TTA1943

PNP 硅外延晶体管
Silicon PNP Epitaxial Transistor
R
TTA1943
用途
APPLICATIONS
z 应用于功率放大器
z Power Amplifier Applications
产品特性
FEATURES
z 高集电极电压:VCEO=-230V (min)
z 与 TTC5200 互补
z 推荐用于 100W 高保真音响频率放大器输出电路
z High collector voltage:VCEO=-230V (min)
z Complementary to TTC5200
z Recommended for 100-W high-fidelity audio
frequency amplifier output
z RoHS product
z 环保(RoHS)产品
封装 Package
TO-3PL
TO-247
基极 BASE
2 集电极(热沉)COLLECTOR (HEAT SINK)
发射极 EMITTER
1
3
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号
印
Order codes
Marking
TTA1943-O-AL-N-D
TTA1943
否
NO
TTA1943-O-W -N-B
TTA1943
否
NO
绝对最大额定值
记
无卤素
Halogen Free
封
装
包
Package
装
器件重量
Packaging
Weight
TO-3PL
泡沫盒 Foam Box
9.53g(typ)
TO-247
条管
Tube
6.03g(typ)
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃ unless otherwise noted)
项
目
Parameter
符 号
Symbol
数 值
Value
单 位
Unit
集电极—基极直流电压
Collector- Base Voltage
VCBO
-230
V
集电极—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage
VCEO
-230
V
发射极—基极直流电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
最大集电极电流
Collector Current
IC
-15
A
最大基极电流
Base Current
IB
-1.5
A
最大集电极耗散功率 TO-247
Collector Dissipation(Tc=25℃)
PC
120
W
最大集电极耗散功率 TO-3PL
Collector Dissipation(Tc=25℃)
PC
160
W
150
℃
-55~150
℃
最高结温
Junction Temperature
Tj
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
版本:201508E
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R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
项
目
测试条件
Tests conditions
Parameter
最小值
Value(min)
典型值
最大值
Value(typ) Value(max)
单位
Unit
ICBO
VCB=-230V,IE=0
-
-
-5.0
μA
IEBO
VEB=-5V,IC=0
-
-
-5.0
mA
V(BR)CEO
Ic=-50mA,IB=0
-230
-
-
V
VCE=-5V,IC=-1.0A
80
-
160
-
VCE=-5V,IC=-7.0A
35
-
-
-
VCE(sat)
IC=-8.0A,IB=-0.8A
-
-
-3.0
V
VBE
VCE=-5V,IC=-7.0A
-
-
-1.5
V
fT
VCE=-5V, Ic=-1.0A
10
-
-
MHz
COb
VCE=-10V, IE =0,f=1MHz
-
240
-
pF
hFE
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
符 号 最小值 最大值 单 位
max
Symbo min
Unit
Parameter
结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction Case
TO-247
Rth(j-c)
-
1.042
℃/W
结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction Case
TO-3PL
Rth(j-c)
-
0.781
℃/W
印记说明
MARKING
版本:201508E
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R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
IC-VCE
Tc = 25°C
Single pulse test
Tc=100℃
DC corrent hFE
Collector corrent IC (A)
Common emitter
hFE – IC
Tc=100℃
Tc=25℃
Common emitter
VCE = -5 V
Collector-emitter voltage VCE (V)
Single pulse test
Collector corrent IC (A)
Common emitter
IC/IB = 10
Single pulse test
Tc=100℃
Tc=25℃
VBE(sat)- IC
Base-emitter saturation voltage
VCE(sat) (V)
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) (V)
VCE(sat)- IC
Collector corrent IC (A)
Tc=25℃
IC/IB = 10
Single pulse test
Collector corrent IC (A)
SOA
Collector corrent IC (A)
Collector power dissipation
PC (percent)
PC-TC
Infinite heat sink
Common emitter
Tc=100℃
TC=25℃ DC Operation
1ms
10ms
Single nonrepetitive pulse Tc = 25°C
100ms
Curves must be derated linear
with increase in temperature.
Ambient temperature TC(℃)
版本:201508E
Collector-emitter voltage VCE (V)
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R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-3P(LH)
TO-247
版本:201508E
单位 Unit :mm
符号
尺寸(mm)
A
4.70-5.30
B1
2.80-3.20
B2
2.30-2.70
b
0.80-1.25
c
0.50-0.85
D
25.5-26.5
E
19.5-20.5
e
5.45(typ)
F
1.80-2.20
L
19.5-20.5
L2
2.30-2.70
P
3.10-3.50
Q
5.80-6.20
Q1
2.60-3.00
单位 Unit :mm
符号
尺寸(mm)
A
4.90-5.10
B
2.95-3.35
B1
1.95-2.35
b
1.15-1.35
c
0.50-0.70
D
20.9-21.1
E
15.7-15.9
e
5.34-5.54
F
1.90-2.10
L
19.4-20.4
L2
4.03-4.23
P
3.50-3.70
Q
6.00-6.40
Q1
2.30-2.50
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R
TTA1943
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-3PLT
单位 Unit :mm
版本:201508E
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R
注意事项
NOTE
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为
直销和销售代理,无论哪种方式,订货时请
与公司核实。
2.购买时请认清公司商标,如有疑问请与公司
本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额
定值,否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
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agent , thus, for customers, when ordering ,
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2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
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don’t be hesitate to contact us.
3. Please do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
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CONTACT
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JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
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市场营销部
地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
MARKET DEPARTMENT
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Province, China.
Post Code: 132013
Tel:
86-432-64675588
64675688
64678411
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邮编:132013
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64675688
64678411
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附录(Appendix):修订记录(Revision History)
日期
旧版本
新版本
修订内容
Date
Last Rev.
New Rev.
Description of Changes
2013-3-20
201311C
2014-10-24
201311C
201410D
修订 PC
2015-8-13
201410D
201508E
增加 TO-3PLT 外形图
版本:201508E
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