データシート

Si PINフォトダイオード
S8650
シンチレータの接着に適した表面平坦タイプ
Si PINフォトダイオード S8650のエポキシ樹脂でコーティングされた表面は、平坦に (平坦度: ±5 μm)加工されています。
そのためシンチレータを接着する際、泡の混入が起こりにくく、非常に高いカップリング特性が実現されます。
なお、その他のセラミックパッケージ製品の平坦加工にも特注で応じられますので、お気軽にご用命ください。
特長
用途
シンチレータの接着用にエポキシ樹脂表面を平坦に加工
樹脂平坦度: ±5 μm
シンチレータと組み合わせたX線検出器
カロリーメータなど
受光面サイズ: 10 × 10 mm
絶対最大定格 (Ta=25 °C)
項目
逆電圧
動作温度
保存温度
記号
VR Max.
Topr
Tstg
定格値
100
-20 ~ +60
-20 ~ +80
単位
V
°C
°C
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
感度波長範囲
最大感度波長
記号
λ
λp
受光感度
S
暗電流
ID
カットオフ周波数
fc
端子間容量
雑音等価電力
Ct
NEP
条件
λ=λp
BGO: λ=480 nm
CsI (Tl): λ=540 nm
VR=70 V
λ=780 nm, VR=70 V
RL=50 Ω, -3 dB
VR=70 V, f=1 MHz
VR=70 V, λ=λp
Min.
-
Typ.
340 ~ 1100
960
0.66
0.30
0.37
2
Max.
6
単位
nm
nm
A/W
A/W
A/W
nA
-
40
-
MHz
-
40
3.8 × 10-14
-
pF
W/Hz1/2
浜松ホトニクス株式会社
1
S8650
Si PINフォトダイオード
分光感度特性
暗電流-逆電圧
(Typ. Ta=25 °C)
0.7
QE=100 %
0.6
0.5
10 nA
0.4
ճഩၠ
਋࢕ۜഽ (A/W)
(Typ. Ta=25 °C)
100 nA
0.3
1 nA
0.2
0.1
0
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100
100 pA
0.1
1
10
100
‫ݙ‬ഩգ (V)
෨ಿ (nm)
KPINB0231JA
KPINB0255JB
端子間容量-逆電圧
(Typ. Ta=25 °C, f=1 MHz)
10 nF
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
1 nF
100 pF
10 pF
0.1
1
10
‫ݙ‬ഩգ (V)
100
KPINB0256JB
2
Si PINフォトダイオード
S8650
外形寸法図 (単位: mm, 指示なき交差: ±0.2)
+0
14.5 - 0.5
+0
12.7 - 0.5
1.4
਋࢕໐
IJıġ× 10
1.78
0.7
ਏড
਋࢕࿂
5.0
10
0.45
ςȜΡ
ฒΓρηΛ·
ਏড໹౛ഽ: ±5 µm
1.25
KPINA0088JB
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
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本資料の記載内容は、平成24年3月現在のものです。
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Cat. No. KPIN1061J04 Mar. 2012 DN
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