MB85RC64

FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS05–13109–8R
Память FRAM
64 К (8 К × 8) Бит I2C
MB85RC64
■ ОПИСАНИЕ
Микросхема MB85RC64 представляет собой FRAM (Сегнетоэлектрическое оперативное
запоминающее устройство) в конфигурации 8192 слов × 8 бит, использующее технологии
сегнетоэлектрических процессов и КМОП кремниевого затвора для формирования долговременных
энергонезависимых ячеек памяти.
В отличие от статического ОЗУ (SRAM), MB85RC64 способна сохранять данные без батареи
резервирования данных.
Устойчивость чтения/записи энергонезависимых ячеек памяти, используемых в микросхеме
MB85RC64 повышена до не менее 1012 циклов, что существенно превышает соответствующие
параметры для памяти FLASH и E2PROM.
MB85RC64 не требует последовательного опроса после записи в память, как в случае памяти FLASH
или E2PROM.
■ ХАРАКТЕРИСТИКИ
• Битовая конфигурация
: 8192 слов × 8 бит
• Двухпроводный последовательный
: Полностью управляется двумя портами : последовательный
интерфейс
таймер (SCL) и последовательные данные (SDA).
• Рабочая частота
: 400 кГц (Макс)
• Устойчивость чтения/записи
: 1012 циклов / байт
• Сохранность данных
: 10 лет ( + 85 °C), 95 лет ( + 55 °C), более 200 лет ( + 35 °C)
• Рабочее напряжение источника
: от 2,7 В до 3,6 В
питания
• Низкое энергопотребление
• Диапазон рабочих температур
окружающей среды
• Корпус
: Рабочий ток источника питания 100 μА (Тип при 400 кГц)
Ток в режиме ожидания 5 μА (Тип)
: от − 40 °C до +85 °C
: 8-контактный пластмассовый SOP (FPT-8P-M02)
Соответствует RoHS
Copyright©2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2013.4
MB85RC64
■ РАЗВОДКА КОНТАКТОВ
(ВИД СВЕРХУ)
A0
1
8
VDD
A1
2
7
WP
A2
3
6
SCL
VSS
4
5
SDA
(FPT-8P-M02)
■ ФУНКЦИОНАЛЬНОЕ НАЗНАЧЕНИЕ ВЫВОДОВ
Номер
вывода
Наим.
вывода
Функциональное назначение
1 до 3
A0 до A2
Выводы адреса устройства
По одной шине данных можно подключать до 8 устройств MB85RC64.
Адреса устройств служат для идентификации каждого из этих устройств.
Выполните внешнее подключение этих выводов к контакту VDD или VSS.
Устройство работает только в том случае, если комбинация на выводах
VDD и VSS для устройства совпадает с кодом адреса устройства,
принятым через вывод SDA. При отключенном состоянии выводов,
выводы A0, A1 и A2 соединяются внутри микросхемы и их уровни
идентифицируются как уровень “Н”.
4
VSS
Вывод заземления
SDA
Контакт последовательного ввода/вывода данных
Это контакт ввода/вывода данных для выполнения двусторонней
передачи адреса памяти и чтения или записи данных. Существует
возможность подключения нескольких устройств. Это выход с открытым
стоком, поэтому во внешней схеме к нему должен быть подключен
нагрузочный резистор.
SCL
Вывод последовательного таймера
Это входной контакт таймера для ввода/вывода синхроимпульсов
последовательных данных. Данные считываются по нарастающему
фронту синхроимпульса и выводятся по спадающему фронту.
7
WP
Вывод защиты от записи
Когда вывод защиты от записи имеет уровень “В”, операция записи
отключается. Когда вывод защиты от записи имеет уровень “Н”, возможна
перезапись данных во всем диапазоне памяти. Операция чтения доступна
всегда, независимо от входного уровня вывода защиты от записи. Вывод
защиты от записи соединен внутри микросхемы с выводом VSS, это
состояние распознается как уровень “Н” (запись разрешена), если вывод
защиты от записи отключен.
8
VDD
Вывод напряжения питания
5
6
2
DS05–13109–8R
MB85RC64
■ БЛОК-СХЕМА
SCL
WP
Декодер строк
Счетчик адреса
Последовательный/
параллельный преобразователь
Управляющая логика
SDA
Массив FRAM
8192 × 8
Декодер столбцов/Усил.
чтения/Усил. записи
A0, A1, A2
■ I2C (Взаимно-интегрированная цепь)
Микросхема MB85RC64 имеет двухпроводный последовательный интерфейс, шину I2C, и работает
в качестве ведомого устройства.
Шина I2C задает роли “ведущего” и “ведомого” устройств при обмене информацией, при этом ведущее
устройство имеет право инициировать управление процессом связи. Кроме того, связь по шине I2C
возможна в том случае, когда одно ведущее устройство подключено к нескольким ведомым
устройствам в параллельной конфигурации. В этом случае ведомому устройству нужно присваивать
уникальный адрес устройства; ведущее устройство начинает передачу данных после определения
ведомого устройства для передачи по адресу.
• Пример конфигурации системы по интерфейсу I2C
VDD
Нагрузочн.
резисторы
SCL
SDA
Шина I2C
Ведущее
Шина I2C
MB85RC64
Шина I2C
MB85RC64
Шина I2C
MB85RC64
A2
0
A2
0
A2
0
A1
0
A0
0
A1
0
A0
1
A1
1
...
A0
0
Адрес устройства
DS05–13109–8R
3
MB85RC64
■ ПРОТОКОЛ СВЯЗИ I2C
Шина I2C представляет собой двухпроводный последовательный интерфейс, использующий
двустороннюю шину данных (SDA) и последовательный таймер (SCL). Передача данных может быть
инициирована только ведущим устройством, которое также обеспечивает последовательный таймер
для синхронизации. Сигнал SDA должен измениться при уровне “Н” сигнала SCL. Однако, как
исключение, при запуске и остановке последовательности передачи данных, сигнал SDA может
изменяться при уровне “В” сигнала SCL.
• Условие запуска
Для запуска операций чтения или записи по шине I2C следует переключить вход SDA с уровня “В” на
уровень “Н”, пока вход SCL находится в состоянии “В”.
• Условие останова
Для остановки передачи данных по шине I2C следует переключить вход SDA с уровня “Н” на уровень
“В”, пока вход SCL находится в состоянии “В”. Ввод условия останова при операции чтения
останавливает процесс чтения и осуществляет переход в состояние ожидания. Ввод условия
останова при операции записи останавливает ввод данных перезаписи и осуществляет переход в
состояние ожидания.
