BAV18 ... BAV21 BAV18 ... BAV21 Superfast Switching Si-Planar Diodes Superschnelle Si-Planar-Dioden Version 2011-10-17 Max. power dissipation Max. Verlustleistung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Ø 1.9 50...200 V Glass case Glasgehäuse 3.9 62.5 500 mW DO-35 (SOD-27) Weight approx. Gewicht ca. 0.13 g Equivalent SMD-version Äquvalente SMD-Ausführung Ø 0.52 BAV100...BAV102 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA =25°C) Type Typ Grenzwerte (TA =25°C) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) BAV19 100 120 BAV20 150 200 BAV21 200 250 Max. power dissipation Max. Verlustleistung TA = 25°C Ptot 500 mW 2) Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 25°C IFAV 250 mA 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 650 mA 2) Peak forward surge current, t ≤ 1 s Stoßstrom, t ≤ 1 s TA = 25°C IFSM 1A Peak forward surge current, t ≤ 1 µs Stoßstrom, t ≤ 1 µs TA = 25°C IFSM 5A Tj TS -50...+200°C -50...+200°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAV18 ... BAV21 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 0.1 A VF < 1.0 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 100 nA < 15 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 30 mA through/über IR = 30 mA to IR = 1 mA trr < 50 ns RthA < 300 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 10 120 [%] [A] 100 1 80 Tj = 125°C 60 10 -1 40 Tj = 25°C 10-2 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-3 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 1 2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG