INHNパワーセーブプルアップ抵抗

Application Guide
INHN Power Saving Pull-up Resistance ／ INHN パワーセーブプルアップ抵抗について
Power saving pull-up resistance helps:
1) Reduce current consumption in standby mode.
2) Reduce the transfer of noise on INHN into the IC in operating mode, helping avoid incorrect operation.
These two functions can be made mutually compatible.
In standby mode (INHN = “Low”), the resistance is large (several MΩ) suppressing the current in the pull-up resistor to the order of µA,
reducing the current consumption (Figure 1-1).
In normal operating mode (INHN = “Open” or “High”), transistor Tr.1 turns ON and the pull-up resistance decreases (approximately 100kΩ).
Consequently, the IC is less susceptible to the effects of noise, helping to avoid problems such as the output stopping suddenly (Figure 1-2).
パワーセーブプルアップ抵抗とは、
1)スタンバイ時の消費電流を低減する。
2)動作時にINHN端子が受けるノイズをIC内部に伝えにくくすることで、誤動作を回避できる。
この2つを両立させることのできる機能です。
スタンバイ時(INHN =“Low”)は、高抵抗(数MΩ)となり、プルアップ抵抗に流れる電流を数µA程度に抑え、スタンバイ時の
消費電流を低減しています。(Figure 1-1)
動作時(INHN =
“OPEN”or“High”)は、Tr.1がON、プルアップ抵抗は低抵抗(100kΩ程度)になります。これにより、IC内部への
ノイズを伝えにくくし、不意に出力が停止するなどの問題を回避できます。(Figure 1-2)
Tr.1
OFF
R1
(High)
Irup
VIN
R2
(Low)
INHN
Figure 1-1. Pull-up resistance equivalent circuit (Standby mode)
パワーセーブプルアップ抵抗等価回路図(スタンバイ時)
Tr.1
ON
R1
(High)
Irup
VIN
R2
(Low)
INHN
Figure 1-2. Pull-up resistance equivalent circuit (Normal operating mode)
パワーセーブプルアップ抵抗等価回路図(動作時)
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Figure 2 shows the pull-up resistance switching between standby mode and normal operating mode.
Figure 2は、ICのスタンバイ時と動作時でのプルアップ抵抗の切り換わる様子を示したものです。
Not covered by recommended
operating conditions
3.5
Standby mode
Operating mode
3.0
RUP [MΩ]
2.5
2.0
1.5
INHN operation
is unstable.
1.0
0.5
0.0
−1.0 −0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VIN [V]
Figure 2. INHN input voltage (VIN) vs. Pull-up resistance (RUP) typical characteristics
INHN端子入力電圧(VIN)−プルアップ抵抗(RUP)特性例
(Ex. 5009AL1, VDD = 3.3V)
The pull-up resistance value is calculated using the following equation.
プルアップ抵抗値は以下のように計算できます。
RUP =
V DD − V IN
I rup
(where VIN≠VDD )
Note. The operation near the standby mode and operating mode switching voltage threshold can make INHN operation unstable and
should be avoided. Also note that if a voltage lower than VSS or a voltage higher than VDD is applied to INHN, the protection
diodes start to conduct, resulting in very high current flow. This can result in device breakdown.
スタンバイ時と動作時の切り換え電圧付近での使用は、INHNの動作が不安定なため、ご遠慮下さい。また、INHNにVSSより
低い電圧やVDDより高い電圧を加えた場合、INHN端子の保護ダイオードが動作し、多くの電流が流れます。このようなご使用は
ICを破壊する可能性があり危険なため、ご遠慮下さい。
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TRC091060
2009.01
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