• Условие запуска, Условие останова
SCL
SDA
“В” или “Н”
Запуск
Останов
Примечание : Устройство FRAM не требует программируемого времени ожидания (tWC) во время
операции записи после появления Условия останова на входе.
4
DS05–13109–8R
MB85RC64
■ ПОДТВЕРЖДЕНИЕ (ACK)
По шине I2C последовательные данные, в том числе адрес или информация, содержащаяся в памяти,
передаются порциями по 8 бит. Сигнал подтверждения показывает, что каждые 8 бит данных успешно
отправлены и получены. Приемник выдает на выходе уровень “Н” по каждому 9-му синхроимпульсу
SCL после успешной передачи и получения очередных 8 бит. Со стороны передатчика шина временно
переключается в Z-состояние по каждому такому 9-му синхроимпульсу, что позволяет принять и
проверить сигнал подтверждения. В течение этого Z-состояния передатчика приемник устанавливает
SDA-линию на уровень “Н”, что подтверждает успешный прием предшествующих переданных 8 бит.
Если ведомое устройство получает Условие останова перед передачей или получением сигнала ACK
по уровню “Н”, ведомое устройство останавливается и переходит в состояние ожидания. С другой
стороны, ведомое устройство выполняет разблокировку состояния шины после отправки или
получения сигнала NACK уровня “В”. В разблокированном состоянии шины ведущее устройство
генерирует Условие останова или Условие запуска.
• Временная диаграмма процесса подтверждения
1
SCL
2
3
8
SDA
9
ACK
Запуск
DS05–13109–8R
Передатчик должен всегда сбрасывать SDA по 9-му биту.
В это время приемник выдает низкий уровень на выходе,
если предыдущие 8 бит данных получены правильно
(ответ ACK).
5
MB85RC64
■ СЛОВО АДРЕСА УСТРОЙСТВА (адрес ведомого устройства)
После получения условия запуска, ведущее устройство посылает 8-разрядное слово адреса
устройства для начала связи по шине I2C. Слово адреса устройства (8 бит) состоит из кода типа
устройства (4 бита), кода адреса устройства (3 бита) и кода чтения/записи (1 бит).
• Код типа устройства (4 бита)
Старшие 4 бита слова адреса устройства представляют собой код типа устройства,
идентифицирующий тип устройства, который имеет фиксированное значение “1010” для MB85RC64.
• Код адреса устройства (3 бита)
После кода типа устройства поступают 3 бита кода адреса устройства в порядке A2, A1 и A0. Код
адреса устройства идентифицирует одно из восьми устройств, подключенных к шине.
Каждой микросхеме MB85RC64 присваивается уникальный 3-разрядный код на выводе адреса
устройства (вывод внешнего оборудования A2, A1 и A0). Ведомое устройство отвечает только в
случае, если полученный код адреса устройства совпадает с этим уникальным 3-разрядным кодом.
• Код чтения/записи (1 бит)
8-й бит слова адреса устройства представляет собой код R/W (чтения/записи). Если код R/W имеет
значение “0”, разрешается операция записи, а если код R/W имеет значение “1”, разрешается
операция считывания для MB85RC64.
Микросхема переключается в состояние ожидания, если код устройства не равен “1010”, или код
адреса устройства не совпадает со значениями на выводах A2, A1 и A0.
• Слово адреса устройства
Запуск 1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
2
..
SCL
SDA
ACK
S
1
0
1
Код устройства
0
A2
A1
A0
Код адреса
устройства
R/W
A
Код чтения/
записи
..
Выборка данных от
ведущего устройства
Выборка данных от
ведомого устройства
S Условие запуска
A ACK (“Н” уровень SDA)
6
DS05–13109–8R
MB85RC64
■ СТРУКТУРА ДАННЫХ
В шине I2C сигнал подтверждения уровня “Н” выводится ведомым устройством по 9-му биту после
передачи 8 бит слова адреса устройства, после чего ведущее устройство вводит условие запуска.
После получения сигнала подтверждения ведущим устройством, ведущее устройство выдает 8 бит
× 2 адрес памяти ведомого устройства. По завершении получения каждого адреса ведомое
устройство снова выдает сигнал подтверждения уровня “Н”. После этой операции следует ввод/
вывод данных порциями по 8 бит с выдачей сигнала подтверждения уровня “Н” после каждых 8 бит.
Код R/W определяет, какое устройство управляет линией передачи данных : ведущее или ведомое.
Однако линия синхронизации управляется ведущим устройством. Для операции записи ведомое
устройство принимает 8 бит от ведущего устройства, после чего посылает сигнал подтверждения.
Обнаружив сигнал подтверждения, ведущее устройство передает следующие 8 бит. Для операции
чтения ведомое устройство выдает 8 бит по линии передачи данных, а затем ожидает сигнала
подтверждения от ведущего устройства.
■ ПОДТВЕРЖДЕНИЕ FRAM -- ОПРОС НЕ ТРЕБУЕТСЯ
MB85RC64 выполняет операции записи с той же скоростью, что и операции чтения, поэтому
отсутствует время ожидания на ACK опрос*. Цикл записи не требует дополнительного времени.
*: В устройствах E2PROM выполняется опрос подтверждения для проверки выполнения операции
перезаписи.
По 9-му биту подтверждения можно судить, выполняется ли перезапись после ввода условия запуска,
а затем слова адреса устройства (8 бит) во время перезаписи.
■ ЗАЩИТА ОТ ЗАПИСИ (WP)
Весь массив памяти может быть защищен от записи с помощью вывода защиты от записи. Когда
вывод защиты от записи установлен в состояние “В”, весь массив памяти будет защищен от записи.
Когда вывод защиты от записи имеет состояние “Н”, возможна перезапись данных во всем массиве
памяти. Чтение возможно независимо от уровня, установленного на выводе WP (“В” или “Н”).
Примечание : Вывод защиты от записи соединен внутри микросхемы с выводом VSS, поэтому, если
вывод защиты от записи отключен, состояние вывода регистрируется как уровень “Н”
(запись разрешена).
DS05–13109–8R
7
MB85RC64
■ КОМАНДЫ
• Запись байта
Если после условия запуска отправляется слово адреса устройства (ввод сигнала R/W “0”), ведомое
устройство отвечает сигналом ACK. После этого сигнала ACK, аналогичным образом передаются
адреса и данные, и запись завершается после генерации условия останова в конце цикла.
S
Старшие
Младшие
Запись
1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A 8 бит адреса A 8 бит адреса A данных 8 бит A P
0 00XXXXX
MSB
X X X X X X XX
LSB
Выборка данных от
ведущего устройства
Выборка данных от
ведомого устройства
S Условие запуска
P Условие останова
A ACK (“Н” уровень SDA)
Примечание : В устройстве MB85RC64 вводится “000” в качестве старших 3 бит MSB.
• Запись страницы
Если после команды записи байта (кроме условия останова) непрерывно подаются дополнительные
8 бит, выполняется запись страницы. Адрес памяти возвращается к первому адресу памяти (0000H)
в конце адреса. Таким образом, если передается более 8 КБайт, происходит перезапись ранее
записанных данных, начиная с начала адресного пространства памяти. Поскольку FRAM выполняет
высокоскоростные операции записи, данные записываются в FRAM немедленно после завершения
получения ответа ACK.
S
Старшие
Младшие
Запись
Запись
1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A 8 бит адреса A 8 бит адреса A данных 8 бит A данных
...
A P
Выборка данных от
ведущего устройства
Выборка данных от
ведомого устройства
S Условие запуска
P Условие останова
A ACK (“Н” уровень SDA)
Примечание : Нет необходимости в периодах циклов внутренних операций записи из буфера в память
после генерации условия останова.
8
DS05–13109–8R
MB85RC64
• Чтение текущего адреса
При успешном завершении предыдущей операции чтения или записи вплоть до получения условия
останова, и если допускается, что последний предшествующий адрес был “n”, то адрес при “n+1”
можно прочитать, отправив следующую команду, если не отключать питание. Если адрес памяти
является последним адресом, счетчик адреса возвращается к адресу 0000H. Сразу после включения
питания текущий адрес в буфере адреса памяти становится неопределенным.
Выборка данных от
ведущего устройства
Выборка данных от
ведомого устройства
Адрес (n+1)
S
Чтение
1 0 1 0 A2 A1 A0 1 A данных 8 бит N P
S Условие запуска
P Условие останова
A
ACK (“Н” уровень SDA)
N NACK (“В” уровень SDA)
• Произвольное чтение
Можно синхронно прочитать в SCL один байт данных из адреса памяти, сохраненный в буфере адреса
памяти, указав адрес таким же образом, как и при записи, а затем задав другое условие запуска и
отправив слово адреса устройства (ввод сигнала R/W “1”).
Окончательный сигнал NACK выдается приемником, получающим данные. В данном случае этот бит
выдается ведущим устройством.
S
Старшие
Младшие
1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A 8 бит адреса A 8 бит адреса A S
Чтение
1 0 1 0 A2 A1 A0 1 A данных 8 бит N P
Выборка данных от
ведущего устройства
Выборка данных от
ведомого устройства
S Условие запуска
P Условие останова
A
ACK (“Н” уровень SDA)
N NACK (“В” уровень SDA)
DS05–13109–8R
9
MB85RC64
• Последовательное чтение
Данные можно считывать непрерывно, подав слово адреса устройства (ввод сигнала R/W “1”) после
указания адреса таким же образом, как и при произвольном чтении. Когда чтение достигает конца
адресного пространства памяти, внутренний адрес считывания автоматически возвращается к
значению 0000H, и чтение продолжается.
...
A
Чтение
Чтение
A
данных
данных 8 бит
...
A
Чтение
N P
данных 8 бит
Выборка данных от
ведущего устройства
Выборка данных от
ведомого устройства
P Условие останова
A ACK (“Н” уровень SDA)
N NACK (“В” уровень SDA)
■ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ ПРОГРАММНОГО СБРОСА ИЛИ ПОВТОР КОМАНДЫ
В случае сбоя после включения, остановки связи по шине I2C ведущим устройством или
возникновения других непредвиденных сбоев, выполните (1) последовательность программного
восстановления работы непосредственно перед выполнением команды или (2) повторите команду
непосредственно после ошибки ее выполнения.
(1) Последовательность программного сброса
Так как ведомое устройство может выводить сигналы уровня “Н”, не стоит устанавливать уровень
“В”, если ведущее устройство управляет портом SDA. Это предотвратит конфликт шин. Для
выполнения описанной здесь последовательности программного сброса дополнительное
оборудование не требуется.
9 сигналов “Условие запуска и одна логическая “1””
SCL
SDA
Z-состояние от нагрузочного резистора
Передайте сигнал “Условие запуска и одна логическая “1””.
Повторите 9 раз перед командой записи или чтения.
(2) Повтор команды
Повтор команды может быть полезным для устранения неисправности, произошедшей во время
связи по шине I2C.
10
DS05–13109–8R
MB85RC64
■ АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Параметр
Значение
Обозначение
Мин
Макс
Единица
измерения
Напряжение источника
питания*
VDD
− 0,5
+4,0
В
Входное напряжение*
VIN
− 0,5
VDD + 0,5 ( ≤ 4,0)
В
VOUT
− 0,5
VDD + 0,5 ( ≤ 4,0)
В
TA
− 40
+ 85
°C
Tstg
− 55
+ 125
°C
Выходное напряжение*
Рабочая температура
окружающей среды
Температура при хранении
*: Эти параметры приведены для условия VSS = 0 В.
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ: Полупроводниковые приборы могут быть безвозвратно повреждены вследствие
воздействий (в том числе электрического напряжения, силы тока или
температуры), превышающих абсолютные максимальные величины. Не следует
превышать эти величины.
■ РЕКОМЕНДУЕМЫЕ РАБОЧИЕ УСЛОВИЯ
Параметр
Обозначение
Значение
Мин
Тип
Макс
Единица
измерения
Напряжение источника
питания*
VDD
2,7
3,3
3,6
В
“В” уровень входного
напряжения*
VIH
VDD × 0,8
⎯
VDD + 0,5
( ≤ 4,0)
В
“Н” уровень входного
напряжения*
VIL
− 0,5
⎯
+ 0,6
В
Рабочая температура
окружающей среды
TA
− 40
⎯
+ 85
°C
*: Эти параметры приведены для условия VSS = 0 В.
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ: Для обеспечения нормальной работы полупроводникового прибора необходимо
соблюдать рекомендованные условия работы. Соблюдение указанных условий
является гарантией обеспечения всех электрические параметров прибора.
Прибор должен использоваться с соблюдением рекомендованных условий.
Использования прибора в условиях превышения установленных условий может
оказать негативное воздействие на надежность прибора. Надежность работы
может быть не обеспечена в случае использования прибора в целях, условиях,
логических комбинациях, не указанных в настоящем документе. Просим заранее
консультироваться с торговыми представителями в случае если
рассматривается использование прибора в условиях, отличных от указанных в
настоящем документе.
DS05–13109–8R
11
MB85RC64
■ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
1. Характеристики по постоянному току
(в пределах рекомендуемых рабочих условий)
Параметр
Обозначение
Условие
Ток утечки на входе
|ILI|
Ток утечки на выходе
|ILO|
Рабочий ток источника питания
Значение
Единица
Макс измерения
Мин
Тип
SCL, SDA = 0 В до VDD
⎯
⎯
1
μА
SDA = 0 В до VDD
⎯
⎯
1
μА
IDD
SCL = 400 кГц
⎯
100
150
μА
Ток в режиме ожидания
ISB
SCL, SDA = VDD
A0, A1, A2, WP = 0 В
или VDD
⎯
5
20
μА
“Н” уровень входного
напряжения
VOL
IOL = 3 мА
⎯
⎯
0,4
В
Входное сопротивление для
WP, A0, A1 и A2
RIN
VIN = VIL (Макс)
50
⎯
⎯
кΩ
VIN = VIH (Мин)
1
⎯
⎯
МΩ
2. Характеристики по переменному току
Значение
Параметр
Обозначение Стандартный режим
Быстрый режим
Мин
Макс
Мин
Макс
Единица
измерения
Частота синхронизации SCL
FSCL
0
100
0
400
кГц
Время высокого уровня
синхроимпульса
THIGH
4000
⎯
600
⎯
нс
Время низкого уровня
синхроимпульса
TLOW
4700
⎯
1300
⎯
нс
Время нарастания SCL/SDA
Tr
⎯
1000
⎯
300
нс
Время спада SCL/SDA
Tf
⎯
300
⎯
300
нс
THD:STA
4000
⎯
600
⎯
нс
Установка условия запуска
TSU:STA
4700
⎯
600
⎯
нс
Удержание на входе SDA
THD:DAT
20
⎯
20
⎯
нс
Установка на входе SDA
TSU:DAT
250
⎯
100
⎯
нс
Удержание на выходе SDA
TDH:DAT
0
⎯
0
⎯
нс
Удержание условия запуска
Установка условия останова
TSU:STO
4000
⎯
600
⎯
нс
Доступ к выходу SDA после
спада SCL
TAA
⎯
3000
⎯
900
нс
Время подготовки
TBUF
4700
⎯
1300
⎯
нс
50
нс
Время подавления помех
⎯
50
⎯
TSP
(SCL и SDA)
Характеристики по переменному току измерялись при следующих условиях.
Напряжение источника питания
: от 2,7 В до 3,6 В
Рабочая температура окружающей среды : от − 40 °C до + 85 °C
12
Амплитуда входного напряжения
: от 0,3 В до 2,7 В
Время нарастания входного импульса
: 5 нс
Время спада входного импульса
: 5 нс
Уровень измерений на входе
: VDD/2
Уровень измерений на выходе
: VDD/2
DS05–13109–8R
MB85RC64
3. Определение временных характеристик по переменному току
TSU:DAT
SCL
VIH
VIL
SDA
Запуск
THD:DAT
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
VIL
VIL
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
VIL
VIL
TSU:STA THD:STA
TSU:STO
Tr
THIGH
SCL
Останов
VIH
Tf
TLOW
VIH
VIL
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
VIH
SDA
Останов
VIH
VIL
Запуск
VIH
VIL
VIH
VIL
VIL
TBUF
Tr
T
TDH:DAT f
TAA
Tsp
VIH
SCL
VIL
VIL
VIH
SDA
VIL
Действ.
VIH
VIL
VIL
1/FSCL
4. Емкость вывода
Параметр
Значение
Обозначение
Условия
Емкость вх/вых
CI/O
Входная емкость
CIN
VDD = VIN = VOUT = 0 В,
f = 1 МГц, TA = + 25 °C
Мин
Тип
Мин
Единица
измерения
⎯
⎯
15
пФ
⎯
⎯
15
пФ
5. Схема нагрузки для испытаний по переменному току
3,3 В
1,1 кΩ
Выход
100 пФ
DS05–13109–8R
13
MB85RC64
■ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ ВКЛЮЧЕНИЯ/ОТКЛЮЧЕНИЯ ПИТАНИЯ
Если напряжение на выводе VDD падает ниже 2,0 В, для предотвращения сбоев после возобновления
питания требуется, чтобы напряжение на выводе VDD нарастало с 0 В.
tr
tpd
tpu
VDD
VDD
2,7 В
2,7 В
VIH (Мин)
VIH (Мин)
1,0 В
1,0 В
VIL (Макс)
VIL (Макс)
0В
0В
SDA, SCL
SDA, SCL >VDD × 0,8 *
SDA, SCL: Не имеет значения
SDA, SCL >VDD × 0,8 *
SDA, SCL
* : SDA, SCL (Макс) < VDD + 0,5 В
Макс
Единица
измерения
tpd
85
⎯
нс
tpu
85
⎯
нс
tr
10
⎯
μс
Обозначение
Время удержания SDA, SCL при выключении питания
Время удержания SDA, SCL при включении питания
Время нарастания напряжения источника питания
Значение
Мин
Параметр
Если устройство не работает при заданных условиях цикла чтения, цикла записи или
последовательности включения/отключения питания, сохранность данных памяти не гарантируется.
■ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАМЯТИ FRAM
Единица
измерения
Позиция
Мин
Макс
Устойчивость
чтения/записи*1
1012
⎯
Циклов/байт Рабочая температура окружающей среды TA = + 85 °C
10
⎯
Рабочая температура окружающей среды TA = + 85 °C
95
⎯
≥ 200
⎯
Сохранность
данных*2
Годы
Параметр
Рабочая температура окружающей среды TA = + 55 °C
Рабочая температура окружающей среды TA = + 35 °C
*1 : Общее количество циклов чтения и записи определяет минимальное значение устойчивости, так
как в памяти FRAM используется механизм с разрушением информации при считывании.
*2 : Минимальные значения определяют срок сохранности первых данных чтения или записи
непосредственно после поставки. Эти значения рассчитываются по результатам проверки
конкретной микросхемы.
14
DS05–13109–8R
MB85RC64
■ ПРИМЕЧАНИЯ ПО ИСПОЛЬЗОВАНИЮ
• Сохранность данных, записанных до проведения пайки ИК-нагревом, не гарантируется после пайки
ИК-нагревом.
• В течение периода доступа, от условия запуска до условия останова, на выводах WP, A0, A1 и A2
следует поддерживать уровень “В” или “Н”.
■ ESD (ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ РАЗРЯД) И ЗАПИРАНИЕ
DUT (испытуемое устройство)
Испытание
Значение
ESD для HBM (модель тела человека)
Соответствует JESD22-A114
≥ |2000 В|
ESD для MM (модель машины)
Соответствует JESD22-A115
≥ |200 В|
ESD для CDM (модель заряженного устройства)
Соответствует JESD22-C101
≥ |1000 В|
Запирание (I-испытание)
Соответствует JESD78
MB85RC64PNF-G-JNE1
Запирание (испытание перенапряжения по Vпитания)
Соответствует JESD78
⎯
⎯
Запирание (метод измерения по току)
Собственная методика
≥ |300 мА|
Запирание (метод измерения по зарядному
напряжению)
Собственная методика
⎯
• Метод испытания сопротивления запирания по току
Защитное сопротивление
A
Испытуемый
вывод
IIN
VIN
VDD
+
DUT
-
VSS
VDD
(Макс.значение)
V
Опорный вывод
Примечание : Напряжение VIN увеличивается постепенно и при достижении максимального значения
должен протекать ток IIN величиной 300 мА. Нужно убедиться, что запирание не
происходит при токе ниже IIN = ± 300 мА.
В случае предъявления особых требований к вводу/выводу, когда для тока IIN нельзя
установить значение 300 мА, напряжение необходимо увеличить до уровня, который
соответствует особым требованиям.
DS05–13109–8R
15
MB85RC64
• Метод испытания сопротивления запирания по зарядному напряжению
Защитное сопротивление
A
1
Испытуемый
вывод
2
SW
+
VIN
V
-
C
200 пФ
VDD
DUT
VDD
(Макс.значение)
VSS
Опорный вывод
Примечание : Зарядное напряжение попеременно переключается между контактами 1 и 2 с
приблизительно 2-секундным интервалом. Процесс переключения считается одним
циклом.
Этот процесс необходимо повторить 5 раз. Однако, если условие запирания происходит
до завершения 5 циклов, испытание необходимо остановить немедленно.
16
DS05–13109–8R
MB85RC64
■ УСЛОВИЯ ПАЙКИ И СРОК ХРАНЕНИЯ ПОСЛЕ РАСПАКОВКИ
Позиция
Условие
Метод
ИК (инфракрасная пайка) , Конвекция
Число повторов
2
Срок хранения после
распаковки
Условия хранения
после распаковки
До распаковки
Использовать в течение 2 лет с момента
изготовления.
С момента распаковки до 2-й пайки
В течение 8 дней
В случае превышения срока
хранения
Требуется отжиг при 125 °C+/-3 °C в
течение 24 ч +2 ч / -0 ч.
Затем использовать в течение 8 дней.
(Отжиг можно повторять до 2 раз)
Требуется температура между 5 °C и 30 °C и относ. влажность 70 %.
(В указанном темп. диапазоне предпочтительна меньшая влажность.)
Профиль пайки
260°C
255°C
Температура
плавления
170°C
до
190°C
(b)
RT
(a)
(a) Средняя скорость разогрева
(b) Разогрев и пропитка
(c) Средняя скорость разогрева
(d) Пиковая температура
(d’) Температура плавления
(e) Охлаждение
(c)
(d)
(e)
(d')
: от 1 °C/с до 4 °C/с
: от 170 °C до 190 °C, от 60 с до 180 с
: от 1 °C/с до 4 °C/с
: Температура 260 °C Макс; 255 °C в течение 10 с
: до 230 °C в течение 40 с или
до 225 °C в течение 60 с или
до 220 °C в течение 80 с
: Естественное или принудительное охлаждение
Примечание : Измеряется температура верхней поверхности корпуса.
DS05–13109–8R
17
MB85RC64
■ ВЕЩЕСТВА ОГРАНИЧЕННОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ
Данный продукт соответствует следующим нормам (по данным на ноябрь 2011 года).
• Директива RoHS на территории Евросоюза (2002/95/EC)
• Директива RoHS на территории Китая (Управление по контролю загрязнения, причиненного
электронными ИТ-продуктами (
))
• Директива RoHS на территории Вьетнама (30/2011/TT-BCT)
Вещества ограниченного пользования согласно каждой из норм указаны ниже.
Вещества
Порог
Состояние содержания*
Свинец и его соединения
1000 частей на миллион
❍
Ртуть и ее соединения
1000 частей на миллион
❍
Кадмий и его соединения
100 частей на миллион
❍
Соединения шестивалентного хрома
1000 частей на миллион
❍
Полибромдифенил (ПБД)
1000 частей на миллион
❍
Полибромдифениловые эфиры (ПБДЭ)
1000 частей на миллион
❍
* : Знак “❍” указывается для веществ, содержание которых ниже порогового.
18
DS05–13109–8R
MB85RC64
■ ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА
Корпус
Форма поставки
Минимальный
объем поставки
MB85RC64PNF-G-JNE1
8-контактный,
пластмассовый SOP
(FPT-8P-M02)
Туба
1
MB85RC64PNF-G-JNERE1
8-контактный,
пластмассовый SOP
(FPT-8P-M02)
Профильная лентаноситель
1500
Номер детали
DS05–13109–8R
19
MB85RC64
■ РАЗМЕРЫ КОРПУСА
8-контактный, пластмассовый SOP
Шаг между
выводами
1,27 мм
Ширина корпуса ×
длина корпуса
3,9 мм × 5,05 мм
Форма выводов
Gullwing
Метод герметизации
Пластиковая штамповка
Высота монтажа
1,75 мм МАКС
Масса
0,06 г
(FPT-8P-M02)
8-контактный, пластмассовый SOP
(FPT-8P-M02)
+0,25
Примечание 1)
Примечание 2)
Примечание 3)
Примечание 4)
*1 : Данные размеры включают пластиковые выступы.
*2 : Данные размеры не включают пластиковые выступы.
Ширина и толщина выводов включают толщину металлизации.
Ширина выводов не включает остаток от обрезки поперечных
соединений.
