S125K, S250K S125K, S250K Protectifiers® – LowVF Bridge Rectifier with Overvoltage Protection Protectifiers® – LowVF-Brückengleichrichter mit Überspannungsschutz Version 2011-07-27 0.2 1.6±0.1 1.5±0.1 Nominal current – Nennstrom 2.54 5.1 +0.2 +0.2 6.5 ~ Type Alternating input voltage Eingangswechselspannung 125V, 250 V Plastic case slim profile 1.6mm Kunststoffgehäuse schlanke Bauhöhe 1.6mm TO-269AA MiniDIL Weight approx. Gewicht ca. -0.1 4.7±0.1 3.9 ~ 0.8 A 0.1 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 0.7 + Dimensions - Maße [mm] Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Green Molding Halogen-Free Features Vorteile Low VF for reduced power losses High inrush surge capability IFSM Reverse overvoltage protection PPPM UL Recognized Product – File E175067 Niedriges VF für reduzierte Verluste Hoher Einschalt-Stromstoß IFSM Sperrseitiger Überspannungsschutz PPPM UL-anerkanntes Produkt – File Nr. E175067 Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C) Type Typ Alternating input voltage Eingangswechselspannung Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C) Max. rev. current Max. Sperrstrom 1) Breakdown voltage Abbruch-Spannung VVRMS [V] ID [µA] @ VWM [V] VBR [V] S125K < 140 <5 190 > 210 S250K < 280 <5 380 > 400 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom TA = 50°C Forward voltage Fluss-Spannung 1) @ IT [mA] VF [V] @ IF [A] 1 < 0.95 0.8 1 < 0.95 0.8 R-load C-load IFAV IFAV 0.8 A 2) 0.6 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 15 A Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 50/55 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 12.5 A2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 60 K/W 1) 1 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Mounted on P.C. Board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 S125K, S250K Characteristics Kennwerte ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung C = 100pF R = 1.5kΩ 10 kV Reverse Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung in Sperr-Richtung 10/1000µs pulse 1) TA = 25°C PPPM 150 W Max. forward peak pulse current Max. Impuls-Strom in Fluss-Richtung 10/1000µs pulse 1) TA = 25°C IFPM 75 A 120 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 10-2 0.4 [°C] Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. 40a-(0.8a-0.95v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) tr = 10 µs 100 [%] 80 60 IPPM/2 PPPM/2 40 IPP 20 PPP 0 tP 0 t 1 2 3 [ms] 4 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform 1 2 See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG