桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM8810 Dual N-channel 20V, TSSOP-8 MOSFET 双 NN-溝道場效應管 ▉Features 特點 Low on-resistance and maximum DC current capability 低導通電阻和最大直流電流能力 Super high density cell design 超高元胞密度設計 RDS(ON)<20mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)<23mΩ@VGS=2.5V ▉Applications 應用 Power Management in Note book 筆記本電源管理 Portable Equipment 便攜式設備 Battery Powered System 電池電源系統 DC/DC Converter 直流/直流变换 Load Switch 負載開關應用 ▉Internal Schematic Diagram 內部結構 ▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BVDSS 20 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +8 V Drain Current (continuous)漏極電流-連續 ID 7 A Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲 IDM 25 A Total Device Dissipation 總耗散功率 PTOT(at TC = 25°C) (at TC = 70°C) 1.5 1 W Thermal Resistance Junction-Ambient 熱阻 RΘJA 83 ℃/W Junction/Storage Temperature 結溫/儲存溫度 TJ,Tstg -55~150 ℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM8810 ▉Electerical Characteristics 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID =250uA,VGS=0V) BVDSS 20 — — V VGS(th) 0.4 — 1.1 V IDSS — — 1 uA IGSS — — +10 uA RDS(ON) — 16 18 20 23 mΩ VSD — — 1 V Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID =250uA,VGS= VDS) Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= 20V) Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+8V, VDS=0V) Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID=7A,VGS=4.5V) (ID=6.5A,VGS=2.5V) Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(ISD=1A,VGS=0V) Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS=10V,f=1MHz) Common Source Output Capacitance 共源輸出電容(VGS=0V, VDS=10V,f=1MHz) CISS — 1295 — pF COSS — 160 — pF Reverse Transfer Capacitance 反向传輸電容 (VGS=0V, VDS=10V,f=1MHz) CRSS — 87 — pF Qgs — 4.2 — nC Qgd — 2.6 — nC td(on) — 280 — ns Gate Source Charge 栅源電荷密度 (VDS=10V, ID=7A, VGS=4.5V) Gate Drain Charge 栅漏電荷密度 (VDS=10V, ID=7A, VGS=4.5V) Turn-On Delay Time 開启延迟時間 (VDS=10V, ID=1A, RGEN=3Ω,VGS=4.5V) Turn-On Rise Time 開启上升時間 (VDS=10V, ID=1A, RGEN=3Ω,VGS=4.5V) Turn-Off Delay Time 關断延迟時間 (VDS=10V, ID=1A, RGEN=3Ω,VGS=4.5V) tr — 328 — ns td(off) — 3760 — ns Turn-On Fall Time 開启下降時間 (VDS=10V, ID=1A, RGEN=3Ω,VGS=4.5V) tf — 2240 — ns 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM8810 ■DIMENSION 外形封裝尺寸