セレクションガイド 2013.11 イメージセンサ 幅 広 い 波 長 範 囲 に 対 応した 計 測 用 イメ ー ジ セ ン サ IMAGE SENSOR イメージセンサ 幅広い波長範囲に対応した 計測用イメージセンサ 浜 松ホトニクスは、赤 外から可 視・紫 外・真 空 紫 外・ 軟X線・硬X線までの広い波長／エネルギー範囲の 計測用として、イメージセンサを開発・製造してきま した。波長・使用目的に応じたイメージセンサを幅広 くそろえ、窓材の変更、 フィルタ付き、 ファイバカップ リングなど、きめ細かな対応も行っています。評価用 や組み込み (OEM)用の駆動回路やマルチチャンネル 検出器ヘッドも提供しています。 Contents イメージセンサの ラインアップ …………………… 1 目次 エリアイメージセンサ ………… 5 裏面入射型CCDエリアイメージセンサ 6 表面入射型CCDエリアイメージセンサ 13 1 イメージセンサ リニアイメージセンサ ……… 15 測距イメージセンサ ………… 23 イメージセンサ応用製品 …… 34 裏面入射型CCDリニアイメージセンサ 16 近赤外用イメージセンサ …… 24 マルチチャンネル検出器ヘッド …… 34 表面入射型CCDリニアイメージセンサ 17 アンプ付フォトダイオードアレイ 27 イメージセンサ用回路 ……………… 38 NMOSリニアイメージセンサ ……… 18 X線イメージセンサ ………… 28 CMOSリニアイメージセンサ ……… 20 X線フラットパネルセンサ … 32 イメージセンサ イメージセンサのラインアップ 製品名 特徴 ラインアップ ページ エリアイメージセンサ ● ● ● 裏面入射型 CCDエリアイメージセンサ 可視域から真空紫外域まで高い量子効率を実現した CCDエリアイメージセンサです。 ● ● ● ● ● ● 表面入射型 CCDエリアイメージセンサ 科学計測機器に適した低暗電流・低ノイズのCCD エリアイメージセンサです。 ● ● 分光分析用 分光分析用 (高解像度タイプ) 分光分析用 (低エタロニングタイプ) 分光分析用 (赤外高感度タイプ) 分光分析用 (大飽和電荷量タイプ) ICP分光分析用 科学計測用 TDI-CCDエリアイメージセンサ 完全空乏型CCDエリアイメージセンサ 6∼12 分光分析用 科学計測用 13, 14 リニアイメージセンサ 裏面入射型 CCDリニアイメージセンサ 電子シャッタ機能を内蔵したCCDリニアイメージ センサです。レジスティブゲート構 造の 採用によ り、高速転送が可能です。 表面入射型 CCDリニアイメージセンサ 表面入射型CCDでありながら、紫外域において裏面 入射型CCDに近い感度を実現したCCDリニアイメージ センサです。 NMOSリニアイメージセンサ 紫外感度が高く、出力直線性が優れているため 精密測光に適しています。 ● 分光分析用 (電子シャッタ内蔵タイプ) 16 ● 分光分析用 17 ● 電流出力タイプ (標準タイプ) 電流出力タイプ (赤外高感度タイプ) 電圧出力タイプ ● ● ● ● CMOSリニアイメージセンサ 信号処理回路を内蔵したイメージセンサです。低消費 電力や装置の小型化が必要な用途に適しています。 ● ● ● ● 標準タイプ 蓄積時間可変タイプ 高速読み出しタイプ 高感度タイプ デジタル出力タイプ 樹脂封止型パッケージ 18, 19 20∼22 測距イメージセンサ 測距イメージセンサ TOF (Time-Of-Flight)方式で対象物までの距離 を測定するセンサです。パ ルス変調した光源と組 み合わせて使用し、発光・受光タイミングの位相差 情報を出力します。 ● ● 測距リニアイメージセンサ 測距エリアイメージセンサ 23 近赤外用イメージセンサ ● InGaAsリニアイメージセンサ 近赤外域用のイメージセンサです。CMOS IC内蔵 により、取り扱いが容易になっています。 InGaAsエリアイメージセンサ ● 近赤外分光分析用 DWDMモニタ用 24∼26 ● ● 熱画像モニタ 近赤外画像検出用 アンプ付フォトダイオードアレイ アンプ付 フォトダイオードアレイ Siフォトダイオードアレイと信号処理ICを組み合わ せたセンサです。複数配列によって、長尺イメージ センサを構成することができます。 ● 長尺タイプ ● X線ラジオグラフィ用CCD/CMOS エリアイメージセンサ TDI-CCDエリアイメージセンサ 非 破 壊 検 査 用アン プ付フォトダイ オードアレイ 27 X線イメージセンサ CCDエリアイメージセンサ、 CMOSエリアイメージセンサ、 アンプ付フォトダイオードアレイ 1 イメージセンサ FOS ( X 線シンチレータ付ファイバ )や 蛍 光 紙と 組み合わせて使用することにより、高品質X線画像 の撮像が可能なイメージセンサ、フォトダイオード アレイです。 ● ● 28∼31 製品名 特徴 ラインアップ ページ X線フラットパネルセンサ ● X線フラットパネルセンサ 高感度・高画質のX線画像をリアルタイムにとらえる ことができるデジタルX線イメージセンサです。 ● ● ● ラジオグラフィ用 (回転型) ラジオグラフィ用 (生化学) 一般タイプ (オフライン) 低ノイズタイプ 32, 33 表面入射型CCDエリアイメージ センサ用 裏面入射型CCDエリアイメージ センサ用 NMOSリニアイメージセンサ用 InGaAsリニアイメージセンサ用 34∼37 CCDイメージセンサ用駆動回路 NMOSリニアイメージセンサ (電流出力タイプ)用駆動回路 NMOSリニアイメージセンサ 駆動回路用パルスジェネレータ CMOSリニアイメージセンサ用 駆動回路 InGaAsリニアイメージセンサ用 駆動回路 38∼41 イメージセンサ用回路 ● マルチチャンネル検出器ヘッド 各種イメージセンサの駆動回路として設計された 製品です。 ● ● ● ● ● イメージセンサ用駆動回路 各種イメージセンサに合わせた駆 動回路、パ ルス ジェネレータを用意しています。 ● ● ● 検出可能な光量範囲の例 高感度フィルム (ISO 1000) InGaAsリニアイメージセンサ (G9201/G9211シリーズ) NMOS/CMOSリニアイメージセンサ (S3901/S8377シリーズ) 非冷却型CCDエリアイメージセンサ (大飽和電荷量タイプ: S7033シリーズ) 非冷却型CCDエリアイメージセンサ (S9970/S7030シリーズ) 冷却型CCDエリアイメージセンサ (S9971/S7031シリーズ) 10-14 10-8 10-12 10-6 10-10 10-4 10-8 10-2 10-6 100 10-4 102 10-2 104 放射照度 (W/cm2) 照度 (lx) KMPDC0106JD イメージセンサ 2 検出可能なエネルギー／感度波長範囲の例 浜松ホトニクスは、2.6 µmの近赤外域 (NIR)から可視、紫外、真空紫外 (VUV)、軟X線、さらには百数十keVの硬X線まで の広い波長範囲に対応したイメージセンサを開発、製造しています。 InGaAsリニア イメージセンサ (長波長タイプ) InGaAs リニア/エリア イメージセンサ 波長 [nm] = 測距 イメージセンサ 1240 フォトンエネルギー [eV] CMOSエリア イメージセンサ CMOSリニア イメージセンサ NMOSリニアイメージセンサ (窓なしタイプ) NMOSリニア イメージセンサ 裏面入射型CCD 裏面入射型CCD (窓なしタイプ) 表面入射型CCD X線イメージング用CCD 表面入射型CCD (窓なしタイプ) フラットパネルセンサ 1 MeV 100 keV 10 keV 1 keV 100 eV 10 eV 1 eV 0.1 eV フォトン エネルギー 波長 0.01 nm 0.1 nm 1 nm 10 nm 100 nm 1 m 10 m KMPDC0105JH 注) NMOSイメージセンサ (窓なしタイプ)を使用してX線ダイレクト検出を行う場合は、使用条件について営業にお問い合わせください。 3 イメージセンサ イメージセンサのラインアップ 分光感度特性 CCDエリアイメージセンサ (窓なし) NMOSリニアイメージセンサ (Typ. Ta=25 ° C) 100 90 S8380/S8381シリーズ (赤外高感度タイプ) 裏面入射型 80 0.4 S10420-01 シリーズ 60 受光感度 (A/W) 量子効率 (%) 70 50 (代表例, Ta=25 ° C) 0.5 S9970/S9971 シリーズ 40 0.3 0.2 30 20 10 0 200 0.1 S9972/S9973 シリーズ 400 600 S3901/S3904シリーズ 800 1000 0 200 1200 400 波長 (nm) 600 800 1200 1000 波長 (nm) KMPDB0251JD KMPDB0161JD CMOSリニアイメージセンサ (代表例, Ta=25 ° C) 0.5 受光感度 (A/W) 0.3 S8377/ S8378シリーズ 0.2 (Typ.) 1.5 S10111∼ S10114シリーズ 0.4 受光感度 (A/W) InGaAsリニアイメージセンサ Td=25 ° C G9206-256W Td=-10 ° C C Td=-20 ° G9205-256W G9201∼G9204/ G9211∼G9214/ 1.0 G9494シリーズ G9207-256W G9208-256W G11135/G11620 シリーズ 0.5 0.1 0 200 400 600 800 1000 1200 波長 (nm) 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 波長 (µm) KMPDB0252JE KMIRB0068JC イメージセンサ 4 エリアイメージセンサ 浜松ホトニクスのCCDエリアイメージセンサは、極めて低ノイズ であることから高S/Nの画像信号が得られます。