RT8H052C

＜M　F　T＞
RT8H052C
開発中
＊本製品は開発中につき後日内容を変更することがあります
3シャント方式用過電流保護回路
概　要
RT8H052Cは、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、
抵抗により構成された複合トランジスタです。　このトランジスタのご使用によりセットの小型化、
部品及び工数の大幅な削減が可能となります。
3シャント方式の過電流保護用として、
回路構成をおこなっております。
外形図
単位：mm
5
⑥
②
⑤
③
④
用　途
3シャント方式用過電流保護回路
0.33
①
0～0.1
6
0.65
1.2
0.95
1.9
0.81
特　長
●　セットの小型化、高密度実装が可能
●　VREFを外付け抵抗で自由に設定可能
●　オープンコレクタ出力
1.1
2.80
0.65
2.8
1.50
ピン配置
１
2
4
①IN1
②IN2
③IN3
④VREF
⑤GND
⑥VCC
3
ブロック図
IN1
IN2
IN3
VREF
VCC
GND
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絶対最大定格　(Ta＝25℃)
記 号
項
目
条件
定
格
値
単位
Vcc
電源電圧
12
V
Pd
内部消費電力
200
mW
1.6
mW/℃
150
℃
Kθ
熱低減率
Ta≧25℃
Tj
接合部温度
Tstg
保存温度
(結露なきこと)
-40～150
℃
Topr
動作温度
Tj (結露なきこと)
-30～150
℃
電気的特性　(Ta=25℃　指定が無い場合はVCC=5V)
項
Vcc
電源電圧範囲
ICC_off
OFF時回路電流
IN1=IN2=IN3=0V、VREF=0.5V
0.2
mA
ICC_on
ON時回路電流
IN1=1V、IN2=IN3=0V、VREF=0.5V
2.9
mA
VINCM
同相入力電圧範囲
VIN1th
IN1閾値電圧
VREF=0.5V、IN2=IN3=0V
0.5
V
VIN2th
IN2閾値電圧
VREF=0.5V、IN1=IN3=0V
0.5
V
VIN3th
IN3閾値電圧
VREF=0.5V、IN1=IN2=0V
0.5
V
目
測定条件
設計値
単位
最小 標準 最大
記 号
3
0.3
5
-
10
VCC-0.8
V
V
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IPM
応用回路例
Highside
Driver
MCU
M
Lowside
Driver
IN1
R1
Q1
IN2
IN3
VREF
VCC
R3
V1
R4
R2
GND
MFT
動作概要について
VREF端子を設けたことで閾値電圧を外部接続抵抗で自由に設定することができます。
6ピンMFT(VCC,GND,VREF,IN1,IN2,IN3)の為、MFTは出力端子を有していません。
VCC端子が電源電圧端子と出力端子の２つの機能を兼用します。
IN1～IN3のいずれにもVREF端子で設定した閾値電圧を超える電圧が入力されていない通常状態のときは
VCCに流れる回路電流は200uA程度となります。
IN1～IN3のいずれかの端子にVREF(V)以上の電圧が印加されると検知状態となり
VCCに流れる回路電流が2.9mA程度となります。
この回路電流の特性を利用し、外部にPNPトランジスタを接続することで出力信号をつくることができます。
上記応用回路例のQ1：PNPトランジスタのコレクタ端子が出力端子となります。
通常状態のときはPNPトランジスタがOFF状態となりLowを出力します。
検知状態のときはPNPトランジスタがON状態となりHighを出力します。
定数設定について
上記応用回路例における外付け抵抗の定数設定について説明いたします。
Q1：PNPトランジスタのエミッタ-ベース間に接続する抵抗R1は、MFTの通常状態の回路電流ではPNPトランジスタがOFFし、
検知状態の回路電流が流れたときに、PNPトランジスタがONするように設定します。
抵抗R1：390Ω～1.5kΩで設定してください。
また、Q1：PNPトランジスタに流す電流をコレクタ-GND間抵抗R2で調整します。
VREFを抵抗分圧で生成する場合の計算式。
VREF(V)=R4/(R3+R4)*V1
上記値は理論値です。定数設定には十分な評価を実施のうえ設定願います。
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熱低減曲線
250
消費電力Pd[ｍW]
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度Ta [℃]
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2011年4月作成