NJM2855 低飽和型レギュレータ 概要 NJM2855はバイポーラプロセスを使用し、ローノイズ・高 リップル除去比を実現した低飽和型レギュレータです。 耐圧は10V、出力電流は1Aで高放熱特性を持つTO-252-3パ ッケージに搭載しております。2.2µFセラミックコンデンサ対 応の為、実装面積の削減にも貢献できます。 このため、民生機器やポータブル機器まで幅広いアプリケー ションに最適です。 ■外形 NJM2855DL1 特徴 ● 高リップル除去比 75dB typ. (f=1kHz,Vo=3V品) ● ローノイズ Vno=45µVrms typ. ● 2.2µFセラミックコンデンサ対応(Vo≥2.7V) ● 出力電流 Io(max.)=1A ● 高精度出力電圧 Vo±1.0% ● 低入出力間電位差 0.20V typ. (Io=600mA時) ● サーマルシャットダウン回路内蔵 ● 過電流保護回路内蔵 ● バイポーラ構造 ● パッケージ TO-252-3 端子配列 2 1 ピン配置 1.VIN 2.GND 3.VOUT 3 NJM2855DL1 等価回路図 V IN V OUT Thermal Protection Bandgap Reference GND Ver.2012-10-24 -1- NJM2855 出力電圧ランク Device Name Vout Device Name NJM2855DL1-15 1.5V NJM2855DL1-35 NJM2855DL1-16 1.6V NJM2855DL1-36 NJM2855DL1-17 1.7V NJM2855DL1-37 NJM2855DL1-18 1.8V NJM2855DL1-38 NJM2855DL1-19 1.9V NJM2855DL1-39 NJM2855DL1-02 2.0V NJM2855DL1-04 NJM2855DL1-21 2.1V NJM2855DL1-41 NJM2855DL1-22 2.2V NJM2855DL1-42 NJM2855DL1-23 2.3V NJM2855DL1-43 NJM2855DL1-24 2.4V NJM2855DL1-44 NJM2855DL1-25 2.5V NJM2855DL1-45 NJM2855DL1-26 2.6V NJM2855DL1-46 NJM2855DL1-27 2.7V NJM2855DL1-47 NJM2855DL1-28 2.8V NJM2855DL1-48 NJM2855DL1-29 2.9V NJM2855DL1-49 NJM2855DL1-03 3.0V NJM2855DL1-05 NJM2855DL1-31 3.1V NJM2855DL1-32 3.2V NJM2855DL1-33 3.3V NJM2855DL1-34 3.4V 対応可能な電圧ランクは白い欄で示されます。 -2- Vout 3.5V 3.6V 3.7V 3.8V 3.9V 4.0V 4.1V 4.2V 4.3V 4.4V 4.5V 4.6V 4.7V 4.8V 4.9V 5.0V Ver.2012-10-24 NJM2855 (Ta=25°C) 絶対最大定格 項 目 記 号 入力電圧 VIN 消費電力 PD 動作温度 保存温度 Topr Tstg 定 格 +10 1190(*1) 3125(*2) -40 ∼ +85 -40 ∼ +150 単 位 V mW °C °C (*1): 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(2層 FR-4)でEIA/JEDEC 規格サイズ、且つ銅箔面積100mm2 (*2): 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(4層 FR-4)でEIA/JEDEC 準拠による （4層基板内箔：74.2×74.2mm、JEDEC 規格JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用） 入力電圧範囲 VIN=+2.5V(出力電圧 Vo：2.3V 未満の製品) ~ +8V 電気的特性 (VIN=Vo+1V, CIN=0.33µF, Co=2.2µF(1.7V<Vo≤2.6V : 4.7µF, Vo≤1.7V : 10µF), Ta=25°C) 項 目 出力電圧 無負荷時無効電流 出力電流 記 号 Vo IQ Io ラインレギュレーション ∆Vo/∆VIN ロードレギュレーション 入出力間電位差(*3) ∆Vo/∆Io ∆VI -O リップル除去比 出力電圧温度係数 出力雑音電圧 入力電圧 RR ∆Vo/∆Ta VNO VIN 条 件 Io=30mA Io=0mA Vo - 0.3V VIN=Vo+1V~Vo+6V(Vo≤2V), VIN=Vo+1V~8V(Vo>2V), Io=30mA Io=0 ∼ 1A Io=600mA ein=200mVrms,f=1kHz,Io=10mA, Vo=3.0V品 (*4) Ta=0 ∼ +85°C, Io=10mA f=10Hz ∼ 80kHz, Io=10mA, Vo=3.0V品 最小 標準 最大 単位 − -1.0% +1.0% V − 400 600 µA − 1000 1300 mA − − 0.10 %/V − − − 0.20 0.004 0.28 %/mA V − 75 − dB − − − ± 50 45 − − − 8 ppm/°C µVrms V (*3): 出力電圧 Vo：2.3V 未満の製品は除く。 (*4): Vo>2.0V : VIN=Vo+1V, Vo≤2.0V : VIN=3.0V 各出力電圧共通表記としているため、個別仕様書とは異なることがあります。 別途仕様書にて確認の程、お願いいたします。 