FFT型を採用 しているため、開口率 (fill factor)は100%を実現しており、 ロスなく光を収集することから、分光測光などの高精度計測 において優れた性能を発揮します。Si基板のパターンが形成 されている側から光を入射させる表面入射型と、裏面から光 を入射させる裏面入射型の2種類があり、豊富な画素サイズ、 画素配列から選択できます。裏面入射型は薄形化した裏面に 理想的な受光面を形成することにより、高い量子効率と広い 感度波長範囲を実現しています。 裏面入射型／表面入射型CCDの構造 一般的にCCDは、パターンが形成されている側から光を入射させる構造になっています。このような構造のCCDを表面入射 型CCDといいます。表面入射型CCDは、ゲート酸化膜・Poly-Si電極・BPSG膜などが堆積したSi基板の表面が光入射面側 にあるため、入射光はその部分で大きく反射・吸収されます。このため量子効率は可視域で最大40%程度になり、紫外域に は感度がありません。 このような問題を解決するために開発されたのが裏面入射型CCDです。裏面入射型CCDは、光をSi基板の裏面から入射する 構造になっているためCCD形成プロセスとは別に、裏面に理想的な受光面を形成することが可能になります。このため裏面 入射型CCDは、広い波長域で高い量子効率を実現します。 CCDの断面構造 裏面入射型 表面入射型 Poly-Si電極 入射光 BPSG膜 Poly-Si電極 BPSG膜 ゲート酸化膜 ゲート酸化膜 ポテンシャルウェル Si ポテンシャルウェル アキュムレーション層 Si 入射光 KMPDC0179JB KMPDC0180JB 裏面入射型CCDでは、Si基板の薄型化と受光面の活性化が不可欠です。受光面の活性化は、裏面入射面近くで発生した 信号電荷が、再結合せずに入射面からCCDのポテンシャルウェルまでスムーズに運ばれるように内部電位を形成すること (アキュムレーション)によって行われます。アキュムレーション状態の内部電位の様子を以下に示します。 裏面入射型CCDの内部電位 表面 裏面 アキュムレーション 入射光 バックサイドウェル Poly-Si電極 ポテンシャルウェル ゲート酸化膜 5 イメージセンサ KMPDC0138JB 裏面入射型CCD エリアイメージセンサ 裏面入射型CCDエリアイメージセンサは、VUV (真空紫外 域)まで高い量子効率を実現しています (ピーク時90%以 上)。また、紫外線の照射に対して、感度の劣化が小さくなっ ています。その上、低ノイズを実現しており、微弱光の検出に 適しています。 分光分析用 高量子効率 (ピーク時90%以上)を実現しており、高精度な分光分析が可能です。 有効画素数 フレームレート*1 (フレーム/s) S7030-0906 512 × 58 316 S7030-0907 512 × 122 239 型名 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] S7030-1006 1024 × 58 192 S7030-1007 1024 × 122 160 S7031-0906S 512 × 58 316 S7031-0907S 512 × 122 239 冷却*2 写真 専用駆動回路*3 (P.34) 非冷却 C7040 1段電子冷却 C7041 24 × 24 S7031-1006S 1024 × 58 192 S7031-1007S 1024 × 122 160 *1: フルラインビニング時 *2: 2 段電子冷却型 (S7032-1006/-1007) にも対応しています ( 受注生産品 )。 *3: 別売 イメージセンサ 6 分光分析用 (高解像度タイプ) 優れた低ノイズ特性を実現したCCDエリアイメージセンサです。 有効画素数 フレームレート*1 (フレーム/s) S10140-1007 1024 × 122 160 S10140-1008 1024 × 250 120 S10140-1009 1024 × 506 80 型名 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] S10140-1107 2048 × 122 96 S10140-1108 2048 × 250 80 S10140-1109 2048 × 506 60 S10141-1007S 1024 × 122 160 S10141-1008S 1024 × 250 120 S10141-1009S 1024 × 506 80 冷却*2 写真 専用駆動回路*3 (P.35) 非冷却 C10150 1段電子冷却 C10151 12 × 12 S10141-1107S 2048 × 122 96 S10141-1108S 2048 × 250 80 S10141-1109S 2048 × 506 60 *1: フルラインビニング時 *2: 2段電子冷却型 (S10142 シリーズ) にも対応しています (受注生産品)。 *3: 別売 7 イメージセンサ エリアイメージセンサ 分光分析用 (低エタロニングタイプ) エタロニング特性を改善したタイプです。低ノイズタイプ (S10420-01シリーズ, S11850-1106)と高速タイプ (S11071 シリーズ, S11851-1106)を用意しました。S11850/S11851-1106は、動作中のチップの温度変化を抑制するため、 パッケージ内に電子冷却素子を内蔵しています。 有効画素数 フレームレート*4 (フレーム/s) S10420-1004-01 1024 × 16 221 S10420-1006-01 1024 × 64 189 型名 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] 冷却 写真 専用駆動回路*5 (P.38) C11287 S10420-1104-01 2048 × 16 116 S10420-1106-01 2048 × 64 106 非冷却 S11071-1004 1024 × 16 1777 1024 × 64 751 14 × 14 S11071-1006 C11288 S11071-1104 2048 × 16 1303 S11071-1106 2048 × 64 651 S11850-1106 106 2048 × 64 S11851-1106 1段電子冷却 651 *4: フルラインビニング時 *5: 別売 低エタロニングタイプ エタロニング特性 (代表例) (Ta=25 ° C) 110 100 低エタロニングタイプ 90 80 相対感度 (%) エタロニングは、入射した光がCCDの表面と裏面で反射と 減衰を繰り返す間に、干渉により感度に強弱が現れる現象 です。 裏面入射型CCDの場合、Si厚とSiの吸収 長との関係か ら、入 射 光 が 長 波 長 の 場 合、エタロニングが 発 生しま す。当社では干渉を起こしにくい独自の構造を採用する ことでエタロニングを大幅に軽 減した裏 面入 射 型CCD (S10420/S11071シリーズ, S11850/S11851-1106)を 実現しました。 70 従来品 60 50 40 30 20 10 0 900 920 940 960 980 1000 波長 (nm) KMPDB0284JB イメージセンサ 8 分光分析用 (赤外高感度タイプ) 近赤外域で高感度を実現しています [QE=40% (λ=1000 nm)]。 型名 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] 有効画素数 フレームレート*1 (フレーム/s) S11500-1007 24 × 24 1024 × 122 160 1024 × 64 189 S11510-1006 冷却 写真 C7040 非冷却 14 × 14 S11510-1106 専用駆動回路*2 (P.34, 38) C11287 2048 × 64 106 *1: フルラインビニング時 *2: 別売 赤外高感度タイプ 赤外高感度タイプ裏面入射型CCDは、当社独自のレーザ 加工技術によりMEMS構造を形成して、800 nm以上の 近赤外域で大幅な高感度化を実現しました。近赤外高感 度の特性を生かし、ラマン分光器への応用が期待されて います。 分光感度特性 (Typ. Ta=25 ° C) 100 赤外高感度タイプ 裏面入射型CCD 90 80 量子効率 (%) 70 60 裏面入射型CCD 50 40 30 20 表面入射型CCD 10 0 200 400 600 800 1000 1200 波長 (nm) KMPDB0329JA 9 イメージセンサ エリアイメージセンサ 分光分析用 (大飽和電荷量タイプ) 広いダイナミックレンジを実現しています。 型名 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] S7033-0907 S7033-1007 有効画素数 フレームレート*3 (フレーム/s) 512 × 122 239 1024 × 122 160 512 × 122 239 冷却 写真 専用駆動回路*4 (P.34, 35) 非冷却 C7043 1段電子冷却 C7044 24 × 24 S7034-0907S S7034-1007S 1024 × 122 160 *3: フルラインビニング時 *4: 別売 ICP分光分析用 裏面入射型構造により紫外から可視域にわたって高感度をもち、広ダイナミックレンジ・低暗電流・アンチブルーミング機能を 実現したCCDエリアイメージセンサです。 型名 S12071 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] 有効画素数 フレームレート*5 (フレーム/s) 冷却 24 × 24 1024 × 1024 Tap A: 0.1 Tap B: 1.5 1段電子冷却 写真 専用駆動回路 写真 専用駆動回路*8 (P.35, 36) *5: エリアスキャン時 科学計測用 高速読み出しタイプや低ノイズタイプなどの豊富なラインアップを用意しています。 型名 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] 有効画素数 フレームレート*6 (フレーム/s) S7170-0909 24 × 24 512 × 512 512 × 4 S9037-1002 非冷却 C7180 1段電子冷却 C7181 非冷却 C9047 C9047-01 0.9 S7171-0909-01 S9037-0902 冷却* 7 1879 1024 × 4 945 512 × 4 1879 24 × 24 S9038-0902S 1段電子冷却 S9038-1002S 1024 × 4 945 *6: エリアスキャン時。ただし S9037/S9038 シリーズはフルラインビニング時の値。 *7: S7170-0909、S7171-0909-01 の 2段電子冷却型にも対応しています ( 受注生産品 )。 *8: 別売 イメージセンサ 10 TDI-CCDエリアイメージセンサ 高速撮像時などの低照度下においても十分な明るさの画像が得られる裏面入射型TDI-CCDです。TDI動作により、移動する 対象物を積分露光することで、飛躍的に高い感度を得ることができます。裏面入射型のため、紫外∼近赤外の幅広い波長域 (200∼1100 nm)で高い量子効率を実現しています。 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] 型名 有効画素数 ポート数 S10200-02-01 1024 × 128 2 S10201-04-01 2048 × 128 4 12 × 12 ピクセルレート (MHz/ポート) ラインレート (kHz) 垂直転送 50 30 S10202-08-01 4096 × 128 8 S10202-16-01 4096 × 128 16 写真 双方向 100 TDI (time delay integration)動作 Time1 Time2 Time3 被写体移動 ・ 信号転送 FFT型CCDは、電荷読み出しの際、列単位で電荷の垂直 転送を行います。その転 送のタイミングと、CCDに入 射 する被写体の移動タイミングを合わせ、CCD画素の垂直 段数分の積分露光をする方式をTDI動作といいます。 1段目 ・ ・ ・ ・ ・ M段目 電荷量 KMPDC0139JA 分光感度特性 (窓なし時) センサ構造図 (S10201-04-01) 裏面入射型のため、表面入射型と比較して紫外∼近赤外域 (200∼1100 nm)で高感度を実現しています。 複数のアンプを配置し、出力をマルチポート化することで、 画像の読み出しを並列化して高速ラインレートを実現しま した。 (Typ. Ta=25 ° C) 3000 OSb4 OSb3 2000 512画素 双方向転送 0 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 OSa4 OSa3 500 OSa2 RG RD OD AGND OG SG P2H P1H 1000 TGb P3V P2V P1V TGa 128画素 OFD OFG DGND 1500 OSa1 受光感度 (V/ J・cm2) 2500 OSb2 OSb1 Bポート側 Aポート側 波長 (nm) KMPDB0268JA 11 イメージセンサ KMPDC0260JA エリアイメージセンサ 完全空乏型CCDエリアイメージセンサ 空乏層を厚くすることにより、近赤外域の感度を飛躍的に向上させた裏面入射型CCDエリアイメージセンサです。 型名 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] 有効画素数 空乏層の厚さ (µm) 冷却 S10747-0909 24 × 24 512 × 512 200 非冷却 写真 専用駆動回路 完全空乏型CCD (裏面入射型)の構造 通常の裏面入射型CCDは、Si厚が数十µmと薄いため、近赤外域の量子効率は低くなります [図1]。Siを厚くすることで、 近赤外域の量子効率を高くすることができますが、バイアスを印加しない場合は中性領域の電荷拡散により解像度が劣 化してしまいます [図2]。完全空乏型CCDは厚くしたSiにバイアスを印加し中性領域をなくすことで、良好な解像度を実現し つつ近赤外域で高い量子効率を実現しています [図3]。ただし、暗電流が大きいため、通常は-70 C程度に冷却して使用 します。 [図1] 通常の裏面入射型CCD [図2] 厚いSiにバイアス電圧を印加しない場合 [図3] 厚いSiにバイアス電圧を印加した場合 (完全空乏型) CCD面 CCD面 空乏層 CCD面 電荷拡散 空乏層 中性領域 空乏層 受光面 GND 青色光 受光面 近赤外光 GND 青色光 近赤外光 受光面 BIAS 青色光 近赤外光 KMPDC0332JA 分光感度特性 (窓なし時) (Typ. Ta=25 ° C) 100 90 80 量子効率 (%) 70 60 標準タイプ 裏面入射型CCD 50 40 30 S10747-0909 20 10 0 200 400 600 800 1000 1200 波長 (nm) KMPDB0313JA イメージセンサ 12 表面入射型CCD エリアイメージセンサ 科学計 測機器に適した低暗電流・低ノイズのCCDエリアイ メージセンサです。 分光分析用 分光分析用に適したCCDです。 有効画素数 フレームレート*1 (フレーム/s) S9970-0906 512 × 60 25 S9970-1006 1024 × 60 12 型名 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] 冷却 写真 専用駆動回路*2 (P.34) 非冷却 S9970-1007 1024 × 124 6 S9970-1008 1024 × 252 3 S9971-0906 512 × 60 25 S9971-1006 1024 × 60 12 24 × 24 C7020 C7021 1段電子冷却 S9971-1007 1024 × 124 6 S9971-1008 1024 × 252 3 S9972-1007*3 1024 × 124 6 C7025 非冷却 S9972-1008*3 1024 × 252 3 S9973-1007*3 1024 × 124 6 C7020-02 C7021-02 1段電子冷却 S9973-1008*3 1024 × 252 3 C7025-02 *1: エリアスキャン時 *2: 別売 *3: 赤外高感度タイプ 注) セラミックパッケージの場合 (S9970/S9972シリーズ)、窓なしタイプ・UVコート・FOPカップリングにも対応が可能です (受注生産品)。 13 イメージセンサ エリアイメージセンサ 科学計測用 高精度の測定が可能なタイプです。特に、有効画素数 512 × 512、1024 × 1024のCCDは2次元画像の取得にも適して います。 型名 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] 有効画素数 フレームレート*1 (フレーム/s) 冷却 S9736-01 パッケージ 写真 専用駆動回路 セラミックDIP 24 × 24 512 × 512 3 S9736-03 プレートタイプ S9737-01 セラミックDIP 12 × 12 1024 × 1024 1 (max.) S9737-03 非冷却 プレートタイプ S9978*2 24 × 24 512 × 512 3 セラミックDIP S9979 48 × 48 1536 × 128 15 セラミックDIP *1: エリアスキャン時 *2: 赤外高感度タイプ 注) セラミックパッケージの場合 (S9736-01/S9737-01/S9978/S9979)、窓なしタイプ、UVコート、FOPカップリングにも対応が可能です (受注生産品)。 イメージセンサ 14 リニアイメージセンサ 裏面入射型CCDリニアイメージセンサは、高い紫外感度の ため、分光測光に適しています。蓄積時間を長くすることに より、微弱光検出が可能です。 表面入射型CCDリニアイメージセンサは、紫外域において 裏面入射型CCDに近い感度を実現しています。 NMOSリニアイメージセンサは、電荷蓄積量が大きく出力の 直 線 性 が 高いため、高 精 度を必 要とする科 学 計 測 機 器に 適しています。出力電荷を外部読み出し回路で電圧に変換する ことが可能です。 CMOSリニアイメージセンサは、産業計測用として広く利用 されています。