桂林斯壯微電子有限責任公司

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBT4403(销售型號 MMBT4403)
■FEATURES 特點
PNP Switching Transistor
■MAXIMUM RATINGS
最大額定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Rating 額定值
Unit 單位
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
VCEO
-40
Vdc
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
VCBO
-40
Vdc
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
VEBO
-5.0
Vdc
Ic
-600
mAdc
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性
Characteristic 特性參數
Total Device Dissipation 總耗散功率
FR-5 Board(1)
TA=25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Total Device Dissipation 總耗散功率
Alumina Substrate, 氧化鋁襯底(2)
TA=25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Symbol 符號
Max 最大值
Unit 單位
PD
225
mW
1.8
mW/℃
300
mW
2.4
mW/℃
417
℃/W
PD
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
RΘJA
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
TJ,Tstg
■DEVICE
MARKING 打標
BT
4403(销售型號 MMBT4403)=2T
GM
GMBT
BT4403
150℃, -55to+150℃
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GMBT4403(销售型號 MMBT4403)
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25
=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃))
■OFF CHARACTERISTICS 截止電特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
Collector-Emitter Breakdown Voltage(3)
集電極-發射極擊穿電壓(Ic=-1.0mAdc,IB=0)
V(BR)CEO
-40
—
Vdc
V(BR)CBO
-40
__
Vdc
V(BR)EBO
-5.0
—
Vdc
IBEV
—
-0.1
uAdc
ICEX
—
-0.1
uAdc
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極基極擊穿電壓(Ic=-0.1mAdc,IE=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極基極擊穿電壓(IE=-0.1mAdc,Ic=0)
Base Cutoff Current 基極截止電流
(VCE=-35Vdc, VEB=-0.4Vdc)
Collector Cutoff Current 集電極截止電流
(VCE=-35Vdc, VEB=-0.4Vdc)
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
3. Pulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%.
■
ON CHARCTERISTICS 導通電特性
Characteristic
特性參數
DC Current Gain 直流電流增益
(Ic=-0.1mAdc,VCE=-1.0Vdc)
(Ic=-1.0mAdc,VCE=-1.0Vdc)
(Ic=-10mAdc,VCE=-1.0Vdc)
(Ic=-150mAdc,VCE=-2.0Vdc)(3)
(Ic=-500mAdc,VCE=-2.0Vdc)(3)
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
(Ic=-150mAdc, IB=-15mAdc)
(Ic=-500mAdc, IB=-50mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極飽和壓降
(Ic=-150mAdc, IB=-15mAdc)
(Ic=-500mAdc, IB=-50mAdc)
HFE
VCE(sat)
VBE(sat)
—
30
60
100
100
20
—
—
—
300
—
—
—
-0.4
-0.75
-0.75
—
-0.95
-1.3
Vdc
Vdc
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■SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
Current-Gain-Bandwidth Product
電流增益帶寬乘積
(Ic=-20mAdc,VCE=-10Vdc,f=100MHz)
fT
200
—
MHz
Collector-Base Capacitance 集電極基極電容
(VCB=-10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)
Ccb
—
8.5
pF
Emitter-Base Capacitance 發射極基極電容
(VBE=-0.5Vdc, IC=0, f=1.0MHz)
Ceb
—
30
pF
Intput Impedance 輸入阻抗
(Ic=-1.0mAdc,VCE=-10Vdc,f=1.0kHz)
hie
1.5
15
kQ
Voltage Feedback Radio 電壓反饋係數
(Ic=-1.0mAdc,VCE=-10Vdc,f=1.0kHz)
hre
0.1
8.0
×10
Small-Signal Current Gain 小信號電流增益
(Ic=-1.0mAdc,VCE=-10Vdc,f=1.0kHz)
hfe
60
500
—
Output Admittance 輸出導納
(Ic=-1.0mAdc,VCE=-10Vdc,f=1.0kHz)
hoe
1.0
100
μmhos
td
—
15
-4
■SWITCHING CHARACTERISTICS 開關特性
Delay Time
延遲時間
Rise Time
上升時間
Storage Time
儲存時間
Fall Time
下降時間
(Vcc=-30Vdc,VEB=-2.0Vdc
Ic=-150mAdc,IB1=-15mAdc)
(Vcc=-30Vdc,Ic=-150mAdc,
IB1=IB2=-15mAdc)
ns
tr
—
20
ts
—
225
ns
tf
—
30
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■DIMENSION 外形封裝尺寸
單位(UNIT):mm