Ver.2012-10-24 -3- NJM2855 消費電力−周囲温度特性例 NJM2855DL1 PowerDissipation (Topr=-40~+85°C,Tj=150°C) Power Dissipation PD(mW) 3500 3000 on 4 layers board 2500 2000 1500 on 2 layers board 1000 500 0 -50 -25 0 25 50 75 100 Temperature : Ta(°C) ■ 測定回路図 A VIN IIN VIN 0.33µF VOUT IOUT V VOU NJM2855 2.2µF *5 (ceramic) GND *5 ■ 1.7V<Vo≤2.6V version: Co=4.7µF(ceramic) Vo≤1.7V version: Co=10µF(ceramic) 応用回路例 VIN VIN 0.33µF VOUT NJM2855 VOUT 2.2µF *6 GND *6 -4- 1.7V<Vo≤2.6V version: Co=4.7µF Vo≤1.7V version: Co=10µF Ver.2012-10-24 NJM2855 ・入力コンデンサ CIN について 入力コンデンサ CIIN は、電源インピーダンスが高い場合や、VIN 又は GND 配線が長くなった場合の発振を防止する 効果があります。 そのため、推奨値（電気的特性共通条件欄に記載している容量値）以上の入力コンデンサ CIN を VIN 端子- GND 端 子間にできるだけ配線が短くなるように接続してください。 ・出力コンデンサ CO について 出力コンデンサ Co はレギュレータ内蔵のエラーアンプの位相補償を行うために必要であり、容量値と ESR(Equivalent Series Resistance: 等価直列抵抗)が回路の安定度に影響を与えます。 推奨容量値（電気的特性共通条件欄に記載している容量値）未満の Co を使用すると内部回路の安定度が低下 し、出力ノイズの増加、レギュレータの発振等が起こる可能性がありますので、安定動作のために推奨容量 値以上の Co を、VOUT 端子−GND 端子間に最短配線で接続して下さい。 推奨容量値は出力電圧により異なり、低出力電圧品では大きな容量値を必要とする場合がありますので、 出力電圧毎に推奨容量値をご確認ください。尚、Co は容量値が大きいほど出力ノイズとリップル成分が減 少し、出力負荷変動に対する応答性も向上させることが出来ます。 また、コンデンサ固有の特性変動量(周波数特性、温度特性、DC バイアス特性)やバラツキを充分に考慮 する必要がありますので、温度特性が良く、出力電圧に対し余裕を持った耐圧のものを推奨致します。 本製品は低ESR品を始め、幅広い範囲のESRのコンデンサで安定動作するよう設計されておりますが、コ ンデンサの選定に際しては、上記特性変動等もご考慮の上、適切なコンデンサを選定してください。 Ver.2012-10-24 -5- NJM2855 特性例 NJM2855_3.0V Output Voltage vs. Input Voltage 3.3 NJM2855_3.0V Output Voltage vs. Output Current 4 @:Ta=25oC Co=2.2µF(Ceramic) 3.5 3.2 3.1 Output Voltage : Vo(V) Output Voltage : Vo(V) 3 Io=100mA 3 Io=0A 2.9 2.5 2 1.5 1 2.8 @:Ta=25oC V IN=4V Co=2.2µF(Ceramic) 0.5 Io=1A Io=500mA 2.7 0 2.7 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 0 500 NJM2855_3.0V Ground Pin Current vs. Output Current 35 1500 2000 NJM2855_3.0V Dropout Voltage vs. Output Current 0.4 @:Ta=25oC Co=2.2µF (Ceramic) 0.35 30 0.3 25 Dropout Voltage:dVI-O (V) Ground Pin Current : IGND (mA) 1000 Output Current : Io(mA) Input Voltage : V IN(V) 20 15 10 5 @:Ta=25oC V IN=4.0V Co=2.2µF(Ceramic) 0.25 0.2 0.15 0.1 0.05 0 0 0 200 400 600 800 1000 0 1200 200 400 NJM2855_3.0V Load Regulation vs. Output Current 0 600 800 1000 1200 1400 Output Current:Io(mA) Output Current : IO(mA) NJM2855_3.0V Peak Output Current vs. Input Voltage 2500 2000 Peak Output Current : Io MAX(mA) Load Regulation : dVo/dIo(mV) -10 -20 -30 -40 -50 -60 1500 1000 500 o -70 @:Ta=25 C VIN=4.0V Co=2.2µF(Ceramic) o @:Ta=25 C Co=2.2µF(Ceramic) 0 -80 0 200 400 600 800 1000 Output Current : Io(mA) Ver.2012-10-24 1200 1400 4 5 6 7 8 Input Voltage : V IN(V) -6- NJM2855 特性例 NJM2855_3.0V Quiescent Current vs. Input Voltage 6000 @:Ta=25oC Output is open. Co=2.2µF(Ceramic) o Output Noise Voltage : Vn(uVrms) 5000 Quiescent Current : I Q (uA) NJM2855_3.0V Output Noise Voltage vs. Output Current 100 4000 3000 2000 1000 1 2 3 4 5 6 7 80 60 40 20 0 0.001 0 0 @:Ta=25 C VIN=4.0V LPF:80kHz Co=2.2µF(ceramic) 8 0.01 Input