CMOS技術の技術革新による集積度の向上 によって簡便な取り扱いを可能にし、リーズナブルな価格を 実現しています。NMOSリニアイメージセンサとCMOSリニ アイメージセンサは、CCDと比較すると取り扱う電荷量が大 きく、光量の強い環境下で使用されます。 等価回路 CCDリニアイメージセンサ (S11155/S11156-2048-01) VISH VIG NMOSリニアイメージセンサ (S3901シリーズ) VSG VOG VRET VRD VOD VRG スタート st クロック 1 シフトクロック (2相) ビデオ アナログシフトレジスタ デジタルシフトレジスタ FDA トランスファー ゲート エンドオブスキャン クロック 2 アクティブビデオ アクティブ フォトダイオード VSTG 飽和コントロール ゲート 飽和コントロール ドレイン VREGH VREGL オールリセット ゲート ダミービデオ ダミーダイオード オールリセット ドレイン Vss Vss KMPDC0352JA スタート クロック タイミング発生回路 CMOSリニアイメージセンサ (S9227-03) デジタルシフトレジスタ ビデオ ホールド回路 Vdd Vss KMPDC0121JC 15 イメージセンサ KMPDC0020JC リニアイメージセンサ 裏面入射型CCD リニアイメージセンサ 電子シャッタ内蔵、高い紫外感度を特長とし、分光器用に開発 された裏面入射型CCDリニアイメージセンサです。低ノイズ、 低暗電流、広いダイナミックレンジを実現しています。レジス ティブゲート構造の採用により、高速転送が可能で読み残しの 少ない効率的な読み出しを行うことができます。 分光分析用 (電子シャッタ内蔵タイプ) 電子シャッタ機能を内蔵した裏面入射型CCDリニアイメージセンサです。 型名 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] S11155-2048-01 14 × 500 S11156-2048-01 有効画素数 ラインレート (ライン/s) 冷却 2048 × 1 2254 非冷却 専用駆動回路* (P.38) 写真 C11165-01 14 × 1000 * 別売 レジスティブゲート構造 通常のCCDの場合、1画素内に複数 の電極があり、異なったクロックパ ルスを印加することで信号電荷を転 送します (図1)。レジスティブゲー ト構造の場合、受光部に単一の高抵 抗電極があり、その両端に異なる電 圧を印加してポテンシャルスロープ を形成することで信号電荷を転送し ます (図2)。CCDエリアイメージ センサをラインビニングし1次元の センサとして使用する場合に比べる と、1次元のCCDリニアイメージ センサの受光部においてレジスティ ブゲート構造を採用することによっ て、高速転送が可能になり、画素高 さが大きい場合でも読み残しの少な い読み出しを行うことができます。 [図1] 通常の2相CCDの概念図と電位 P1V P2V P1V [図2] レジスティブゲート構造の概念図と電位 REGL P2V REGH STG TG レジスティブゲート N- N N- N- N N N- N P+ N- N N P P ポテンシャル スロープ KMPDC0320EA KMPDC0321JB イメージセンサ 16 表面入射型CCD リニアイメージセンサ 表面入射型CCDでありながら、紫外域において裏面入射型 CCDに近い感度を実現したCCDリニアイメージセンサです。 分光分析用 紫外域の光に対して高感度と高耐性を実現した表面入射型CCDリニアイメージセンサです。 型名 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] 有効画素数 ラインレート (ライン/s) 冷却 S11151-2048 14 × 200 2048 × 1 484 非冷却 *1: 別売 分光感度特性 (窓なし時, 代表例) (Ta=25 ° C) 100 90 80 量子効率 (%) 70 60 50 40 30 20 10 0 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) KMPDB0372JA 17 イメージセンサ 写真 専用駆動回路*1 (P.38) C11160 リニアイメージセンサ NMOSリニアイメージセンサ NMOSリニアイメージセンサは、 マルチチャンネル分光分析用の 検出器として開発された自己走査型フォトダイオードアレイ です。広い受光面、紫外線に対して高感度で感度劣化が少ない、 低暗電流・大飽和電荷量による広いダイナミックレンジ、優れた 出力直線性とユニフォミティ、低消費電流といった特長をもって います。 電流出力タイプ (標準タイプ) 出力直線性に優れ、分光分析用として最適なリニアイメージセンサです。 型名 画素高さ (mm) 画素ピッチ (µm) 画素数 冷却 2.5 専用駆動回路*2 (P.37, 39) C7884シリーズ C8892 128, 256, 512 S3901シリーズ 写真 50 1024 S3902シリーズ 50 128, 256, 512 0.5 S3903シリーズ 非冷却 25 256, 512, 1024 C7884シリーズ C8892 256, 512, 1024 S3904シリーズ C7884シリーズ C8892 25 2048 2.5 S5930シリーズ 50 256, 512 1段電子冷却 S5931シリーズ 25 C5964シリーズ (センサ内蔵) 512, 1024 *2: 別売 イメージセンサ 18 電流出力タイプ (赤外高感度タイプ) 近赤外域で高い感度をもつNMOSリニアイメージセンサです。 型名 画素高さ (mm) S8380シリーズ S8381シリーズ 画素ピッチ (µm) 画素数 50 128, 256, 512 25 256, 512, 1024 50 256, 512 冷却 写真 専用駆動回路*1 (P.37, 39) 非冷却 C7884シリーズ C8892 1段電子冷却 C5964シリーズ (センサ内蔵) 2.5 S8382シリーズ S8383シリーズ 25 512, 1024 *1: 別売 電圧出力タイプ 電圧出力タイプは、電流出力タイプに比べ、読み出し回路の構成を簡単にすることができます。 型名 画素高さ (mm) S3921シリーズ 2.5 S3922シリーズ 画素ピッチ (µm) 画素数 50 128, 256, 512 冷却 0.5 非冷却 S3923シリーズ 0.5 25 S3924シリーズ 19 イメージセンサ 2.5 256, 512, 1024 写真 専用駆動回路 リニアイメージセンサ CMOSリニアイメージセンサ CMOSリニアイメージセンサは、タイミング回路や信号処理 アンプを同一チップ上に搭載しており、簡単な入力パルスと 単一電源によって駆動できます。そのため、外部回路を簡略 化することができ、産業機器への応用に適しています。 標準タイプ 読み出し回路を内蔵したリニアイメージセンサです。 型名 画素高さ (µm) 画素ピッチ (µm) S8377-128Q 50 S8377-256Q S8377-512Q 画素数 ラインレート (ライン/s) 128 3846 256 1938 512 972 500 専用駆動回路*2 (P.40) C9001 S8378-256Q S8378-512Q 写真 25 S8378-1024Q 256 1938 512 972 1024 487 S9226-03 125 7.8 1024 194 250 12.5 512 9434 S9226-04 S9227-03 S9227-04 *2: 別売 イメージセンサ 20 蓄積時間可変タイプ 蓄積時間の可変機能をもち、高い紫外感度の分光感度特性を特長とした電流出力タイプのリニアイメージセンサです。 型名 画素高さ (mm) 画素ピッチ (µm) S10111-128Q S10111-256Q 2.5 S10111-512Q 画素数 ラインレート (ライン/s) 128 1923 256 969 512 486 128 3846 256 1938 512 972 写真 専用駆動回路* (P.40) 50 S10112-128Q S10112-256Q 0.5 S10112-512Q C10808シリーズ S10113-256Q S10113-512Q 0.5 S10113-1024Q 256 1938 512 972 1024 487 256 969 512 486 1024 243 25 S10114-256Q S10114-512Q S10114-1024Q * 別売 21 イメージセンサ 2.5 リニアイメージセンサ 高速読み出しタイプ 10 MHz (S10453-512Q/-1024Q)、50 MHz (S11105/-01)の高速読み出しが可能です。同時蓄積、蓄積時間可変機能も 備えています。 型名 画素高さ (µm) 画素ピッチ (µm) S10453-512Q 500 画素数 ラインレート (ライン/s) 512 18867 1024 9596 512 88495 写真 専用駆動回路 写真 専用駆動回路 写真 専用駆動回路 写真 専用駆動回路 25 S10453-1024Q S11105 250 12.5 S11105-01 高感度タイプ 各画素ごとにアンプを内蔵することで高感度を実現しています。 型名 S11108 S11639 画素高さ (µm) 画素ピッチ (µm) 画素数 ラインレート (ライン/s) 14 2048 4672 14 200 デジタル出力タイプ 8ビット・10ビットA/D変換器を内蔵したリニアイメージセンサです。 画素高さ (µm) 画素ピッチ (µm) 画素数 ラインレート (ライン/s) 50 14 1024 972 画素高さ (µm) 画素ピッチ (µm) 画素数 ラインレート (ライン/s) S10226 125 7.8 1024 194 S10227 250 12.5 512 9434 S11106 63.5 63.5 128 64935 S11107 127 127 64 111111 型名 S10077 樹脂封止型パッケージ 小型／表面実装型の量産タイプです。 型名 イメージセンサ 22 測距イメージセンサ 測距イメージセンサは、TOF 方式で対象物までの距離を測定 するセンサです。パルス変調した光源と組み合わせて使用し、 発光・受光タイミングの位相差情報を出力します。その信号 を外付けの信号処理回路または PC で演算することによって、 距離データが得られます。 距離計測の構成例 駆動パルス 照射光 光源 (LEDアレイまたはLD) 評価 キット Ethernet PC 反射光 測距 イメージ センサ ターゲット (人、対象物) 受光 レンズ KMPDC0417JA 測距リニアイメージセンサ 型名 S11961-01CR 画素高さ (µm) 画素ピッチ (µm) 画素数 ビデオデータレート (MHz) 50 20 256 5 画素高さ (µm) 画素ピッチ (µm) 画素数 ビデオデータレート (MHz) 40 40 64 × 64 写真 専用駆動回路 写真 専用駆動回路 測距エリアイメージセンサ 型名 S11962-01CR 10 S11963-01CR 23 イメージセンサ 30 30 160 × 120 近 赤 外用イメージセンサ 近 赤外用のInGaAsイメージセンサは、近 赤外域における 幅広い用途に用いられています。CMOS ICによる読み出し 回路を内蔵しているため、信号処理が容易になっています。 チャージアンプ 方 式を採用し、電荷を蓄 積して出力信号を 大きくすることが可能なため、微弱光の検出に適しています。 等価回路 (InGaAsリニアイメージセンサ) 分光感度特性 (Typ.) 1.5 リセット デジタルシフトレジスタ クロック Vdd 受光感度 (A/W) ビデオ ライン Vss Vref 信号処理回路 チャージアンプ Td=25 ° C G9206-256W Td=-10 ° C C Td=-20 ° G9205-256W G9201∼G9204/ G9211∼G9214/ 1.0 G9494シリーズ G9207-256W G9208-256W G11135/G11620 シリーズ 0.5 Si ワイヤ ボンディング フォトダイオード InGaAs 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 INP 波長 (µm) KMIRC0016JB KMIRB0068JC DWDMモニタ用InGaAsリニアイメージセンサ DWDM (dense wavelength division multiplexing)モニタ用に開発されたタイプです。 型名 画素高さ (µm) G9201-256S 画素ピッチ (µm) 画素数 ラインレート (ライン/s) 50 256 1910 250 G9202-512S 25 512 感度波長範囲 (µm) 冷却 0.9∼1.67 （-10 ℃） 1段電子冷却 0.9∼1.7 （25 ℃） 非冷却 256 0.9∼1.67 （-10 ℃） 1段電子冷却 0.9∼1.7 （25 ℃） 非冷却 0.9∼1.67 （-10 ℃） 1段電子冷却 専用駆動回路*1 (P.37) C8061-01 970*2 G9203-256D 50 写真 1910 G9203-256S C8061-01 500 G9204-512D 25 G9204-512S 512 970*2 C8061-01 *1: 別売 *2: ビデオラインを2本で読み出した場合、256画素と同じラインレートになります。 イメージセンサ 24 近赤外分光分析用InGaAsリニアイメージセンサ 近赤外域の分光分析用に適したタイプです。G11135/G11620シリーズは裏面入射型構造を採用し、シングルビデオライン を実現しています。 型名 画素高さ (µm) G9211-256S 画素ピッチ (µm) 画素数 ラインレート (ライン/s) 50 256 1910 25 512 970*2 専用駆動回路*1 (P.37, 41) 感度波長範囲 (µm) 冷却 0.9∼1.67 (-10 ℃) 1段電子冷却 C8061-01 2段電子冷却 C8062-01 0.95∼1.7 (25 ℃) 非冷却 C11513 感度波長範囲 (µm) 冷却 写真 250 G9212-512S G9213-256S 50 256 1910 25 512 970*2 500 G9214-512S G9205-256W 0.9∼1.85 (-20 ℃) G9206-256W 0.9∼2.05 (-20 ℃) 250 50 256 1910 G9207-256W 0.9∼2.25 (-20 ℃) G9208-256W 0.9∼2.55 (-20 ℃) G11620-256DA 50 256 17200 500 G11620-512DA 25 512 9150 型名 画素高さ (µm) 画素ピッチ (µm) 画素数 ラインレート (ライン/s) G9494-256D 50 50 256 7120 写真 専用駆動回路*1 (P.37, 41) C10820 G9494-512D 25 25 512 3720* 2 0.9∼1.7 (25 ℃) G10768-1024D 100 G10768-1024DB 25 G11135-256DD 50 25 1024 39000 50 256 14000 非冷却 0.95∼1.7 (25 ℃) G11135-512DE 25 25 512 8150 *1: 別売 *2: ビデオラインを2本で読み出した場合、256画素と同じラインレートになります。 25 イメージセンサ C10854 C11514 近赤外用イメージセンサ InGaAsエリアイメージセンサ CMOS読み出し回路 (ROIC: readout integrated circuit)と裏面入射型InGaAsフォトダイオードのハイブリッド構造を 採用したエリアイメージセンサです。 型名 画素高さ (µm) 画素ピッチ (µm) G11097-0606S 50 G12242-0707W フレームレート*3 感度波長範囲 (フレーム/s) (µm) 冷却 専用駆動回路*4 (P.37) 写真 1025 64 × 64 C11512 0.95∼1.7 (25 ℃) 50 G11097-0707S G12460-0606S 画素数 128 × 128 279 C11512-01 1段電子冷却 50 50 64 × 64 1025 1.12∼1.9 (25 ℃) 20 20 128 × 128 258 0.95∼1.7 (25 ℃) ̶ 2段電子冷却 ̶ *3: 蓄積時間 1 µs (最小値) *4: 別売 ブロック図 (G11097-0606S/-0707S, G12460-0606S) 読み出し回路の一連の動作について説明します。 フレームスキャン信号である、 マスタースタートパルス(MSP)のLow期間を蓄積時間として、全画素同時にチャージアンプ 出力電圧をサンプルホールドします。その後、画素の走査とビデオ出力を行います。 画素の走査は右図左上を起点に始まります。垂直方向のシフトレジスタが右図上→下へと走査し、各行を順に選択します。 選択された行の各画素において、以下の動作を行います。 ①サンプルホールドされた光信号情報を信号 電圧として信号処理回路へ転送します。 開始 ②信号電圧の転送後、各画素内のアンプをリ シフトレジスタ セットし、リセット電圧を信号処理回路へ 転送します。 ③ 信号処理回路において① 信号電圧と②リ 64 × 64画素 (G11097-0606S) 128 × 128 画素 (G11097-0707S) セット電圧がサンプルホールドされます。 ④水平方向のシフトレジスタが右図左→右へ と走査され、オフセット補償回路にて、①、 ②の電圧差分を計算します。これによって、 各画素内のアンプのオフセット電圧が除去 終了 されます。①、②の電圧差が出力信号とし てシリアルデータの形で出力されます。 信号処理回路 オフセット 補償回路 VIDEO シフトレジスタ KMIRC0067JA 続いて垂直方向のシフトレジスタが次の行を選択し、①∼④の動作を繰り返します。垂直方向のシフトレジスタが64 行目 (G11097-0606S, G12460-0606S)または128行目 (S11097-0707S)まで進んだ後は、フレームスキャ ン信号であるMSPはLow状態です。その後、MSPがHigh→Lowになると、全画素同時にリセットスイッチが開放され、 次フレームの蓄積動作が始まります。 イメージセンサ 26 アンプ付フォトダイオードアレイ アンプ付フォトダイオードアレイは、等倍光学系を用いた長 尺検出システム用に適したCMOSリニアイメージセンサです。 フォトダイオードアレイチップによる受 光 部とCMOS信号 処理チップによる読み出し部から構成されています。複数を 配列することによって、長尺イメージセンサを構成すること ができます。 構成図 (S11865-64/-128) ブロック図 (S11865シリーズ) EXTSP 4 CMOS信号処理チップ RESET 1 Vms 5 Vdd 6 タイミング発生回路 3 TRIG CLK 2 Vref 10 基板 シフトレジスタ 8 EOS ホールド回路 9 Video チャージアンプアレイ Vgain 11 フォトダイオードアレイチップ GND 7 Vpd 12 1 2 KMPDC0186JA 3 4 N-1 N 5 フォトダイオードアレイ KMPDC0153JA 長尺タイプ 工業用検査に適しています。 画素高さ (mm) 画素ピッチ (mm) 画素数 ラインレート (ライン/s) S11865-64 0.8 0.8 64 14678 S11865-128 0.6 0.4 128 7568 S11866-64-02 1.6 1.6 64 14678 S11866-128-02 0.8 0.8 128 7568 型名 写真 専用駆動回路* C9118 C9118-01 * 別売 アンプ付フォトダイオードアレイ用駆動回路 型名 特徴 C9118 接続 シングル／並列接続用 単一電源 (+5 V)、 2つの入力信号 (M-CLK、M-RESET)で動作 C9118-01 27 イメージセンサ シリアル接続用 写真 適合センサ S11865-64 S11865-64G S11865-128 S11865-128G S11866-64-02 S11866-64G-02 S11866-128-02 S11866-128G-02 X 線イメージセンサ CsIタイプのFOS ( X 線シンチレータ付FOP)付CCDは、 FOPがシールドの役目を果たすためCCDのX線損傷を抑制 することができます。FOS以 外に、FOPのカップリングに も対応可能です。なお低価格タイプとして、シンチレータに GOSを用いた製品も用意しています。 TDI-CCD S7199-01、S8658-01は、TDI動作により大きな 被写体 の断層面のX 線イメージングが 可能で、X 線ラジオ グラフィ装置に加え、産業用インラインの非破壊検査用にも 利用できます。 受光面上に蛍光紙を貼ったアンプ付フォトダイオードアレイは、 インラインの工業製品検査装置用、缶詰/レトルト食品の異 物混入検査用など、さまざまな検査装置に使用できます。 X線撮像例 S10810-11による撮像例 S8658-01による撮像例 S7199-01による撮像例 イメージセンサ 28 X線ラジオグラフィ用CCDエリアイメージセンサ X線ラジオグラフィ装置に使用される大面積・高解像度CCDイメージセンサです。 型名 シンチレータ 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] 有効画素数 フレームレート*1 (フレーム/s) S8980 写真 専用駆動回路 2 1500 × 1000 S10810-11 C9266-03 C9266-04 1 CsI (+ FOP) 20 × 20 S10814 S10811-11 1 1700 × 1200 S8984-02 1 (max.) C9266-03 C9266-04 1 ̶ なし *2 *1: エリアスキャン時 *2: FOP をカップリング CCD信号処理モジュール X線CCDエリアイメージセンサに対応した信号処理回路です。PCに接続するだけで簡単に動作させることが可能です。 C9266-03は外部トリガ入力用BNCコネクタが付いています。 型名 信号周波数 インターフェース 1 MHz USB 2.0 C9266-03 C9266-04 写真 適合センサ S10810-11 S10811-11 接続例 USBケーブル PC (Windows XP/7) CCD信号処理モジュール CCDエリアイメージセンサ KACCC0306JC 29 イメージセンサ X線イメージセンサ X線ラジオグラフィ用CMOSエリアイメージセンサ X線ラジオグラフィに使用される大面積・高解像度CMOSイメージセンサです。 型名 シンチレータ 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] 有効画素数 フレームレート (フレーム/s) 1000 × 1500 0.9 1300 × 1700 0.6 写真 専用駆動回路 S10830 S10834 CsI (+ FOP) 20 × 20 S10831 S10835 受光部 S10831, S10835 S10830, S10834 上部遮光画素 (766, 768, 770画素) 上部遮光画素 (756, 758, 760画素) 269画素 269画素 114画素 114画素 269画素 114画素 垂直シフトレジスタ 走査方向 垂直シフトレジスタ 走査方向 1700画素 有効画素数 (1000 × 1500画素) 1500画素 X線照射モニタ用 フォトダイオード 有効画素数 (1300 × 1700画素) X線照射モニタ用 フォトダイオード 下部遮光画素 (1000 × 3画素) 下部遮光画素 (1300 × 3画素) 水平シフトレジスタ走査方向 KMPDC0327JA 水平シフトレジスタ走査方向 KMPDC0328JB TDI-CCDエリアイメージセンサ FFT-CCDにFOSをカップリングした長尺タイプのCCDです。CCDチップの近接配置により、長尺型のセンサ形状を実現して います。X線ラジオグラフィや非破壊X線検査などに使用されています。 型名 シンチレータ 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] S8658-01* 3 フレームレート*4 (フレーム/s) 写真 専用駆動回路 1536 × 128 (× 2チップバタブル) S7199-01*3 CsI (+ FOP) 有効画素数 48 × 48 15 1536 × 128 (× 3チップバタブル) *3: FOP をカップリングしたタイプ (S7199-01F, S8658-01F)も用意しています。 *4: エリアスキャン時 イメージセンサ 30 非破壊検査用アンプ付フォトダイオードアレイ アンプ付フォトダイオードアレイの受光部上に蛍光紙を貼った非破壊検査用のイメージセンサです。 画素高さ (mm) 画素ピッチ (mm) 画素数 ラインレート (ライン/s) S11865-64G 0.8 0.8 64 14678 S11865-128G 0.6 0.4 128 7568 型名 シンチレータ 専用駆動回路*1 写真 C9118 C9118-01 蛍光紙 S11866-64G-02 1.6 1.6 64 14678 S11866-128G-02 0.8 0.8 128 7568 *1: 別売 アンプ付フォトダイオードアレイ用駆動回路 型名 特徴 接続 写真 適合センサ S11865-64 S11865-64G S11865-128 S11865-128G S11866-64-02 S11866-64G-02 S11866-128-02 S11866-128G-02 シングル／パラレル 接続用 C9118 単一電源 (+5 V)、 2つの入力信号 (M-CLK, M-RESET)で動作 C9118-01 シリアル接続用 接続例 シングル／パラレル読み出し例 (C9118) シリアル読み出し例 (C9118-01) 同時蓄積／出力 (高速処理に有効) 同時蓄積／シリアル出力 (外部処理部の簡素化に有効) S11865/ S11866 シリーズ S11865/ S11866 シリーズ C9118 CN2 外部コントローラ C9118-01 CN2 外部コントローラ CN3 スキャン 方向 S11865/ S11866 シリーズ S11865/ S11866 シリーズ C9118 CN2 付属ケーブル C9118-01 外部コントローラ CN2 スキャン 方向 CN3 S11865/ S11866 シリーズ C9118 CN2 S11865/ S11866 シリーズ 外部コントローラ スキャン 方向 スキャン 方向 KACCC0644JA C9118-01 CN2 CN3 KACCC0645JC 31 イメージセンサ X 線フラットパネルセンサ X線フラットパネルセンサは、回転型ラジオグラフィ (CT)や 高感度・高品位のリアルタイムイメージングのキーデバイスと して開発されたデジタルX線イメージセンサです。センサボー ドとコントロールボードから構成され、コンパクトで薄型の 形状となっています。 ラジオグラフィ用 (回転型) 高速動作に対応したタイプです。 型名 スキャン モード Fast mode C10900D*2 Partial mode Fine mode Panoramic mode Fast mode C10901D*2 Fine mode Panoramic mode C10500D-03*2 出力 画素数 [(H) × (V)] デジタル (13ビット) 624 × 624 デジタル (12ビット) 1248 × 1248 デジタル (13ビット) 504 × 341 デジタル (12ビット) 1008 × 682 デジタル (14ビット) 1512 × 60 有効画素数 [(H) × (V)] 画素サイズ (µm) 解像度 フレームレート (フレーム/s) (line pairs/mm) 608 × 616 35 200 2.5 608 × 310 70 17 1216 × 1232 100 4.5 1216 × 72 496 × 336 写真 280 200 60 992 × 672 2.5 30 100 4.5 992 × 72 265 1480 × 60 100 300 4.5 *2: LVDS インターフェース。Gigabit Ethernet タイプも用意しています。 ラジオグラフィ用 (生化学) 低エネルギーX線に対応したタイプです。 型名 出力 画素数 [(H) × (V)] C7942CK-22 デジタル (12ビット) 2400 × 2400 C9730DK-10 1056 × 1056 画素サイズ (µm) 50 フレームレート*3 (フレーム/s) 解像度 (line pairs/mm) インターフェース 2 8 RS-422 (差動) 4 10 デジタル (14ビット) C9732DK-11 写真 USB 2.0 2400 × 2400 1 10 *3: シングル動作時 イメージセンサ 32 一般タイプ (オフライン) 高品質CsIシンチレータを搭載したフラットパネルセンサです。非破壊検査用に適した高解像度を実現しています。密封型マイ クロフォーカスX線源 (50 kVp∼100 kVp)と組み合わせた使用に適しています。 型名 画素数 [(H) × (V)] 出力 C7921CA-29 フレームレート*1 (フレーム/s) 画素サイズ (µm) 1056 × 1056 インターフェース 8 RS-422 (差動) 写真 4 デジタル (12ビット) C7942CA-22 解像度 (line pairs/mm) 50 2400 × 2400 2 *1: シングル動作時 低ノイズタイプ C9728DK-10は、X線回折などの用途に適しています。 出力 画素数 [(H) × (V)] 画素サイズ (µm) フレームレート (フレーム/s) ノイズ (electrons) インターフェース デジタル (14ビット) 1056 × 1056 50 3 80 USB 2.0 型名 C9728DK-10 フラットパネルセンサの接続例 X線撮像例 (背面部) PC/AT ビデオ出力 Vsync, Hsync, Pclk 写真 ハチ (一般タイプX線フラットパネルセンサを使用) OS + 画像取得ソフトウェア フレーム グラバ X線源 モニタ ビニング (bin0, bin1) IntExt ExtTrgGrb 魚 (ラジオグラフィ用X線フラットパネルセンサを使用) 電圧源 [A.vdd, D.vdd, V (±7.5)] ExtTrgLemo MOS Image Sensor for X-Ray フラットパネルセンサ KACCC0269JB 33 イメージセンサ イメージセンサ応 用製品 マルチチャンネル検出器ヘッド イメージセンサは優れた性能をもつ一方で、単素子の場合 に比べて駆動のためのエレクトロニクスや信号処理が複 雑に なりま す。そ のため、I n G a A s／ N M O S／C C D イメージ センサの主要な製品には、センサを組み込んで使 用で きる マル チチャンネル検 出器ヘッドを用意しています。コント ローラおよび ソフトウェアと合わせて、簡単にデータ収集 ができ、センサの性能を評価することが可能です。また、シス テムにOEMとして組みんでセンサの性能を最大限に利用する ことができます。 表面入射型CCDエリアイメージセンサ用 型名 出力 写真 適合センサ C7020 S9970シリーズ C7020-02 S9972シリーズ C7021 S9971-0906/-1006/-1007 アナログ 別売 C7021-02 S9973-1007 C7025 S9971-1008 C7025-02 S9973-1008 裏面入射型CCDエリアイメージセンサ用 (1) 型名 出力 C7040 C7041 C7043 写真 適合センサ S7030シリーズ, S11500-1007 アナログ S7031シリーズ 別売 S7033シリーズ 注) 2段電子冷却型CCDエリアイメージセンサ (裏面入射型)用のマルチチャンネル検出器ヘッドにも対応しています (受注生産品)。 イメージセンサ 34 型名 出力 写真 適合センサ C7044 S7034シリーズ C7180 S7170-0909 C7181 アナログ S7171-0909-01 C10150 S10140シリーズ C10151 S10141シリーズ 別売 注) 2段電子冷却型CCDエリアイメージセンサ (裏面入射型)用のマルチチャンネル検出器ヘッドにも一部対応しています (受注生産品)。 マルチチャンネル検出器ヘッド用コントローラ CCD/NMOS/InGaAsマルチチャンネル検出器ヘッドの主な製品をサポートしています。 型名 C7557-01 インターフェース 写真 適合マルチチャンネル検出器ヘッド C7020/-02, C7021/-02, C7025/-02, C7040, C7041, C7043, C7044 C7180, C7181, C8061-01, C8062-01, C10150, C10151 C5964シリーズ, C8892 USB 2.0 付属品 · USBケーブル · ヒューズ (2.5 A) · 検出器ヘッド接続ケーブル · ACケーブル · ソフトウェア [対応OS: Windows2000/XP/Vista, 7 (32-bit)] · 取扱説明書 · MOSアダプタ 接続図 (C7557-01) シャッタ* タイミングパルス ACケーブル (100∼240 V, C7557-01に付属) Trig. POWER 専用ケーブル (C7557-01に付属) SIGNAL I/O USB ケーブル (C7557-01に付属) TE CONTROL I/O イメージセンサ + マルチチャンネル 検出器ヘッド C7557-01 PC [Windows 2000/XP/Vista, 7 (32-bit)] (USB 2.0) * シャッタなどは用意していません。 KACCC0402JC 35 イメージセンサ イメージセンサ応用製品 裏面入射型CCDエリアイメージセンサ用 (2) 型名 出力 C9047シリーズ デジタル 写真 インターフェース 適合センサ RS-422 S9037シリーズ 別売 LVDS インターフェースボード PCIバスを装備したインターフェースボードです。マルチチャンネル検出器ヘッド C9047シリーズに接続するだけで動作 させることが可能です。 型名 デジタルインターフェース C8940 フレームメモリ シリアルインターフェース 2 Mバイト × 2 Bank 16C550, RS-232レベル 適合マルチチャンネル 検出器ヘッド* 写真 RS-422 C8940-01 C9047 LVDS C9047-01 * 別売 接続例 電源 (5V, ±15 V) POWER + DIGITAL I/O RS-232C インターフェースボード C8940 (RS-422) C8940-01 (LVDS) CCD エリアイメージセンサ S9037シリーズ + マルチチャンネル検出器ヘッド C9047シリーズ PC (Windows 2000/XP） KACCC0210JF イメージセンサ 36 NMOSリニアイメージセンサ用 型名 出力 写真 C5964シリーズ 適合センサ S5930/S5931/S8382/S8383シリーズ センサ内蔵 S3901∼S3904/S8380/S8381シリーズ (S3901-1024Q, S3904-2048Qを除く) 別売 アナログ C8892 注) マルチチャンネル検出器ヘッド用コントローラも用意しています。詳細は35ページを参照してください。 InGaAsリニアイメージセンサ用 型名 C10854 出力 写真 適合センサ G10768-1024D G10768-1024DB CameraLink G9201/G9203/G9211/G9213-256S G9202/G9204/G9212/G9214-512S C8061-01 別売 アナログ C8062-01 G9205/G9206/G9207/G9208-256W 注) マルチチャンネル検出器ヘッド用コントローラも用意しています。詳細は35ページを参照してください。 InGaAsエリアイメージセンサ用 型名 出力 C11512 写真 適合センサ G11097-0606S CameraLink C11512-01 37 イメージセンサ 別売 G11097-0707S イメージセンサ応用製品 イメージセンサ用回路 CCDイメージセンサ、NMOS／CMOSリニアイメージセンサ 用の駆動回路、パルスジェネレータです。 CCDイメージセンサ用駆動回路 型名 信号周波数 インターフェース 写真 適合センサ C11287 250 kHz S10420-01シリーズ S11510シリーズ C11288 4 MHz S11071シリーズ USB 2.0 C11165-01 C11160 別売 6 MHz S11155-2048-01 S11156-2048-01 1 MHz S11151-2048 接続例 C11287 C11288, C11165-01 レーザ レーザ メカニカルシャッタ メカニカルシャッタ パルスジェネレータ パルスジェネレータ USB 2.0 USB 2.0 DC +5 V C11287 C11288, C11165-01 PC KACCC0509JA PC KACCC0526JB C11160 レーザ メカニカルシャッタ パルスジェネレータ USB 2.0 C11160 PC KACCC0669JA イメージセンサ 38 NMOSリニアイメージセンサ (電流出力タイプ)用駆動回路 型名 特徴 写真 C7884 高精度駆動回路 C7884G C7884にパルスジェネレータを実装 適合センサ S3901∼S3904シリーズ S8380/S8381シリーズ (S3901-1024Q, S3904-2048Qを除く) C7884-01 低ノイズ駆動回路 C7884G-01 C7884-01にパルスジェネレータを実装 接続例 C7884, C7884-01 C7884G, C7884G-01 オシロスコープ オシロスコープ パルス ジェネレータ 電源 Start D. GND CLK D. GND +12 V (+15 V) A. GND -12 V (-15 V) EXT TRIG GND NMOS リニア イメージ センサ Video A. GND NMOS リニア イメージ センサ Input GND Analog input GND AD. TRIG D. GND Trigger input GND 電源 +12 V (+15 V) A. GND -12 V (-15 V) Start D. GND EXT TRIG GND Video A. GND Input GND Analog input GND AD. TRIG D. GND Trigger input GND A/D変換器 A/D変換器 KACCC0301JA 39 イメージセンサ KACCC0302JA イメージセンサ応用製品 NMOSリニアイメージセンサ駆動回路用パルスジェネレータ 型名 C8225-01 特徴 写真 適合回路 マスタースタート間隔: 1 µs∼50 s (1→2→5シーケンス) マスタークロック周波数: 62.5 kHz∼32 MHz C7884シリーズ 接続例 (C8225-01) イメージセンサ用 駆動回路 電源 MSt. D. GND MCLK D. GND +5 V D. GND CLK ST 1 2 5 KACCC0305JA CMOSリニアイメージセンサ用駆動回路 型名 特徴 写真 C9001 単一 (+5 V)電源動作、2つの入力信号 (クロック、スタート)で動作 C10808シリーズ 蓄積時間の可変機能付き、 高速読み出しタイプ (C10808)と低ノイズタイプ (C10808-01)を用意 適合センサ S8377/S8378シリーズ S10111∼S10114シリーズ 接続例 C9001 C10808シリーズ C10808シリーズ Vcc CN4 CMOS リニア イメージ センサ パルス ジェネレータ START-EX CLK-EX コントローラ EXT-INT Gain PLD +5V ST CLK INT INT-SEL EOS Video MCLK CN3 Start CLK MStart CMOSリニアイメージセンサ 電源 GND A/D変換器 A. GND KACCC0561JA KACCC0294JA イメージセンサ 40 InGaAsリニアイメージセンサ用駆動回路 型名 特長 写真 適合センサ G9494-256D G9494-512D C10820 微弱光に対応した高ゲイン設定 C11513 USB 2.0インターフェース (USBバスパワー) G11620シリーズ C11514 CameraLink対応 G11135シリーズ 接続例 (C10820) I/Oコネクタ: D-sub15ピンタイプ 信号名 ピン番号 NC 1 A.GND 9 CH. 1 VIDEO DATA 2 EXT. TRIG A.GND 10 A.GND +15 V 3 +15 V NC 11 -15 V -15 V 4 +5 V D.GND 12 D.GND +5 V 5 +5 V D.GND 13 D.GND START 6 Start D.GND 14 D.GND M-CLK 7 TRIGGER 15 同軸ケーブル オシロスコープ 例: PW18-1T (株) テクシオ製 パルスジェネレータ C8225-01 浜松ホトニクス製 CLK A/D TRIG D.GND EOS 8 VIDEO データ処理ボード/PC GND KACCC0499JA 41 イメージセンサ 本資料掲載の光半導体製品 (以下「本製品」)は、絶対最大定格や使用上の注意などを遵守して使 用してください。弊社は品質・信頼性の向上に努めていますが、製品の完全性を保証するものでは ありません。特に人の生命・身体または財産を侵害する恐れのある機器で使用する場合には、発生し 得る不具合を十分に考慮した安全設計を施さなければ危険です。このような機器での使用について は、事前に仕様書などの書面による弊社の同意を得ていない場合は、弊社はその責を負いません。 本製品を用いて製造されたお客様の機器において万一本製品が故障した場合にも、人身事故、 火災事故、そのほか社会的な損害などを生じさせないよう、十分な安全設計 (冗長設計、延焼対策 設計、誤動作防止設計など)を施してください。 最終需要者に対して、本製品およびこれを使用した機器の機能・性能や取り扱いの説明、ならびに 適切な警告・表示などを十分に実施してください。 本製品の保証は、納入後1年以内に瑕疵が発見され、かつ弊社に通知された場合、本製品の修理 または代品の納入を限度とします。ただし、保証期間内であっても、天災および不適切な使用 (改 造、本資料に記載された環境・適用分野・使用方法・保管・廃棄などに関する諸条件に反したこと など)に起因する損害については、弊社はその責を負いません。 弊社製品の輸出など (技術の提供を含む)を行う場合は、外国為替および外国貿易法などの輸出 関連法規を遵守し、輸出許可証、役務取引許可証などが必要であれば確実に取得してください。 なお、輸出関連法規に関する製品の該当／非該当については弊社営業にお問い合わせください。 本資料に記載された応用例は、本製品の代表的な使用例を説明するためのものであり、特定の 使用目的への適合性や商業的利用の成否を保証するものではありません。また、知的財産権の 実施に対する保証または許諾を行うものでもありません。なお、その使用により第三者と知的財 産権にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責任を負いません。 製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。本資料は正確を期するため慎 重に作成されたものですが、まれに誤記などによる誤りがある場合があります。本製品を使用す る際には、必ず納入仕様書をご用命の上、最新の仕様をご確認ください。なお、本資料のほか、技 術資料や納入仕様書に記載された注意事項なども必ずご覧ください。 本資料の記載内容について、弊社の許諾なしに転載または複製することを禁じます。 ■ 営業品目 光半導体製品ラインアップ 受 光 素 子 光半 導 体 製 品 Siフォトダイオード APD ● MPPC ● フォトIC ● イメージセンサ ● PSD （位置検出素子） ● 赤外線検出素子 ● LED ● 光通信用デバイス ● 車載用デバイス ● X線フラットパネルセンサ ● ミニ分光器 ● 光半導体モジュール ● ● Siフォトダイオード、APD、MPPC フォトIC イメージセンサ PSD（位置検出素子） 赤外線検出素子 X線フラットパネルセンサ 電子 管 製 品 光電子増倍管 光電子増倍管モジュール ● マイクロチャンネルプレート ● イメージインテンシファイア ● キセノンランプ・水銀キセノンランプ ● 重水素ランプ ● 光源応用製品 ● レーザ応用製品 ● マイクロフォーカスX線源 ● X線イメージングデバイス ● ● LED 光通信用デバイス 車載用デバイス ミニ分光器 システム応 用 製 品 カメラ・画像計測装置 X線関連製品 ● ライフサイエンス分野製品 ● 医療分野製品 ● 半導体故障解析装置 ● FPD/LEDの特性評価装置 ● 分光計測・光計測装置 ● ● レー ザ製品 ● ● 半導体レーザ及び応用製品 固体レーザ 光半導体モジュール ● ● 本資料の記載内容は、平成25年11月現在のものです。 製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。製品を使用する際には、納入仕様書をご用命の上、最新の内容をご確認ください。 Cat. No. KMPD0002J12 Nov. 2013 (2,000) 仙 台 営 業 所 筑 波 営 業 所 東 京 営 業 所 中 部 営 業 所 大 阪 営 業 所 西日本営業所 〒980-0011 〒305-0817 〒105-0001 〒430-8587 〒541-0052 〒812-0013 仙台市青葉区上杉1-6-11（日本生命仙台勾当台ビル2階） 茨城県つくば市研究学園D6街区8画地（研究学園スクウェアビル7階） 東京都港区虎ノ門3-8-21（虎ノ門33森ビル5階） 浜松市中区砂山町325-6（日本生命浜松駅前ビル4階） 大阪市中央区安土町2-3-13（大阪国際ビル10階） 福岡市博多区博多駅東1-13-6 (竹山博多ビル5階) 固体営業推進部 〒435-8558 浜松市東区市野町1126-1 Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: 022-267-0121 029-848-5080 03-3436-0491 053-459-1112 06-6271-0441 092-482-0390 Tel: 053-434-3311 Fax: Fax: Fax: Fax: Fax: Fax: 022-267-0135 029-855-1135 03-3433-6997 053-459-1114 06-6271-0450 092-482-0550 Fax: 053-434-5184