桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. 2SA1036 ■FEATURES 特點 PNP Low Frequency Power Amplifier 低頻功率放大 ■最大額定值(Ta=25℃) CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO -40 Vdc Collect-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO -32 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO -5.0 Vdc Collector Current 集電極電流 Ic -500 mAdc Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 225 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ ■DEVICE MARKING 打標 2SA1036 P Q R MARK HP HQ HR HFE 82~180 120~270 180~390 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. 2SA1036 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characterstic 特性參數 Symbol 符號 Test Condition 測試條件 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=-20V,IE=0 — — -1 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB=-4V,IC=0 — — -1 μA V(BR)CBO IC=-100μA -40 — — V V(BR)CEO IC=-1mA -32 — — V V(BR)EBO IE=-100μA -5 — — V HFE VCE=-3V, IC=-100mA 82 — 390 — VCE(sat) IC=-300mA, IB=-30mA — — -0.6 V VBE(sat) IC=-300mA, IB=-30mA — — -1.2 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=-5V, IC=-20mA — 200 — MHz Collector Output Capacitance 輸出電容 Cob VCB=-10V,IE=0, f=1MHz — 7 — pF Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降 Min. Typ. Max. Unit 最小值 典型值 最大值 單位