Voltage : V IN(V) NJM2855_3.0V Ripple Rejection Ratio vs. Frequency Ripple Rejection Ratio : RR (dB) Io=0mA 70 60 Io=30mA Io=100mA 40 @: Ta=25oC VIN=4V ein=200mVrms Co=2.2µF(Ceramic) 30 100 70 60 1k Frequency : f (Hz) 10k 100 f=10kHz 50 40 @:Ta=25oC V IN=4V ein=200mVrms Co=2.2µF(Ceramic) 20 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Output Current : Io(mA) NJM2855_3.0V Equivalent Serise Resistance vs. Output Current 100 Equivalent Serise Resistance : ESR (Ω) 1000 80 30 20 10 100 f=1kHz 80 50 10 90 Io=10mA 90 1 NJM2855_3.0V Ripple Rejection vs. Output Current 100 Ripple Rejection : RR (dB) 100 0.1 Output Current : Io(mA) 10 VIN=4V 1 STABLE REGION 0.1 @:Ta=25oC Co=2.2µF(Ceramic) VIN=4V 0.01 0.02 0.001 0.01 0.1 1 10 100 3 10 Output Current : Io(mA) Ver.2012-10-24 -7- NJM2855 特性例 NJM2855_3.0V Dropout Voltage vs. Temperature 0.4 3.1 Io=600mA Co=2.2µF(Ceramic) 0.35 0.3 3.05 Output Voltage : Vo(V) Dropout Voltage:dVI-O (V) NJM2855_3.0V Output Voltage vs. Temperature 0.25 0.2 0.15 0.1 3 2.95 0.05 0 @:VIN=4.0V Io=30mA Co=2.2µF(Ceramic) 2.9 -50 0 50 100 150 -50 0 Temperature : Ta ( oC) NJM2855_3.0V Quiescent Current v.s. Input Voltage 600 100 150 1000 NJM2855_3.0V Short Circuit Current v.s. Temperature @:VIN=4.0V Output is open. Co=2.2µF(Ceramic) 500 @:VIN=4.0V Co=2.2µF (Ceramic) Output is short to ground. 800 Short Circuit Current : Isc (mA) Quiescent Current : I Q (uA) 50 Temperature : Ta ( oC) 400 300 200 100 600 400 200 0 0 -50 0 50 100 -50 150 0 o NJM2855_3.0V Line Regulation vs. Temperature 0.1 50 100 150 Temperature : Ta ( oC) Temperature : Ta ( C) 0.03 NJM2855_3.0V Load Regulation vs. Temperature @:VIN=4.0V Io=0-1000mA Co=2.2µF(Ceramic) Load Regulation : dVo/dIo(%/mA) Line Regulation : dVo/dIo(%/V) 0.025 0.05 0 -0.05 -0.1 @:VIN=4.0-8.0V Io=30mA Co=2.2µF(Ceramic) -50 0 50 o Temperature : Ta ( C) -8- 100 150 0.02 0.015 0.01 0.005 0 -50 0 50 o 100 150 Temperature : Ta ( C) Ver.2012-10-24 NJM2855 特性例 NJM2855_3.0V Output Voltage vs. Temperature 4 3.5 Output Voltage : Vo(V) 3 2.5 2 1.5 1 0.5 @:VIN=4.0V Io=30mA Co=2.2µF(Ceramic) 0 -50 0 50 100 150 200 Temperature : Ta ( oC) NJM2855_3V Line Transient Response NJM2855_3V Load Transient Response 6 3.1 Output Current 5 3.08 1100 3.25 3.2 1000 3.15 900 3.1 800 3.04 3 2 3.02 Output Voltage 1 3 0 2.98 @:Ta=25o C V IN=4V Co=2.2µF Io=30mA 2.96 40 Output Voltage 600 3 500 2.95 o 2.94 0 700 3.05 Output Current : Io [mA] 4 Output Voltage : Vo [V] 3.06 Input Voltage : VIN [V] Output Voltage : Vo [V] Input Voltage 80 120 Time : t [µs] 160 -1 2.9 -2 200 2.85 @:Ta=25 C VIN=4V Co=2.2µF 0 40 80 120 Time : t [µs] 160 400 300 200 ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 Ver.2012-10-24 -9-