Order this document by MRF173/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA The RF MOSFET Line N–Channel Enhancement Mode MOSFET 80 W, 28 V, 175 MHz N–CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET Designed for broadband commercial and military applications up to 200 MHz frequency range. The high–power, high–gain and broadband performance of this device make possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands. • Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 V: Output Power = 80 W Gain = 11 dB (13 dB Typ) Efficiency = 55% Min. (60% Typ) • Low Thermal Resistance • Ruggedness Tested at Rated Output Power • Nitride Passivated Die for Enhanced Reliability • Low Noise Figure — 1.5 dB Typ at 2.0 A, 150 MHz • Excellent Thermal Stability; Suited for Class A Operation CASE 211–11, STYLE 2 $ MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Drain–Source Voltage VDSS 65 Vdc Drain–Gate Voltage VDGO 65 Vdc VGS ±40 Vdc Gate–Source Voltage Drain Current — Continuous ID 9.0 Adc Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C PD 220 1.26 Watts W/°C Storage Temperature Range Tstg –65 to +150 °C Operating Temperature Range TJ 200 °C Symbol Max Unit RθJC 0.8 °C/W THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Thermal Resistance, Junction to Case ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit V(BR)DSS 65 — — V Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 28 V, VGS = 0 V) IDSS — — 2.0 mA Gate–Source Leakage Current (VGS = 40 V, VDS = 0 V) IGSS — — 1.0 µA Gate Threshold Voltage (VDS = 10 V, ID = 50 mA) VGS(th) 1.0 3.0 6.0 V Drain–Source On–Voltage (VDS(on), VGS = 10 V, ID = 3.0 A) VDS(on) — — 1.4 V gfs 1.8 2.2 — OFF CHARACTERISTICS Drain–Source Breakdown Voltage (VDS = 0 V, VGS = 0 V) ID = 50 mA ON CHARACTERISTICS Forward Transconductance (VDS = 10 V, ID = 2.0 A) mhos (continued) NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and packaging MOS devices should be observed. REV 10 1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Input Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz) Ciss — 110 — pF Output Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz) Coss — 105 — pF Reverse Transfer Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz) Crss — 10 — pF Noise Figure (VDD = 28 V, f = 150 MHz, IDQ = 50 mA) NF — 1.5 — dB Common Source Power Gain (VDD = 28 V, Pout = 80 W, f = 150 MHz, IDQ = 50 mA) Gps 11 13 — dB Drain Efficiency (VDD = 28 V, Pout = 80 W, f = 150 MHz, IDQ = 50 mA) η 55 60 — % Electrical Ruggedness (VDD = 28 V, Pout = 80 W, f = 150 MHz, IDQ = 50 mA) Load VSWR 30:1 at all phase angles ψ Series Equivalent Input Impedance (VDD = 28 V, Pout = 80 W, f = 150 MHz, IDQ = 50 mA) Zin — 2.99–j4.5 — Ohms Series Equivalent Output Impedance (VDD = 28 V, Pout = 80 W, f = 150 MHz, IDQ = 50 mA) Zout — 2.68–j1.3 — Ohms DYNAMIC CHARACTERISTICS FUNCTIONAL CHARACTERISTICS # # No Degradation in Output Power # * ' ' ',+ # &% # !