N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 HFF6N60 █ 主要用途 FQPF6N60C █ 外形图及引脚排列 高速开关应用。 TO-220F █ 极限值（Ta=25℃） Tstg——贮存温度………………………………………… -55~150℃ 1 1―栅 极 G Tj——结温……………………………………………………… 150℃ 2―漏 极 D VDSS——漏极—源极电压………………………………………600V 3―源 极 S VGS——栅极—源极电压……………………………………… ±30V ID——漏极电流（Tc=25℃）………………………………………6A ID——漏极电流（脉冲）（注 1）……………………………………24A PD——耗散功率（Tc=25℃）………………………………………40W █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 BVDSS 漏—源极击穿电压 IDSS 零栅压漏极电流 IGSS 栅极泄漏电流 最小值 典型值 最大值 单 位 ID=250μA ,VGS=0V 1 V μA ±100 4.0 nA V VGS=±30V , VDS =0V VDS = VGS , ID =250μA VGS=10V, ID =3A 600 2.0 测 试 条 件 VDS =600V，VGS=0 VGS(th) 栅—源极开启电压 RDS(on) 漏—源极导通电阻 1.7 2.2 Ω 输入电容 输出电容 620 810 pF 65 85 pF 反向传输电容 7 10 pF 导通延迟时间 15 40 nS 上升时间 45 100 nS 断开延迟时间 45 100 nS 下降时间 45 100 nS 16 3.5 20 nC VDS =480V Qgs 栅极总电荷 栅极—源极电荷 nC VGS=10V Qgd 栅极—漏极电荷 6.5 nC ID=5.5A（注 2） Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Is 源极—漏极二极管正向电流 6 A VSD 源极—漏极二极管导通电压 1.4 V 3.2 ℃/W Rth（j-c） 热阻 *注 1：漏极电流受最大结温限制。 *注 2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2% VDS =25V, VGS=0,f=1MHz VDs =300V, ID =5.5A (峰值) RG= 25 Ω （注 2） IS =6A , VGS=0 结到外壳 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFF6N60 █ 特性曲线 对应国外型号 FQPF6N60C N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFF6N60 █ 特性曲线 对应国外型号 FQPF6N60C N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFF6N60 █ 特性曲线 对应国外型号 FQPF6N60C N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFF6N60 █ 特性曲线 对应国外型号 FQPF6N60C