+0,010
*1 5,05 –0,20 0,199 –0,008
0,22
+0,03
–0,07
+0,001
0,009 –0,003
8
5
*2 3,90±0,30
6,00±0,20
(0,154±0,012) (0,236±0,008)
Подробности для детали «А»
45°
1,55±0,20
(Высота монтажа)
(0,061±0,008)
0,25(0,010)
0,40(0,016)
“A”
14
1,27(0,050)
0,44±0,08
(0,017±0,003)
0,13(0,005) M
0~8°
0,50±0,20
(0,020±0,008)
0,60±0,15
(0,024±0,006)
0,15±0,10
(0,006±0,004)
(Тупик)
0,10(0,004)
© 2002-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08004S-c-5-10
Размеры в мм (дюймах).
Примечание: Значения в скобках приведены для справки.
Проверить последнюю информацию по размерам корпуса можно по следующей ссылке:
http://edevice.fujitsu.com/package/en-search/
20
DS05–13109–8R
MB85RC64
■ МАРКИРОВКА
[MB85RC64PNF-G-JNE1]
[MB85RC64PNF-G-JNERE1]
RC64
E11000
300
[FPT-8P-M02]
DS05–13109–8R
21
MB85RC64
■ ИНФОРМАЦИЯ ОБ УПАКОВКЕ
1. Туба
1.1 Размеры тубы
• Форма тубы/заглушки
Туба
Прозрачный полиэтилентерефталат
(обработано антистатиком)
Заглушка
(обработано антистатиком)
Длина тубы : 520 мм
Сечения тубы и максимальное количество
Макс. количество
Форма корпуса
SOP, 8, пластмассовый (2)
Код корпуса
FPT-8P-M02
шт./туб.
шт./
внутр.кор.
шт./
внеш.кор.
95
7600
30400
1,8
2,6
7,4
6,4
4,4
©2006-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
©F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-3
2006 FUJITSU LIMITED F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-1
t = 0,5
Прозрачный полиэтилентерефталат
(Размеры в мм)
22
DS05–13109–8R
MB85RC64
1.2 Спецификации жесткой упаковки тубы
Микросхема
Туба
Заглушка
Для SOP
Метка
Этикетка I *1*3
Алюминиевый ламинированный пакет
Жесткая
упаковка
Термошов
Сиккатив
Гигрометр
Алюминиевый ламинированный пакет
(внутри находятся тубы)
Внутренняя
коробка
Подкладка
Внутренняя коробка
Этикетка I
*1*3
Подкладка
Внешняя
коробка
Внешняя коробка*2
Используйте клейкую ленту.
Этикетка II-A *3
Этикетка II-B *3
*1: Если номер детали продукта указывается с суффиксом “E1”, знаки “ G
обозначения наличия влагозащитного пакета и внутренних коробок.
Pb
” используются для
*2: Свободное пространство внешней коробки заполняется пустыми внутренними коробками,
смягчающими подкладками и т.д.
*3: См. прилагаемый лист с информацией об идентификационных этикетках.
Примечание : Спецификации упаковки могут отличаться от указанных выше, если продукт поставляется
через дистрибьютора.
DS05–13109–8R
23
MB85RC64
1.3 Идентификационные этикетки продукта
Этикетка I : Этикетка на внутренней коробке и влагозащитном пакете (клеится на бобину
для профильной ленты)
[Этикетка C-3 (50 мм × 100 мм), вспомогательная этикетка (20 мм × 100 мм)]
XXXXXXXXXXXXXX
(Customer part number or FJ part number)
Этикетка C-3
(LEAD FREE mark)
(3N)1 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(Part number and quantity)
QC PASS
(3N)2 XXXXXXXXXX XXXXXX
(FJ control number)
XXX pcs
XXXXXXXXXXXXXX
(Quantity)
(Customer part number or FJ part number)
(Customer part number or FJ part number
bar code)
XXXX/XX/XX (Packed years/month/day) ASSEMBLED IN xxxx
XXXXXXXXXXXXXX (Customer part number or FJ part number)
(FJ control number bar code)
XX/XX
XXXX-XXX XXX
(Package count)
XXXX-XXX XXX
XXXXXXXXXX (FJ control number ) (Lot Number and quantity)
XXXXXXXXXXXXXX (Comment)
Перфорация
Вспомогательная
этикетка
Этикетка II-A : Этикетка на внешней коробке [Этикетка D] (100 мм × 100 мм)
Этикетка D
XXXXXXXXXXXXX (Customer Name)
(CUST.)
XXXXXXXXX (Delivery Address)
(DELIVERY POINT)
XXXXXXXXXXXXXX
(TRANS.NO.) (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(PART NO.)
(Customer part number or
FJ part number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(Part number)
(PART NAME) XXXXXXXXXXXXXX (Part number)
XXX/XXX
(Q’TY/TOTAL Q’TY)
(CUSTOMER'S
REMARKS)
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
(3N)3 XXXXXXXXXXXXXX XXX
XX
(UNIT)
(PACKAGE COUNT)
XXX/XXX
(3N)4 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(FJ control number + Product quantity)
(FJ control number + Product quantity
bar code)
(Part number + Product quantity)
(3N)5 XXXXXXXXXX
(FJ control number)
(Part number + Product quantity bar code)
(FJ control number bar code)
Этикетка II-B : Идентификация на внешней коробке продукта
XXXXXXXXXXXXXX
(Lot Number)
XXXX-XXX
XXXX-XXX
(Part number)
(Count)
X
X
(Quantity)
XXX
XXX
XXX
Примечание : В зависимости от типа поставки, “Этикетка II-A” и “Этикетка II-B” на внешних коробках
могут не печататься.
24
DS05–13109–8R
MB85RC64
1.4 Размеры тары
(1) Размеры внутренней коробки
В
Ш
Д
Д
Ш
В
540
125
75
(Размеры в мм)
(2) Размеры внешней коробки
В
Ш
Д
Д
Ш
В
565
270
180
(Размеры в мм)
DS05–13109–8R
25
MB85RC64
2. Профильная лента
2.1 Размеры ленты
Код корп.
№ бобины
Максимальная вместимость тары
шт./боб.
FPT-8P-M02
3
шт./внутр.кор. шт./внеш.кор.
1500
1500
10500
ø1.5 +0.1
–0
8±0.1
1.75±0.1
2±0.05
4±0.1
B
0.3±0.05
A
B
A
5.5±0.1
12 +0.3
–0.1
5.5±0.05
ø1.5 +0.1
–0
SEC.B-B
2.1±0.1
6.4±0.1
0.4
3.9±0.2
SEC.A-A
C
2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED SOL8-EMBOSSTAPE9 : NFME-EMB-X0084-1-P-1
(Размеры в мм)
Материал: проводящий полистирол
Температура жаростойкости: нежаростойкая.