&% # L3 — #14 AWG Hairpin 0.8″ long L4 — #14 AWG Hairpin 1.1″ long RFC1 — Ferroxcube VK200–19/4B RFC2 — 18 Turns #18 AWG Enameled, 0.3″ ID R1 — 10 kΩ, 10 Turns Bourns R2 — 1.8 kΩ, 1/4 W R3 — 10 kΩ, 1/2 W Z1 — 1N5925A Motorola Zener Figure 1. 150 MHz Test Circuit REV 10 C1, C15 — 470 pF Unelco C2, C3, C5 — 9–180 pF, Arco 463 C4, C6 — 15 pF, Unelco C7 — 5–80 pF, Arco 462 C8, C10, C14, C16 — 0.1 µF C9, C13 — 50 µF, 50 Vdc C11, C12 — 680 pF, Feed Through L1 — #16 AWG, 1–1/4 Turns, 0.3″ ID L2 — #16 AWG Hairpin 1″ long 2 # &%!&% TYPICAL CHARACTERISTICS - 8 - 8 ! 276 &%!&%! (#(%%$ ! 276 &%!&%! (#(%%$ 8 8 8 ' ' " 0 8 ' ' " 0 !/1 !&% ! (# (%%$ Figure 2. Output Power versus Input Power !/1 ( ! 276 &%!&%! (#(%%$ ! 276 &%!&%! (#(%%$ " 0 - 8 ( ( " 0 - 8 ( ( " 0 - 8 !/1 ( ( ( ( ! (#, !$ ! 276 &%!&%! (#(%%$ Figure 5. Output Power versus Supply Voltage !276 ( ' ' " 0 ' $&!!) ' % ' %$ Figure 6. Output Power versus Supply Voltage REV 10 ' $&!!) ' % ' %$ Figure 4. Output Power versus Supply Voltage 3 !/1 ( ( ' $&!!) ' % ' %$ ( Figure 3. Output Power versus Input Power !/1 !&% ! (# (%%$ - #"&) 8 Figure 7. Power Gain versus Frequency - 8 !/1 $%% '$ ' " 0 '$6. ' '$ %$ &# ' % ' %$ '$ ' '$6. ' Figure 8. Output Power versus Gate Voltage '$ %$ &# ' % ' %$ 0 255 455 % $ %!#%&# ° Figure 10. Gate–Source Voltage versus Case Temperature '$ #$ &# ' % ' %$ Figure 11. Capacitance versus Drain Voltage #&##%!$ % ° '$ #$ &# ' % ' %$ Figure 12. DC Safe Operating Area REV 10 4 0 '$ ' #" 8 /55 255!%3 '%9$ &#' % #* $ '$ ' Figure 9. Drain Current versus Gate Voltage 455 /55!%3 #&##%!$ ! &%!&%! (#(%%$ 276 ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 12.5 V, ID = 4 A) S21 S12 S22 |S11| ∠φ |S21| ∠φ |S12| ∠φ |S22| ∠φ 30 0.879 –170 8.09 92 0.014 23 0.839 –174 40 0.883 –173 6.19 87 0.016 24 0.839 –179 50 0.885 –174 4.94 84 0.016 28 0.853 –178 60 0.885 –175 4.21 81 0.017 30 0.845 180 70 0.888 –176 3.57 77 0.017 34 0.849 179 80 0.888 –177 3.06 77 0.017 37 0.852 –179 90 0.888 –178 2.71 76 0.018 42 0.842 –179 100 0.890 –178 2.45 72 0.019 43 0.858 180 110 0.888 –179 2.28 70 0.020 46 0.859 179 120 0.892 –179 2.02 69 0.021 50 0.872 –180 130 0.893 –179 1.84 67 0.022 52 0.870 –179 140 0.894 –180 1.73 66 0.023 55 0.880 –180 150 0.896 –180 1.58 64 0.024 55 0.887 180 160 0.896 180 1.51 61 0.026 56 0.863 180 170 0.898 179 1.38 60 0.026 60 0.850 179 180 0.899 179 1.28 58 0.028 60 0.871 179 190 0.899 179 1.25 57 0.030 62 0.890 178 200 0.902 179 1.15 55 0.030 63 0.884 178 210 0.902 179 1.12 53 0.032 63 0.899 178 220 0.904 178 1.08 51 0.034 65 0.893 178 230 0.907 178 0.97 49 0.037 65 0.941 176 240 0.907 178 0.95 48 0.037 65 0.884 176 250 0.909 178 0.90 49 0.039 67 0.896 177 260 0.911 177 0.85 48 0.039 68 0.888 176 270 0.909 177 0.83 46 0.042 68 0.895 176 280 0.913 177 0.78 45 0.044 69 0.893 175 290 0.914 177 0.74 42 0.044 69 0.882 174 300 0.915 176 0.74 42 0.047 72 0.877 175 310 0.917 176 0.70 41 0.048 73 0.909 176 320 0.916 176 0.69 39 0.052 71 0.912 175 330 0.917 176 0.65 37 0.055 71 0.885 173 340 0.919 176 0.65 38 0.055 