SBL3030 - 吉林华微电子股份有限公司

肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
SBL3030
主要参数
MAIN
封装 Package
CHARACTERISTICS
IF(AV)
30(2×15)A
VRRM
30 V
Tj
150 ℃
IFSM
250 A
EAS
20mJ
VF(max)
0.41V (@Tj=125℃)
用途
APPLICATIONS
z Low voltage, high frequency
rectifier
z 低压续流电路和保护电 z freewheeling, and polarity
protection applications.
路
z 低压、高频整流
产品特性
FEATURES
z 共阴结构
z 低功耗,高效率
z 良好的高温特性
z 有过压保护环,高可靠性
z 环保(RoHS)产品
z Common cathode structure
z Low power loss, high efficiency
z High Operating Junction
Temperature
z Guard ring for overvoltage
protection,High reliability
z RoHS product
TO-220
TO-263
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号
印
Order codes
Marking
Package
Halogen Free
Packaging
Device Weight
SBL3030Z
SBL3030
TO-220
否
NO
条管 Tube
1.98g(approx.)
SBL3030ZR
SBL3030
TO-220
是
YES
条管 Tube
1.98g(approx.)
SBL3030S
SBL3030
TO-263
否
NO
条管 Tube
1.40g(approx.)
SBL3030SR
SBL3030
TO-263
是
YES
条管 Tube
1.40g(approx.)
SBL3030S
SBL3030
TO-263
否
NO
编带 Reel
1.40g(approx.)
SBL3030SR
SBL3030
TO-263
是
YES
编带 Reel
1.40g(approx.)
版本(Rev.):201409B
记
封
装
无卤素
包
装
器件重量
1/6
SBL3030
R
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项
符
目
Parameter
号
数
值
单
位
Symbol
Value
Unit
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
30
V
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
VDC
30
V
正向平均整流电流
Average Rectified Forward Current
IF(AV)
15
A
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
(额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法)
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
IFSM
250
A
TJ
-50~150
℃
TSTG
-55~+150
℃
工作结温
Operating junction temperature
储存温度
Storage temperature range
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
IR
VF
测试条件
典型值
Tests conditions
最大值
Value(typ) Value(max)
Tj =25℃
VR=VRRM
0.25
0.5
Tj =125℃
VR=VRRM
9
100
Tj =25℃
IF=7.5A
0.41
0.45
Tj =25℃
IF=15A
0.45
0.53
Tj =125℃
IF=7.5
0.32
0.39
Tj =125℃
IF=15A
0.41
0.47
单位
Unit
mA
V
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
符
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
版本(Rev.):201409B
号
Symbol
最小值
最大值
单
位
Value(min)
Value(max)
Unit
1.5
℃/W
TO-220
Rth(j-c)
TO-263
2/5
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
IF vs VF
AP(w) vs IF(A)
版本(Rev.):201409B
IR vs VR
CJ vs VR
3/6
R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220
版本(Rev.):201409B
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
单位 Unit :mm
4/6
R
TO-263
版本(Rev.):201409B
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
单位 Unit :mm
5/6
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
注意事项
NOTE
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为直销和销售代理,无论哪种方式,订货时
请与公司核实。
2.购买时请认清公司商标,如有疑问请与公司
本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
额定值,否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
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product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
please check with our company.
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please don’t
be hesitate to contact us.
3. Please do not exceed the absolute maximum
ratings of the device when circuit designing.
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
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without prior notice.
联系方式
CONTACT
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JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
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Fax:86-432-64665812
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网址:www.hwdz.com.cn
市场营销部
地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
邮编:132013
电话:86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
传真: 86-432-64671533
MARKET DEPARTMENT
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
Province, China.
Post Code: 132013
Tel:
86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
Fax: 86-432-64671533
附录(Appendix):修订记录(Revision History)
日期
Date
旧版本
新版本
Last Rev. New Rev.
修订内容 Description of Changes
14.09.09
201307A 201409B
增加 TO-263 封装外型
版本(Rev.):201409B
6/6