Корпус нельзя отжигать при
наличии ленты и бобины.
26
DS05–13109–8R
MB85RC64
2.2 Ориентация микросхем
Метка
• Тип ER
(Пользовательское направление подачи)
(Сторона бобины)
(Пользовательское
направление подачи)
2.3 Размеры бобины
Размеры вырезов бобины
E
∗
D
C
B
A
W1
W2
r
W3
*: Размеры втулки по ширине
№ бобины
1
2
3
4
5
6
7
Ширина ленты
8
12
16
24
Обозначение
A
254 ± 2 254 ± 2 330 ± 2 254 ± 2 330 ± 2 254 ± 2 330 ± 2
9
32
10
11
44
12
13
56
12
Размеры в мм
14
15
16
150 +2
-0
100 +2
-0
150 +2
-0
100 +2
-0
100 ± 2
C
13 ± 0,2
13 +0,5
-0,2
D
21 ± 0,8
20,5 +1
-0,2
E
24
330 ± 2
100 +2
-0
100 +2
-0
B
8
2 ± 0,5
W1
8,4 +2
-0
12,4 +2
-0
16,4 +2
-0
24,4 +2
-0
32,4 +2
-0
44,4 +2
-0
W2
W3
менее
14,4
менее 18,4
менее 22,4
менее 30,4
менее 38,4
менее 50,4
менее
62,4
менее
18,4
менее
22,4
менее
30,4
7,9 ~ 10,9
11,9 ~ 15,4
15,9 ~ 19,4
23,9 ~ 27,4
31,9 ~ 35,4
43,9 ~ 47,4
55,9 ~
59,4
12,4 ~
14,4
16,4 ~
18,4
24,4 ~
26,4
r
DS05–13109–8R
+0,1
56,4 +2
12,4 +1
16,4 +1
-0
-0
-0 24,4 -0
1,0
27
MB85RC64
2.4 Спецификации жесткой упаковки ленты (бобина φ330 мм)
Внешний диаметр: φ 330 мм бобина
Этикетка I *1, *4
Профильные
ленты
Этикетка I *1, *4
Сиккатив
Гигрометр
Жесткая
упаковка
Алюминиевый ламинированный пакет
Этикетка I *1, *4
Термошов
Внутренняя
коробка
Внутренняя коробка
Этикетка I *1, *4
Лента
Внешняя коробка *2, *3
Внешняя
коробка
Используйте клейкую ленту.
Этикетка II-A *4
Этикетка II-B *4
*1: Если номер детали продукта указывается с суффиксом “E1”, знаки “ G
обозначения наличия влагозащитного пакета и внутренних коробок.
Pb
” используются для
*2: Размер внешней коробки зависит от количества внутренних коробок.
*3: Свободное пространство внешней коробки заполняется пустыми внутренними коробками,
смягчающими подкладками и т.д.
*4: См. прилагаемый лист с информацией об идентификационных этикетках.
Примечание : Спецификации упаковки могут отличаться от указанных выше, если продукт поставляется
через дистрибьютора.
28
DS05–13109–8R
MB85RC64
2.5 Идентификационные этикетки продукта
Этикетка I : Этикетка на внутренней коробке и влагозащитном пакете (клеится на бобину
для профильной ленты)
[Этикетка C-3 (50 мм × 100 мм), вспомогательная этикетка (20 мм × 100 мм)]
XXXXXXXXXXXXXX
(Customer part number or FJ part number)
Этикетка C-3
(LEAD FREE mark)
(3N)1 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(Part number and quantity)
QC PASS
(3N)2 XXXXXXXXXX XXXXXX
(FJ control number)
XXX pcs
XXXXXXXXXXXXXX
(Quantity)
(Customer part number or FJ part number)
(Customer part number or FJ part number
bar code)
XXXX/XX/XX (Packed years/month/day) ASSEMBLED IN xxxx
XXXXXXXXXXXXXX (Customer part number or FJ part number)
(FJ control number bar code)
XX/XX
XXXX-XXX XXX
(Package count)
XXXX-XXX XXX
XXXXXXXXXX (FJ control number ) (Lot Number and quantity)
XXXXXXXXXXXXXX (Comment)
Перфорация
Вспомогательная
этикетка
Этикетка II-A : Этикетка на внешней коробке [Этикетка D] (100 мм × 100 мм)
Этикетка D
XXXXXXXXXXXXX (Customer Name)
(CUST.)
XXXXXXXXX (Delivery Address)
(DELIVERY POINT)
XXXXXXXXXXXXXX
(TRANS.NO.) (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(PART NO.)
(Customer part number or
FJ part number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(Part number)
(PART NAME) XXXXXXXXXXXXXX (Part number)
XXX/XXX
(Q’TY/TOTAL Q’TY)
(CUSTOMER'S
REMARKS)
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
(3N)3 XXXXXXXXXXXXXX XXX
XX
(UNIT)
(PACKAGE COUNT)
XXX/XXX
(3N)4 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(FJ control number + Product quantity)
(FJ control number + Product quantity
bar code)
(Part number + Product quantity)
(3N)5 XXXXXXXXXX
(FJ control number)
(Part number + Product quantity bar code)
(FJ control number bar code)
Этикетка II-B : Идентификация на внешней коробке продукта
XXXXXXXXXXXXXX
(Lot Number)
XXXX-XXX
XXXX-XXX
(Part number)
(Count)
X
X
(Quantity)
XXX
XXX
XXX
Примечание : В зависимости от типа поставки, “Этикетка II-A” и “Этикетка II-B” на внешних коробках
могут не печататься.
DS05–13109–8R
29
MB85RC64
2.6 Размеры тары
(1) Размеры внутренней коробки
В
Ш
Д
Ширина ленты
Д
Ш
В
12, 16
24, 32
44
40
365
50
345
65
56
75
(Размеры в мм)
(2) Размеры внешней коробки
В
Ш
Д
Д
Ш
В
415
400
315
(Размеры в мм)
30
DS05–13109–8R
MB85RC64
ДЛЯ
ЗАМЕТОК
DS05–13109–8R
31
MB85RC64
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
Nomura Fudosan Shin-yokohama Bldg. 10-23, Shin-yokohama 2-Chome,
Kohoku-ku Yokohama Kanagawa 222-0033, Japan
Tel: +81-45-415-5858
http://jp.fujitsu.com/fsl/en/
Для получения дополнительной информации обращайтесь:
North and South America
FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA, INC.
