桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMS2301 SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors) P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs P 沟道增强型 MOS 场效应管 ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BVDSS -20 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +8 V Drain Current (continuous) 漏極電流-連續 ID -2.3 A Drain Current (pulsed) 漏極電流-脉冲 IDM -10 A Total Device Dissipation 總耗散功率 TA=25℃環境溫度爲 25℃ PD 450 mW Junction 結溫 TJ 150 ℃ Storage Temperature 儲存溫度 Tstg -55to+150 ℃ ■DEVICE MARKING 打標 S2301 =A1 GMS2301 GM S2301= 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMS2301 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID = -250uA,VGS=0V) BVDSS -20 — — V Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID = -250uA,VGS= VDS) VGS(th) -0.5 — -1.5 V Drain-Source On Voltage 漏極-源極導通電壓(ID= -50mA,VGS= -5V) (ID = -500mA,VGS= -10V) VDS(ON) — — -0.375 -3.75 V Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(IS= -0.75A,VGS=0V) VSD — — -1.2 V Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= -16V) (VGS=0V, VDS= -16V, TA=55℃) IDSS — — -1 -10 uA Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+8V, VDS=0V) IGSS — — +100 nA RDS(ON) — — 0.15 0.22 Ω Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS= -6V,f=1MHz) CISS — — 880 pF Common Source Output Capacitance 共源輸出電容(VGS=0V, VDS= -6V,f=1MHz) COSS — — 270 pF Turn-ON Time 开启時間 (VDS= -6V, ID= -1A, RGEN=6Ω) t(on) — — 20 ns Turn-OFF Time 关断時間 (VDS= -6V, ID= -1A, RGEN=6Ω) t(off) — — 65 ns Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID=2.6A,VGS=4.5V) (ID=1A,VGS=2.5V) Pulse Width<300μs; Duty Cycle<2.0% 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMS2301 ■DIMENSION 外形封裝尺寸