70 0.898 173 350 0.919 175 0.62 36 0.057 72 0.887 174 360 0.920 175 0.60 37 0.059 72 0.918 172 370 0.921 175 0.57 35 0.061 71 0.929 172 380 0.923 175 0.56 34 0.063 71 0.900 172 390 0.925 175 0.54 36 0.065 71 0.907 171 400 0.926 174 0.51 34 0.067 75 0.902 173 410 0.927 174 0.51 33 0.070 73 0.942 170 420 0.929 174 0.49 31 0.071 71 0.926 169 430 0.929 173 0.46 32 0.072 72 0.901 170 440 0.930 173 0.45 32 0.076 73 0.904 170 REV 10 5 S11 f MHz ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 12.5 V, ID = 4 A) (continued) S11 S21 S22 S12 f MHz |S11| ∠φ |S21| ∠φ |S12| ∠φ |S22| ∠φ 450 0.932 173 0.45 29 0.079 75 0.924 170 460 0.932 172 0.44 30 0.082 71 0.938 167 470 0.933 172 0.42 30 0.081 73 0.908 168 480 0.931 172 0.42 29 0.086 72 0.933 168 490 0.931 171 0.41 28 0.089 72 0.926 167 500 0.931 171 0.41 27 0.092 71 0.936 167 Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 4 A) S21 S12 S22 |S11| ∠φ |S21| ∠φ |S12| ∠φ |S22| ∠φ 30 0.840 –163 11.48 92 0.016 20 0.718 –169 40 0.849 –167 8.80 86 0.017 22 0.713 –174 50 0.853 –170 6.99 82 0.017 24 0.748 –174 60 0.854 –171 5.92 79 0.017 23 0.746 –175 70 0.859 –172 5.00 74 0.018 25 0.746 –175 80 0.859 –174 4.29 73 0.018 30 0.741 –174 90 0.861 –174 3.77 71 0.019 38 0.735 –174 100 0.866 –175 3.39 67 0.018 40 0.768 –176 110 0.865 –175 3.12 64 0.018 41 0.782 –177 120 0.871 –176 2.75 63 0.019 42 0.794 –175 130 0.875 –176 2.49 60 0.021 45 0.783 –172 140 0.877 –177 2.31 59 0.023 51 0.776 –175 150 0.883 –177 2.10 56 0.023 55 0.806 –176 160 0.884 –177 1.99 53 0.023 58 0.807 –176 170 0.886 –178 1.82 51 0.023 61 0.806 –176 180 0.890 –178 1.66 49 0.025 59 0.820 –175 190 0.891 –179 1.62 48 0.027 60 0.815 –176 200 0.896 –179 1.47 46 0.030 63 0.819 –177 210 0.898 –179 1.41 43 0.031 67 0.842 –178 220 0.901 –179 1.36 41 0.032 70 0.855 –178 230 0.905 –180 1.22 38 0.033 70 0.906 –178 240 0.906 –180 1.19 38 0.034 67 0.845 –178 250 0.909 180 1.11 39 0.037 68 0.831 –178 260 0.913 180 1.03 37 0.038 70 0.837 –180 270 0.912 179 0.10 35 0.041 72 0.859 179 280 0.916 179 0.93 34 0.042 74 0.876 178 290 0.918 179 0.88 31 0.041 73 0.865 179 300 0.919 178 0.87 31 0.044 74 0.837 –180 310 0.922 178 0.83 31 0.046 74 0.863 180 320 0.922 178 0.80 27 0.051 73 0.879 177 330 0.924 177 0.75 26 0.054 74 0.878 176 340 0.926 177 0.74 27 0.053 74 0.897 177 350 0.926 177 0.71 24 0.054 77 0.879 179 REV 10 6 S11 f MHz ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 4 A) (continued) S11 S21 |S11| ∠φ |S21| ∠φ |S12| ∠φ |S22| ∠φ 360 0.927 177 0.68 26 0.056 75 0.888 177 370 0.929 177 0.64 24 0.058 73 0.893 175 380 0.931 176 0.62 23 0.062 72 0.885 174 390 0.934 176 0.60 25 0.064 74 0.903 174 400 0.934 176 0.57 22 0.065 78 0.898 177 410 0.936 175 0.56 21 0.068 77 0.931 175 420 0.938 175 0.53 20 0.070 74 0.906 173 430 0.938 174 0.51 21 0.072 73 0.885 173 440 0.939 174 0.49 21 0.075 75 0.895 172 450 0.941 174 0.48 19 0.080 78 0.923 172 460 0.941 173 0.47 19 0.082 75 0.940 171 470 0.942 173 0.45 18 0.080 75 0.904 172 480 0.940 173 0.44 18 