1250 E. Arques Avenue, M/S 333
Sunnyvale, CA 94085-5401, U.S.A.
Tel: +1-408-737-5600 Fax: +1-408-737-5999
http://us.fujitsu.com/micro/
Asia Pacific
FUJITSU SEMICONDUCTOR ASIA PTE. LTD.
151 Lorong Chuan,
#05-08 New Tech Park 556741 Singapore
Tel : +65-6281-0770 Fax : +65-6281-0220
http://sg.fujitsu.com/semiconductor/
Europe
FUJITSU SEMICONDUCTOR EUROPE GmbH
Pittlerstrasse 47, 63225 Langen, Germany
Tel: +49-6103-690-0 Fax: +49-6103-690-122
http://emea.fujitsu.com/semiconductor/
FUJITSU SEMICONDUCTOR SHANGHAI CO., LTD.
30F, Kerry Parkside, 1155 Fang Dian Road, Pudong District,
Shanghai 201204, China
Tel : +86-21-6146-3688 Fax : +86-21-6146-3660
http://cn.fujitsu.com/fss/
Korea
FUJITSU SEMICONDUCTOR KOREA LTD.
902 Kosmo Tower Building, 1002 Daechi-Dong,
Gangnam-Gu, Seoul 135-280, Republic of Korea
Tel: +82-2-3484-7100 Fax: +82-2-3484-7111
http://kr.fujitsu.com/fsk/
FUJITSU SEMICONDUCTOR PACIFIC ASIA LTD.
2/F, Green 18 Building, Hong Kong Science Park,
Shatin, N.T., Hong Kong
Tel : +852-2736-3232 Fax : +852-2314-4207
http://cn.fujitsu.com/fsp/
Спецификации могут изменяться без предварительного уведомления. Для получения дополнительной информации
обращайтесь в соответствующие отделения Компании.
Все права сохранены.
Компания FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED, ее дочерние и аффилированные компании (совместно именуемые FUJITSU SEMICONDUCTOR)
оставляет за собой право без уведомления вносить изменения в информацию, содержащуюся в этом документе. Просим связаться с торговым
представителем FUJITSU SEMICONDUCTOR перед тем как заказывать приборы производства FUJITSU SEMICONDUCTOR.
Информация, содержащаяся в этом документе, в том числе описание функций и примеры цепей, приведены исключительно для сведения в отношении
примеров функционирования и применения приборов производства FUJITSU SEMICONDUCTOR. FUJITSU SEMICONDUCTOR не принимает на себя
никаких гарантий, ни явных, ни подразумеваемых, в отношении этой информации, включая, но не ограничиваясь гарантии качества, точности, работы,
нормального функционирования прибора, а также ненарушения прав третьих лиц. В случае разработки на основе указанной информации оборудования или
продукции, в которой используется прибор FUJITSU SEMICONDUCTOR, пользователь несет полную ответственность в связи с использованием указанной
информации. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственности за любой ущерб, возникший в результате или в связи с указанной
информацией или ее использованием.
Информация, содержащаяся в этом документе, в том числе общие сведения о работе и примеры электрических схем, описывает обычную работу и методы
использования полупроводниковых приборов, и не гарантирует работы в оборудовании, используемом на практике. Лица, использующие указанную
информацию при проектировании аппаратуры, несут самостоятельную ответственность за использование указанной информации. FUJITSU
SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственность за любой ущерб, причиненный вследствие использования указанной информации.
Настоящий документ не может рассматриваться как предоставляющий право пользования или реализации в отношении принадлежащих FUJITSU
SEMICONDUCTOR или третьим лицам патентных прав, авторских прав, других прав на результаты интеллектуальной деятельности и иных прав в
отношении продукции, указанной в настоящем документе, а также технической информации, включающей в себя общие сведения о работе и изображения
электрических схем. Кроме того, FUJITSU SEMICONDUCTOR не предоставляет гарантий возможности пользования правами на результаты
интеллектуальной деятельности и другими правами, принадлежащими третьим лицам. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет ответственности за
нарушение прав на результаты интеллектуальной деятельности и других прав третьих лиц, вследствие использования настоящего документа.
Продукция, указанная в настоящем документе разработана и изготовлена для обычного промышленного использования, использования в обычном
делопроизводстве, для личного и семейного использования и другого обычного использования. Указанная продукция не предназначена для использования
в целях, требующих крайне высокую степень безопасности, связанных с серьезным непосредственным риском для жизни и здоровья людей в случае
необеспечения указанной степени безопасности (например, управление ядерной реакцией на объектах атомной энергетики, управления полетами
летательных аппаратов, управления воздушным движением, управления системами крупнотоннажных грузовых перевозок, медицинское оборудование для
поддержания жизнедеятельности, управление пуском ракет в системах военного назначения и т. д. ), а также в целях, требующих крайне высокую степень
надежности (например, подводные ретрансляторы, космические спутники и т. д.). Просим обращаться в торговые представительства FUJITSU
SEMICONDUCTOR в случае, если рассматривается возможность использования нашей продукции в указанных выше целях. FUJITSU SEMICONDUCTOR
не несет никакой ответственности за любой ущерб, возникший при использования нашей продукции без предварительной консультации с нами.
В полупроводниковых приборах имеется некоторая степень вероятности поломки или сбоя в работе. При использовании продукции FUJITSU
SEMICONDUCTOR, в том числе продукции, указанной в настоящем документе, пользователь несет самостоятельную ответственность за обеспечение
безопасности, в том числе путем использования резервных систем, пожаробезопасности, защиты от перепадов напряжения, защиты от ошибок, с тем, чтобы
даже в случае возникновения поломки или сбоя в работе полупроводниковой аппаратуры производства FUJITSU SEMICONDUCTOR не причинялось вреда
жизни и здоровью, не возникало техногенных инцидентов, инцидентов, представляющих общественную угрозу.
Продукция, указанная в настоящем документе, а также техническая информация, содержащаяся в настоящем документе, подпадают под действие Закона
Японии о валютном регулировании и контроле над внешней торговлей, и могут подпадать под действие законодательства о регулировании экспорта и
импорта США и других стран. Вы несете ответственность за соблюдение законодательства об экспорте и реэкспорте продукции и технической информации,
указанной в настоящем документе.
Все фирменные наименования, названия товарных брендов и зарегистрированные товарные знаки принадлежат соответствующим правообладателям.
Подготовлено к печати: Отделом стимулирования сбыта