桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM1216 P-channel 12V, DFN2*2-6 MOSFET P-溝道場效應管 ▉Features 特點 Low gate charge 低柵極電荷密度 Advanced trench technology 優秀溝槽技術 Backside heat sink 背面熱沈 RDS(ON)<16mΩ@VGS=-4.5V RDS(ON)<19mΩ@VGS=-2.5V ▉Applications 應用 Load Switch 負載開關 PWM 脈寬調制應用 Power Management 電源管理 ▉Internal Schematic Diagram 內部結構 ▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 额定值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BVDSS -12 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +12 V Drain Current (continuous)漏極電流-連續 ID -16 A Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲 IDM -65 A Total Device Dissipation 總耗散功率 PTOT(at TC = 25°C) 18 W Thermal Resistance Junction to Case 熱阻 RΘJC 6.9 ℃/W Junction/Storage Temperature 結溫/儲存溫度 TJ,Tstg -55~150 ℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM1216 ▉Electrical Characteristics 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol Min 符號 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID =-250uA,VGS=0V) BVDSS -12 — — V VGS(th) -0.4 — -1 V IDSS — — -1 uA IGSS — — +100 nA RDS(ON) — 11 13 16 19 mΩ Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(ISD=-8A,VGS=0V) VSD — — -1.2 V Forward Transfer Admittance 正向傳輸導納(VDS=-5V,ID=-6.7A) gFS 20 — — S CISS — 2650 — pF COSS — 670 — pF CRSS — 590 — pF Qgs — 5 — nC Qgd — 10 — nC Turn-On Delay Time 開启延迟時間 (VDS=-10V, ID=-1A, RGEN=10Ω,VGS=-4.5V) td(on) — 11 — ns Turn-On Rise Time 開启上升時間 (VDS=-10V, ID=-1A, RGEN=10Ω,VGS=-4.5V) Turn-Off Delay Time 關断延迟時間 (VDS=-10V, ID=-1A, RGEN=10Ω,VGS=-4.5V) Turn-On Fall Time 開启下降時間 (VDS=-10V, ID=-1A, RGEN=10Ω,VGS=-4.5V) tr — 35 — ns td(off) — 30 — ns tf — 10 — ns Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID =-250uA,VGS= VDS) Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= -12V) Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+10V, VDS=0V) Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID=-6.7A,VGS=-4.5V) (ID=-6.2A,VGS=-2.5V) Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS=-10V,f=1MHz) Common Source Output Capacitance 共源輸出電容(VGS=0V, VDS=-10V,f=1MHz) Reverse Transfer Capacitance 反 向 传 輸 電 容 (VGS=0V, VDS=-10V,f=1MHz) Gate Source Charge 栅源電荷密度 (VDS=-6V, ID=-10A, VGS=-4.5V) Gate Drain Charge 栅漏電荷密度 (VDS=-6V, ID=-10A, VGS=-4.5V) 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM1216 ■DIMENSION 外形封裝尺寸