JS65R190U - 吉林华微电子股份有限公司

N 沟道增强型场效应晶体管
N- CHANNEL MOSFET
R
JS65R190U
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
ID
20 A
VDSS
650 V
Rdson(@Vgs=10V)
0.19Ω
Qg
65nC
用途
APPLICATIONS
 高频开关电源
 电子镇流器
 UPS 电源
 High efficiency switch
产品特性
FEATURES
mode power supplies
 Electronic lamp ballasts
based on half bridge
 UPS
 新的革命性高压技术
 New revolutionary high
voltage technology
 低栅极电荷
 Low gate charge
 开关速度快
 Fast switching
 产品全部经过雪崩测试  100% avalanche tested
 RoHS 产品
 RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
无卤素
Halogen
Free
包
装
Packaging
器件重量
Device Weight
否
NO
条管 Tube
2.20 g(typ)
TO-220C
否
NO
条管 Tube
2.15 g(typ)
TO-247
否
NO
条管 Tube
5.20g(typ)
印
记
Marking
封
装
Package
JS65R190FU-O-F-N-B
JS65R190FU
TO-220MF
JS65R190CU-O-C-N-B
JS65R190CU
JS65R190WU-O-W-N-B
JS65R190WU
版本:201410A
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JS65R190U
R
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
数 值
项
目
Parameter
最高漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current -continuous
符 号
Symbol
Value
JS65R190CU
JS65R190FU
JS65R190WU
单
位
Unit
VDSS
650
V
ID
20*
A
13*
A
T=25℃
T=100℃
最大脉冲漏极电流(注 1)
Drain Current -pulse (note 1)
IDM
60*
A
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
VGSS
±30
V
单脉冲雪崩能量(注 2)
EAS
Single Pulsed Avalanche Energy(note 2)
700
mJ
雪崩电流(注 1)
Avalanche Current (note 1)
IAR
20
A
重复雪崩能量(注 1)
Repetitive Avalanche Current (note 1)
EAR
20.5
mJ
6
V/ns
二极管反向恢复最大电压变化速率(注 3)
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt (note 3)
耗散功率
Power Dissipation
PD
TC=25℃
-Derate
above 25℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature
Range
TJ,TSTG
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
TL
34
205
W
0.28
1.64
W/℃
-55~+150
℃
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本:201410A
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JS65R190U
R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单 位
Min Typ Max Units
关态特性 Off –Characteristics
漏-源击穿电压
Drain-Source Voltage
BVDSS
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
ΔBVDSS ID=250μA, referenced to
/ΔTJ
25℃
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, forward
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, reverse
ID=250μA, VGS=0V
650
-
-
-
0.5
-
V/℃
VDS=650V, VGS=0V, TC=25℃
-
-
1
μA
VDS=480V, TC=125℃
-
-
10
μA
IGSSF
VDS=0V, VGS =30V
-
100
nA
IGSSR
VDS=0V, VGS =-30V
-
阈值电压
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
VDS = VGS , ID=250μA
2
3.5
静态导通电阻
Static Drain-Source On-Resistance
RDS(ON) VGS =10V , ID=10.0A
-
0.13 0.19
Ω
正向跨导
Forward Transconductance
gfs
-
17.5
-
S
-
2100
-
pF
-
1700
-
pF
-
17
-
pF
-
V
-100 nA
通态特性 On-Characteristics
VDS = 40V , ID=10.0A(note 4)
5
V
动态特性 Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
Ciss
输出电容
Output capacitance
Coss
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
Crss
版本:201410A
VDS=25V,
VGS =0V,
f=1.0MHZ
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JS65R190U
R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最大 单位
Min Typ Max Units
开关特性 Switching –Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
td(on)
上升时间 Turn-On rise time
tr
延迟时间 Turn-Off delay time
VDD=380V,ID=10A,RG=4.7Ω, VGS=10V (note 4,5)
-
25
td(off)
-
60
ns
下降时间 Turn-Off Fall time
tf
-
4
ns
栅极电荷总量 Total Gate Charge
Qg
-
65
nC
栅-源电荷 Gate-Source charge
Qgs
-
12
-
nC
栅-漏电荷 Gate-Drain charge
Qgd
-
31
-
nC
VDS =480V ,
ID=10A
VGS =10V(note 4,5)
ns
21
漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
IS
-
-
20
A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source Diode
Forward Current
ISM
-
-
60
A
1.4
V
正向压降
VSD
Drain-Source Diode Forward Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
trr
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Qrr
VGS=0V, IS=20A
-
VGS=0V, IS=20A
dIF/dt=100A/μs (note 4)
520
ns
5.7
μC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符 号
Symbol
最大值
Value
单
位
JS65R190FU JS65R190CU JS65R190WU Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
3.6
0.61
0.61
℃/W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
80
60
60
℃/W
注:
Notes:
1:脉冲宽度由最高结温限制
1:Pulse width limited by maximum junction temperature
2:L=5.0mH, IAS=7A, VDD=60V,
TJ=25℃
RG=25 Ω,起始结温
2:L=5.0mH,
IAS=7A, VDD=60V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25℃
3:ISD ≤20A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃ 3:ISD ≤20A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃
4:Pulse Test:Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2%
4:脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%
5:基本与工作温度无关
版本:201410A
5:Essentially independent of operating temperature
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JS65R190U
R
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
On-Region Characteristics
Transfer Characteristics
IF vs VF
IR vs VR
On-Resistance Variation vs
Drain Current
IF(AV)
vs
TC
Capacitance Characteristics
IF(AV)
版本:201410A
vs
TC
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
IF(AV)
vs
TC
Gate Charge Characteristics
IF(AV)
vs
TC
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R
JS65R190U
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Breakdown Voltage Variation
On-Resistance Variation
vs. Temperature
vs. Temperature
Maximum Safe Operating Area
For JS65R190FU
Power Dissipation vs. Temperature
For JS65R190FU
版本:201410A
Maximum Safe Operating Area
For JS65R190CU/WU
Power Dissipation vs. Temperature
For JS65R190CU/WU
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JS65R190U
R
Transient Thermal Response Curve
For JS65R190FU
Transient Thermal Response Curve
For JS65R190CU/WU
版本:201410A
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R
JS65R190U
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220MF
版本:201410A
单位 Unit :mm
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R
JS65R190U
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220C
版本:201410A
单位 Unit :mm
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R
JS65R190U
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-247
版本:201410A
单位 Unit :mm
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JS65R190U
R
注意事项
NOTE
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分
为直销和销售代理,无论哪种方式,订货
时请与公司核实。
2.购买时请认清公司商标,如有疑问请与公
司本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
额定值,否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
please check with our company.
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
3. Please do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
specification sheet and is subject to
change without prior notice.
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邮编:132013
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传真:86-432-64665812
网址: www.hwdz.com.cn
HTU
HTU
UTH
市场营销部
地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
邮编:132013
电话: 86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
传真: 86-432-64671533
版本:201410A
UTH
MARKET DEPARTMENT
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Province, China.
Post Code: 132013
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