T OP I C S 新 闻 发 表 商 品 2009年2月23日发表 三洋推出宽频放大器MMIC: SMA3101 用于卫星放送接收器Down-Converter部 高频硅器件 业界最高性能*: 在宽频(f=0.1~2.2GHz)实现了25dB增益 *截至2009年2月23日 SMA3101 样片供应: 2009年3月开始 量产: 2009年6月开始 产量: 100万~300万个/月 (2010年6月开始) 样片价格 @6元 特 长 ●业界最高性能※的高增益Gp=25dB(f=0.1~2.2GHz) ●支持3GHz高频工作 ●硅材料LNB用器件环保低价 *截至2009年2月23日 SMA3101 规格 单位: mm(typ.) 2.1 0.85 2.0 器件 SMA3101 封装 (尺寸) [mm] 电源 电压 Vcc [V] 电路 电流 Icc [mA] MCPH6 (2.0 x 2.1 x 0.85) 5 10 Gp [dB] fu [GHz] Po(1dB) [dBm] OIP3 [dBm] Vcc=5V f=2.2GHz Vcc=5V 比1GHz的增益低3dB Vcc=5V f=2.2GHz Vcc=5V f=2.2GHz 25 3.0 -4 6.5 (参考值) 该资料记载内容包括价格及规格等全为记者发表时数值。可能发生变更, 望周知。 http://semicon.cn.sanyo.com/ 三洋半导体公司 20090223－1/2 新闻发表商品 宽频放大器MMIC: SMA3101 三洋的LNB解决方案 LNB框图 Ant. MIX LNA 1’ST IF-Amp (SBX201C) 2’nd IF-Amp IF:0.95～ 2.15GHz RF:10.7～ 12.75GHz (SMA3101) (MCH4020) LO LO:9.75/10.6GHz (MCH4009) 三洋硅方案 LNB 双极晶体管 器件 封装 |S21e|2 (@2GHz) VCEO [V] IC [ mA ] VCE IC [ dB ] Block MCH4009 MCPH4 3.5 40 3 20 17 LO/IF Amp. MCH4020 MCPH4 8 150 5 50 17.5 (1GHz) LO/IF Amp. 器件 封装 Vcc [V] Icc [ mA ] Gp [ dB ] fu [ GHz ] NF [ dB ] Block SMA3101 MCPH6 5.0 10 25 3.0 4.0 IF Amp. MMIC 肖特基势垒二极管 器件 封装 变换损失 [ dB ] 正向电压 [ mV ] 端子间容量 [ pF ] Block SBX201C CP 6.8 280 0.25 Mixer 与他社的比较(Power Gain) Gp of SMA3101 他社 vs Vcc=5V 30 业界 1取得了 SMA310 的 最高性能 25dB Power Gain Gp［dB］ 三洋 25 增加3dB 他社 20 工作频带 fu=3GHz 950MHz 15 2150MHz LNB IF Band 10 0 1 2 3 4 5 频率 [GHz] http://semicon.cn.sanyo.com/ 三洋半导体公司 20090223－2/2 T OP I C S News Release Product Topics Released on Feb. 23, 2009 Wideband Amplifier MMIC: SMA3101 for Satellite Receiver Down Converter Silicon RF Device The industry’s highest Gain*: 25dB for wideband (f=0.1~2.2GHz) *as of Feb. 23, 2009 SMA3101 Sample available: from Mar. 2009 Mass production: from Jun. 2009 Output: 1MPcs～3MPcs/Month (from June 2010) Sample price: $0.8 Features ●The industry’s highest* gain (Gp=25dB)for wideband (f=0.1~2.2GHz) ●3GHz RF operation ●Silicon LNB devices are environmentally-friendly and low-cost. * as of Feb. 23 2009 SMA3101 Specification Unit: mm (typ.) 2.1 0.85 2.0 Device SMA3101 Package (size) [mm] MCPH6 (2.0 x 2.1 x 0.85) Voltage supply Vcc [V] Current Icc [mA] 5 10 Gp [dB] fu [GHz] Po(1dB) [dBm] OIP3 [dBm] Vcc=5V f=2.2GHz Vcc=5V 3dB lower (vs. 1GHz gain) Vcc=5V f=2.2GHz Vcc=5V f=2.2GHz 25 3.0 -4 6.5 (reference) * Information in this document including price and specifications is as of the time of press release, and is subject to change without notice. www.semiconductor-sanyo.com/network 20090223 - 1/2 Release Product Topics Wideband Amplifier MMIC: SMA3101 Sanyo’s Solution for LNB LNB Block Diagram Ant. MIX LNA 1’ST IF-Amp (SBX201C) 2’nd IF-Amp IF:0.95～ 2.15GHz RF:10.7～ 12.75GHz (SMA3101) (MCH4020) LO LO:9.75/10.6GHz (MCH4009) Sanyo Silicon Solution LNB Bipolar Transistor Device Package |S21e|2 (@2GHz) VCEO [V] IC [ mA ] VCE IC [ dB ] Block MCH4009 MCPH4 3.5 40 3 20 17 LO/IF Amp. MCH4020 MCPH4 8 150 5 50 17.5 (1GHz) LO/IF Amp. Device Package Vcc [V] Icc [ mA ] Gp [ dB ] fu [ GHz ] NF [ dB ] Block SMA3101 MCPH6 5.0 10 25 3.0 4.0 IF Amp. MMIC SBD Device Package Conversion Loss [ dB ] Forward Voltage [ mV ] Inter-terminal Capacitance [ pF ] Block SBX201C CP 6.8 280 0.25 Mixer Comparison in Power Gain SMA3101 vs Competitor Vcc=5V Power Gain Gp ［dB］ 30 SANYO 25 3dB UP : ed 25dB 1 achiev y 0 tr 1 s 3 u A d M S in the in t s e h ig the h Competitor 20 fu=3GHz 950MHz 15 2150MHz LNB IF band 10 0 1 2 Frequency www.semiconductor-sanyo.com/network 3 4 5 [GHz］ 20090223 - 2/2