0.083 74 0.910 171 490 0.940 172 0.43 18 0.088 72 0.906 169 500 0.940 172 0.42 17 0.092 72 0.927 168 DESIGN CONSIDERATIONS The MRF173 is a RF MOSFET power N–channel enhancement mode field–effect transistor (FET) designed for VHF power amplifier applications. M/A-COM RF MOSFETs feature a vertical structure with a planar design, thus avoiding the processing difficulties associated with V–groove power FETs. M/A-COM Application Note AN211A, FETs in Theory and Practice, is suggested reading for those not familiar with the construction and characteristics of FETs. The major advantages of RF power FETs include high gain, low noise, simple bias systems, relative immunity from thermal runaway, and the ability to withstand severely mismatched loads without suffering damage. Power output can be varied over a wide range with a low power dc control signal, thus facilitating manual gain control, ALC and modulation. DC BIAS The MRF173 is an enhancement mode FET and, therefore, does not conduct when drain voltage is applied. Drain current flows when a positive voltage is applied to the gate. See Figure 9 for a typical plot of drain current versus gate voltage. RF power FETs require forward bias for optimum performance. The value of quiescent drain current (I DQ ) is not critical for many applications. The REV 10 7 S22 S12 f MHz MRF173 was characterized at IDQ = 50 mA, which is the suggested minimum value of IDQ. For special applications such as linear amplification, IDQ may have to be selected to optimize the critical parameters. The gate is a dc open circuit and draws no current. Therefore, the gate bias circuit may generally be just a simple resistive divider network. Some special applications may require a more elaborate bias system. GAIN CONTROL Power output of the MRF173 may be controlled from its rated value down to zero (negative gain) by varying the dc gate voltage. This feature facilitates the design of manual gain control, AGC/ALC and modulation systems. (see Figure 8.) AMPLIFIER DESIGN Impedance matching networks similar to those used with bipolar VHF transistors are suitable for MRF173. See M/A-COM Application Note AN721, Impedance Matching Networks Applied to RF Power Transistors. The higher input impedance of RF MOSFETs helps ease the task of broadband network design. Both small–signal scattering parameters and large–signal impedances are provided. While the s–parameters will not produce an exact design solution for high power operation, they do yield a good first approximation. This is an additional advantage of RF MOS power FETs. PACKAGE DIMENSIONS A U %$ $ % # !# $ ) %# $ M M Q R B D K J H C E CASE 211–11 ISSUE N Specifications subject to change without notice. n North America: Tel. (800) 366-2266, Fax (800) 618-8883 n Asia/Pacific: Tel.+81-44-844-8296, Fax +81-44-844-8298 n Europe: Tel. +44 (1344) 869 595, Fax+44 (1344) 300 020 Visit www.macom.com for additional data sheets and product information. REV 10 8 $%) ! $ &# % $ &# #