〈小信号トランジスタ〉 2SC3052 低周波増幅用 シリコン NPN エピタキシャル形（フレームタイプ） 概要 2SC3052は、超小形外形樹脂封止形シリコンNPNエピタキシャル形 外形図 単位：mm トランジスタで低周波の電圧増幅用として設計・製造 されております。 セットの小形化、高密度実装用として幅広くご使用いただけます。 特長 ●コレクタ飽和電圧が低い VCE(sat)= 0.3V最大（@Ic=100mA、IB=10mA） ●直流電流増幅率の直線性が良い ●小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能 用途 ハイブリッド IC、小形機器の低周波電圧増幅用 電極接続 ①：ベース ②：エミッタ ③：コレクタ JEITA：SC-59 JEDEC：TO-236 類似 最大定格（Ta=25℃） 記号 定格値 単位 VCBO コレクタ・ベース間電圧 項目 50 V VEBO エミッタ・ベース間電圧 6 V VCEO コレクタ・エミッタ間電圧 50 V IC コレクタ電流 200 mA PC コレクタ損失 200 mW Tj 接合部温度 +150 ℃ -55∼+150 ℃ Tstg 保存温度 マーキング L F 形名表示 hFE アイテム 電気的特性（Ta=25℃） 項目 コレクタ・エミッタ降伏電圧 記号 V(BR)CEO 試験条件 I C=100μA ,R BE =∞ コレクタ遮断電流 ICBO V CB エミッタ遮断電流 IEBO V EB=6V, I C=0mA 直流電流増幅率 ※ hFE V CE V CE 直流電流増幅率 コレクタ・エミッタ飽和電圧 利得帯域幅積 hFE VCE(sat) =50V, I E=0mA 特性値 最小 標準 最大 50 - - 単位 V - - 0.1 μA - - 0.1 μA =6V, I C=1mA 150 - 500 - =6V, I C=0.1mA 90 - - - - - 0.3 V I C=100mA ,IB=10mA fT V CE =6V, I E=-10mA - 200 - MHz コレクタ出力容量 Cob V CB=6V, I E=0,f=1MHz - 2.5 - pF 雑音指数 NF V CE - - 15 dB ＊：hFE の値により右表のようにアイテム分類を行っています。 =6V, I E=-0.1mA,f=1kHz,RG=2kΩ アイテム E F hFE 150∼300 250∼500 〈小信号トランジスタ〉 2SC3052 低周波増幅用 シリコン NPN エピタキシャル形（フレームタイプ） エミッタ接地出力特性 エミッタ接地伝達特性 50 50 0.16mA VCE=6V Ta=85℃ 0.12mA 40 コレクタ電流 IC(mA) コレクタ電流 IC(mA) 40 Ta=25℃ 30 Ta=-40℃ 20 10 0.10mA 30 0.08mA 0.06mA 20 0.04mA 10 0.02mA IB=0 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 ベース・エミッタ電圧VBE(V) 0 1 0 1 2 3 4 5 コレクタ・エミッタ電流 VCE(V) 直流電流増幅率−ｺﾚｸﾀ電流 hFE-IC コレクタ飽和電圧−コレクタ電流特性 1000 1000 25℃ Ta=25℃ VCE=6V 100(@IC=1mA IC/IB=10/1 コレクタ飽和電圧 VCE(sat) (mV) 100℃ 直流電流増幅率 hFE Ta=25℃ 0.14mA 100 -40℃ 10 85℃ 100 -40℃ 10 1 25℃ 1 1 10 100 コレクタ電流 IC（mA） 1 1000 10 100 コレクタ電流 IC (mA) 1000 利得帯域幅-エミッタ電流 コ レ クタ 出 力 容 量 ー コレ ク タ・ベ ー ス 電 圧 特 性 100 250 Ta=25 VCE=6V コレクタ出力容量 Cob(pF) 利得帯域幅 fT (MHz) 200 Ta=2 5℃ IE=0 f=1M Hz 150 100 10 1 50 0 -0.1 0.1 -1 -10 エミッタ電流 IE (mA) -100 0.1 1 10 コ レ ク タ ・ベ ー ス電 圧 VCB(V) 100 〈小信号トランジスタ〉 2SC3052 低周波増幅用 シリコン NPN エピタキシャル形（フレームタイプ） エミッタ接地ｈ定数（標準値） 記号 項目 ｈie ｈｒe ｈｆe ｈoe 測定条件 閉路小信号入力インピーダンス Ta=25℃ VCE=6V IE=-1mA f=270Hz 閉路小信号逆電圧増幅率 閉路小信号順電流増幅率 閉路小信号出力アドミタンス コレクタ損失−周囲温度特性 特性値 単位 8.5 kΩ 0.1 ×10-3 300 − 5.5 μs 安全動作領域 250 1 シングルパルス Ta=25℃ Icmax=0.2A 1msec 150 100 10msec 0.1 100msec DC 200mW 1sec VCEOmax=50V コレクタ電流 IC (A) コレクタ損失 Pc (mW) 200 0.01 50 0 0.001 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta (℃) 125 150 0.1 1 10 コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V) 100 http://www.idc-com.co.jp 〒854-0065 長崎県諌早市津久葉町 6-41 安全設計に関するお願い ・弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤動作する場合があります。弊社製品 の故障または誤動作によって、結果として人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した 冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。 本資料ご利用に際しての留意事項 ・本資料は、お客様が用途に応じた適切なイサハヤ電子製品をご購入いただくための参考資料であり、本資料中に記載の 技術情報についてイサハヤ電子が所有する知的財産権その他の権利の実施、使用を許諾するものではありません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表その他応用回路例の使用に起因する損害、第三者所有の権利に対する侵害に関し、イサ ハヤ電子は責任を負いません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表その他全ての情報は、本資料発行時点のものであり、特性改良などにより予告なしに 変更することがあります。製品の購入に当たりましては、事前にイサハヤ電子へ最新の情報をご確認ください。 ・本資料に記載された製品は、人命に関わるような状況の下で使用される機器、あるいはシステムに用いられることを目的 として設計、製造されたものではありません。本資料の製品を運輸、移動体用、医療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底 中継機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討の際には、イサハヤ電子へ御照会ください。 ・本資料の転載、複製については、文書によるイサハヤ電子の事前の承諾が必要です。 ・本資料に関し詳細についてのお問合せ、その他お気付きの点がございましたら、イサハヤ電子まで御照会ください。 2010年9月作成