HBR5200 - 吉林华微电子股份有限公司

肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
HBR5200
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
IF(AV)
5A
VRRM
200 V
Tj
175 ℃
VF(max)
0.75V (@Tj=125℃)
用途
封装 Package
DO-201AD
APPLICATIONS
l Low voltage, high
l 低压、高频整流
frequency rectifier
l 低压续流电路和保护电
l Free wheeling diodes,
路
polarity protection
applications
TO-126-2L
产品特性
FEATURES
l 轴向结构
l 低功耗,高效率
l 良好的高温特性
l 有过压保护环,高可靠性
l 环保(RoHS)产品
l Axial Lead Rectifier
l Low power loss, high efficiency
l High Operating Junction
Temperature
l Guard ring for overvoltage
protection,High reliability
l RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
印
记
Marking
封
装
Package
无卤素
Halogen Free
包
装
Packaging
器件重量
Device Weight
HBR5200D
HBR5200
DO-201AD
否
NO
编带 Tape
1.1g(approx.)
HBR5200DR
HBR5200
DO-201AD
是
YES
编带 Tape
1.1g(approx.)
HBR5200D2
HBR5200
DO-201AD-B2
否
NO
散装 Bulk
1.1g(approx.)
HBR5200D2R
HBR5200
DO-201AD-B2
是
YES
散装 Bulk
1.1g(approx.)
HBR5200D3
HBR5200
DO-201AD-B3
否
NO
散装 Bulk
1.1g(approx.)
HBR5200D3R
HBR5200
DO-201AD-B3
是
YES
散装 Bulk
1.1g(approx.)
HBR5200D5
HBR5200
DO-201AD-B5
否
NO
散装 Bulk
1.1g(approx.)
HBR5200D5R
HBR5200
DO-201AD-B5
是
YES
散装 Bulk
1.1g(approx.)
HBR5200M2R
HBR5200
TO-126-2L
是
YES
袋装 Bag
0.7g(approx.)
HBR5200M2
HBR5200
TO-126-2L
否
NO
袋装 Bag
0.7g(approx.)
HBR5200M2R
HBR5200
TO-126-2L
是
YES
条管 Tube
0.7g(approx.)
HBR5200M2
HBR5200
TO-126-2L
否
NO
条管 Tube
0.7g(approx.)
版本(Rev.):201507D
1/7
HBR5200
R
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
符 号
Symbol
数 值
Value
单 位
Unit
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
200
V
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
VDC
200
V
正向平均整流电流TC=125℃
Average Rectified Forward Current
IF(AV)
5
A
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
(额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法)
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
IFSM
120
A
Tj
175
℃
TSTG
-40~+150
℃
项
目
Parameter
最高结温
Maximum junction temperature
储存温度
Storage temperature range
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
IR
VF
测试条件
Tests conditions
Tj =25℃
Tj =125℃
Tj =25℃
Tj =125℃
最小值
典型值
最大值
Value(min) Value(typ) Value(max)
10
µA
5
mA
0.81
0.85
V
0.70
0.75
V
VR=VRRM
IF=5A
单位
Unit
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
符 号
Symbol
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
DO-201AD
(B2/B3/B5)
TO-126-2L
结到环境的热阻
Thermal resistance from
junction to ambient
DO-201AD
(B2/B3/B5)
TO-126-2L
版本(Rev.):201507D
最小值
Value(min)
最大值
单 位
Value(max) Unit
25
℃/W
Rth(j-c)
1.5
Rth(j-a)
70
℃/W
65
2/7
HBR5200
R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
IF vs VF
IR vs VR
IF(AV) vs TC
CJ vs VR
版本(Rev.):201507D
3/7
R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
DO-201AD
版本(Rev.):201507D
HBR5200
单位 Unit :mm
4/7
HBR5200
R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
DO-201AD 成型尺寸图
DO-201AD-B2 尺寸
单位 Unit :mm
DO-201AD-B3 尺寸
DO-201AD-B5 外形图及尺寸
版本(Rev.):201507D
5/7
R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-126-2L
版本(Rev.):201507D
HBR5200
单位 Unit :mm
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HBR5200
R
注意事项
NOTE
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分
为直销和销售代理,无论哪种方式,订货时
请与公司核实。
2.购买时请认清公司商标,如有疑问请与公司
本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
额定值,否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
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product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
please check with our company.
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please don’t
be hesitate to contact us.
3. Please do not exceed the absolute maximum
ratings of the device when circuit designing.
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
specification sheet and is subject to change
without prior notice.
联系方式
CONTACT
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JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
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市场营销部
地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
邮编:132013
电话:86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
传真: 86-432-64671533
MARKET DEPARTMENT
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
Province, China.
Post Code: 132013
Tel: 86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
Fax: 86-432-64671533
附录(Appendix):修订记录(Revision History)
日期
Date
旧版本
新版本
Last Rev. New Rev.
修订内容 Description of Changes
2014-12-19 201407B
201412C Added DO-201AD-B5 Spec.
2015-7-25
201507D Added TO-126-2L Spec.
版本(Rev.):201507D
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