On.
High-side Level Shift Output. Current Pulse Tums ATT2162 Power MOSFET Output 0优 l
Pre-heat. 0 Pre- heat mode. i operation mode.
Time-o ut. Sets 1ime-o ut Pe刑。d for Constant Frequency used in Operation Mode.
Delayed Version of Q for Zero Voltage Switching Dead 1ime.
Determines the State of the Power MOSFET Output.
. Sets Feedback Level for Resonant Operation.
Non-inverting Input to Resonant Control Comparator.
Inverting Input to Resonant Control Comparator.
Logic Supply Ground and Source Con~ection of the Power MOSFE丁 Output.
No Conn创tion. (May be grouAded.)
No Connection. (May be grounded.)
=
=
、同--
2
-2-
。.
e
,
卡巳;:....:..-
::'~
‘........:.=-
r-1
1 4.1
「同=， U..:.:
~!_U'三』
P.L
i-
A了T2161 Low~Sjde 8ailast !C
、-
Descriptìon
pe悦。d. the haif.bndge output changes state. resultíng
In constam frequency operation.
AγT216' Low-Side Ballast Contro l1 er IC is used in con-
丁he ATT216' perforγ了1S zerc voltage switching with a
dead ti rr. e determined by a resistor connected betwee r.
the Q and 00 pins and a capacitor from the 00 pin 10
ground. Load current IS sensed via a low value ~esistor
in series with the ioad. The reference current ievel is
created by a reslstor to the FB pin and resistors
between the !NP and INN pins and each terfi'l nal of the
series sense resistor. The time -o ut period is ~rc.
grammed by means of a resistor and capaci!or a! the
TO pin. Operation in the pre- heat mode is forced by a
low state on !he PH pin. lf PH is high , then the
ATT2161 is in eitherthe sta口-up mode or Opera!ion
mode. depending on the characteristics of the :Oad (i. e.
whether or not the fluorescent tube has started). The
ATT2161 will automatically restart the fluorescent tube
it tor some reason the tube erroneously ~eturns to the
"cold" state after start-up. Th e ATT2161 limits the peak
load current by switching the half-b ridge OUtput Icw
when the voltage sensed at the INP pin is approximatety 0.7 飞
μnctlon
Wlth the A下了21 ô2 Hign-Side 8allast IC to form
a half.bridge series resonant circuit commonly used to
control t\uore5ce r. t lamps. The A了T2161 ccntrollogic
operates the r.ait-bridge inverte( in one 01 tr. ree modes:
pre.heat mcde , start-up mode , and opera tlO n mcde.
Ir. the preheat mOde , the peak \oad current 1骂 limited 10
a smalt vaiue. 了ne half-brídge output formed from the
power MOSFETS of theATT2161 and ATT2162
changes state when the load current increases above a
5et reference leval.
In !he start.up moce , the !oad is drive n- near resonance
by means 01 a closed !OOp. The haif-bridge cha r. ges
state wt1en tt1 e ioad current decreases below the 5et
reference level a !ter the load current increased above
the reference level (i. e. after !he ìoad current has
increased above the retere r.<:e levei and then is
decreased below the reference level due to resonant
refl臼tion).
The toad is dríven at a constant frequency duríng operatio r. mode. If the load current does not rettect below
the set reference level within a programmed ti me-out
、-'
Absolute Maximum Ratings
Stresses in excess of the Ab solute ~.aximum Ratings can cause permanent damage to the devíce. lt1 ese are
absolute stress ratings ∞Iy. Functional operation of the device is not ímpl悔d at these or any other conditions in
excess of those indicated in the operational sections of the data sheet. Exposure to Absolute Maximum Ratings for
extended periods can adversely affect device rellability.
S沪nbol
Mln
Drain to So urce Voltage
Pulsed Drain Current
Level Shift Voltage
Logic $upply VOltage
I Logic Input Voltag.e
Package Power Díssì间tion at TA:: 25 oC , ATT2161AC
Package P~wer Di弱ipation at TA::: 25 "c. ATI21 61 AW
Vos
los
VI'!S
Voo
VIN
Po
po
一
Thermal Resistance. ATT2161AC
Th ermal Resistance. ATT2161AW
! Operating Ambient Temperature Range
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
RaJA
R9JA
TA
TJ
Tst g-
Parame幅r
.
Unit
V
A
Max
300
一
3.0
一
300
7.0
7.0
2.08
1.38
60
。 Cf\N
90
。 CNI/
85
150
150
。c
-0 .5
-0 .5
一
一
一
一
-40
-5 5
-55
t
V
V
V
W
W
辛C
'
中C
、_.
3
啕生
J
卡 t二 t主 .0: 4
"='4
1...: 二:1
HL:T F 问ι
: ATT2161 Low-Side Ballast
言白主乞 C" LU'二l
乒.二二白
IC
Electrical Characteristics
、_' VOOH::: 40 V to
ì.O V. TA= 2S l C unless
ott1e阳tse specifjed.
Minimum and maximum vaiues are testing specifications.
Parameter
Draln-to-Source Breakdown Vo!tage
Statlc Drain-to-Source On.State Resistance
Level
Level
Level
Level
Shift 8reakdown
Shift Off-State Current
Shi f1 Pulse Current
SHift Steady State Current
Logic Supply Current
Logic Supply Undervoitage Lockout Positive
Going Threshold
Logic Supply Undervoltage Lockout Negative
Going ThreShold
Logic Supply Undervoltage Lockout Hysteresis
INP Input Resistance
INN
Input 内esistance
Input Comparator Offset Vo!tage
INP Current Limit Thre s.'"l old
‘、-'
Test Conditions
Min
8Voss
IC, ;10 UA
300
ROS\ONì
BVHS
10 = 500 mA
IHS = 10μA
'1 HS::: 300 V
SymbOI:
IHSíCF F)
IHSICN)
IHSíON)
100
VH$ = 10 V
Vo肌 i
VcouV(t明)
I
F6 Switch Resistance to INP
FB Switch Resistance to INN
ViNP '" -0 .5 V
VtNP'" 5.0 V
VINN =-0 .5 V
VINN = 5.0 V
PH = H , FB open
VINP
一
R阳H)
Q:;:;H
R罔(L)
Q"'L
Q=H
Q=L
Q:::Voo
Q:;:;OV
民自(H)
R用(l)
RC(MJ
Q On-Resistance
QO Dead 了ime Th re创飞。Id
QD Dead Ti me Positive Th reshold
QD Dead Ti me Negative Th reshold
TOThr可aShold Voltage
TO Input Resistance
,
RO(l-)
Vco
Vaoφ
Va oTO相
RTO(H)
ATO(L)
V
一
10
μA
-
mA
3.4
500
2.0
4.2
mA
V
2.8
3.6
V
0.2
1.0
1.0
1.0
-
V
MO
一
PH = L. FB open
INP Pre-Heat ThreShold
一
一
AintNP(H)
AintNN(ll
RinINN(H)
VIO
VIN?
一
一
一
1.0
I
V
Q
300
VHS"'10V
RintNP{l)
Unit
2.0
5.0
100
Vo肌 i
Max
5.0
0.15 Voo
l1A
一
M!l
M.Cl
Mn
一
一
-
'
50
mV
V
0.18 V∞
0.043
Voo
0.034 V∞
0.45 Voo 0.55 Voo
1.0
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