BI-DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 BCR1AM-12,BT131 HTR1A60 █ 器件名称 双向三端晶闸管(即:双向可控硅) █ 主要用途 小功率交流开关、风扇控制、温度控制、照明控制等 █ 极限值（Ta=25℃） █ 外形图及引脚排列 Tstg——贮存温度………………………………… -40~125℃ Tj——结温……………………………………………-40~125℃ P G M ——峰值门极功耗………………………………1W VDRM——重复峰值断态电压………………………………600V IT（RMS）——RMS 通态电流（Ta=58℃）…………………………1A V G M ——峰值门极电压………………………………6V IGM——峰值门极电流……………………………………0.5A ITSM——浪涌通态电流(一周,50/60Hz,峰值,不重复)……………9.1/10A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 IDRM VTM I+GT1 I-GT1 I-GT3 I+GT3 V+GT1 V-GT1 V-GT3 V+GT3 VGD 重复峰值断态电流 峰值通态电压 门极触发电流(Ⅰ) 门极触发电流(Ⅱ) 门极触发电流(Ⅲ) 门极触发电流(Ⅳ) 门极触发电压(Ⅰ) 门极触发电压(Ⅱ) 门极触发电压(Ⅲ) 门极触发电压(Ⅳ) 不触发门极电压 (dv/dt)c 断态电压临界上升 率 热阻 热阻 维持电流 Rth(j-c) Rth(j-a) IH 最小值 典型值 最大值 0.5 1.6 5.0 5.0 5.0 10.0 1.8 1.8 1.8 2.0 0.2 单 位 mA V mA mA mA mA V V V V V V/μS 2.0 50 120 4.0 ℃/W ℃/W mA 测 试 条 件 VD=VDRM,单相,半波,TJ=125℃ IT=1.5A,快速测量 VD=6V, RL=10 ohm VD=6V, RL=10 ohm VD=6V, RL=10 ohm VD=6V, RL=10 ohm VD=6V, RL=10 ohm VD=6V, RL=10 ohm VD=6V, RL=10 ohm VD=6V, RL=10 ohm TJ=125℃,VD=1/2VDRM TJ=125℃,VD=2/3VDRM (di/dt)c=-0.5A/ms 结到外壳 结到周围环境 汕头华汕电子器件有限公司 BI-DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR 对应国外型号 BCR1AM-12,BT131 HTR1A60 █ 特性曲线 图二、通态电压 通态电流（A） 门极电压（V） 图一、门极特性 门 极 电 流（mA） 通 电 压（V） 图四、通态电流---最大功耗 功耗（W） 图三、门极触发电压-----结温 态 结 温（ｏC） RMS 通态电流（A） 图六、浪涌通态最大电流（不重复） 外壳温度（°C） 浪涌通态电流（A） 图五、通态电流---外壳温度 RMS 通态电流（A） 时间（CYCLES） 汕头华汕电子器件有限公司 BI-DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR 对应国外型号 BCR1AM-12,BT131 HTR1A60 █ 特性曲线 图八、瞬 态 热 阻 瞬 态 热 阻(℃/W) 图七、门极触发电流----结温 结 温 （ｏC） 时 间（sec） 图九、门极触发特性测试电路 10Ω 测试方式Ⅰ 10Ω 测试方式Ⅱ 10Ω 测试方式Ⅲ 10Ω 测试方式Ⅳ