NJG1144KA1 GPS 用低雑音増幅器 GaAs MMIC

NJG1144KA1
GPS 用低雑音増幅器 GaAs MMIC
概要
NJG1144KA1 は 、 GNSS(Global Navigation Satellite
Systems) で の 使 用 を 主 目 的 と し た 低 雑 音 増 幅 器 で 、
1.5~3.6V の電源電圧で動作します。本製品は、低 NF、高利
得と良好な入力 VSWR を特徴とします。また、外部整合回
路の変更により、1.0~3.0GHz 帯での使用も可能です。ESD
保護回路を内蔵することにより、高 ESD 耐圧を実現しまし
た。
パッケージには、小型で、実装しやすい FLP6-A1
を採用しました。
外形
NJG1144KA1
アプリケーション
GPS、GLONASS、Galileo 及び COMPASS などを含む GNSS 用途
特徴
動作電圧範囲
低消費電流
1.5V~3.6 V
3.5 mA
@VDD=2.85V
1.8 mA
@VDD=1.8V
低雑音
0.65 dB
@ f=1575MHz、VDD =2.85V
高利得
21.0 dB
@ f=1575MHz、VDD =2.85V
高 IIP3
-2.0 dBm
@ f=1575MHz、VDD =2.85V
パッケージ
FLP6-A1(パッケージサイズ:1.6mm x 1.6mm x 0.55mm typ.)
鉛フリー、ハロゲンフリー対応
端子配列
(Top View)
4
5
6
RFIN
GND
3
GND
GND
2
RFOUT
1
NC(GND)
端子番号
1
2
3
4
5
6
端子名
RFOUT
GND
GND
RFIN
GND
NC(GND)
1 Pin INDEX
注: 本資料に記載された内容は、予告なく変更することがあります。
Ver.2 2014-02-17
-1-
NJG1144KA1
絶対最大定格
Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω
項目
記号
条件
定格
単位
5.0
V
電源電圧
VDD
入力電力
Pin
VDD=2.85V
+15
dBm
消費電力
PD
4 層(74.2x74.2mm)
FR4 基板実装時、Tj=150℃
580
mW
動作温度
Topr
-40~+85
°C
保存温度
Tstg
-55~+150
°C
電気的特性 1 (DC 特性)
共通条件: VDD=2.85V, freq=1575MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
1.5
‐
3.6
V
電源電圧
VDD
消費電流 1
IDD1
RF OFF、VDD=2.85V
-
3.5
5.5
mA
消費電流 2
IDD 2
RF OFF、VDD=1.8V
-
1.8
3.2
mA
-2-
NJG1144KA1
電気的特性 2 (RF 特性)
共通条件: VDD=2.85V, freq=1575MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
項目
小信号電力利得 1
雑音指数 1
1dB 利得圧縮時
入力電力 1
入力 3 次インター
セプトポイント 1
記号
条件
Gain1
NF1
基板、コネクタ損失(0.08dB)
除く
P-1dB(IN)1
IIP3_1
f1=fRF,f2=f1+100kHz,
Pin=-34dBm
最小
標準
最大
単位
18.0
21.0
23.5
dB
-
0.65
0.95
dB
-19.0
-16.5
-
dBm
-5.0
-2.0
-
dBm
RF IN VSWR1
VSWRi1
-
1.5
2.0
RF OUT VSWR1
VSWRo1
-
1.5
2.0
電気的特性 3 (RF 特性)
共通条件: VDD=1.8V, freq=1575MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
項目
小信号電力利得 2
雑音指数 2
1dB 利得圧縮時
入力電力 2
入力 3 次インター
セプトポイント 2
記号
条件
Gain 2
NF2
基板、コネクタ損失(0.08dB)
除く
P-1dB(IN)2
IIP3_2
f1=fRF,f2=f1+100kHz,
Pin=-34dBm
最小
標準
最大
単位
-
18.0
-
dB
-
0.85
-
dB
-
-18.5
-
dBm
-
-6.0
-
dBm
RF IN VSWR2
VSWRi 2
-
1.8
-
RF OUT VSWR2
VSWRo 2
-
1.8
-
-3-
NJG1144KA1
端子情報
-4-
番号
端子名
機能説明
1
RFOUT
2
GND
接地端子(0V)です。極力 IC ピン近傍で接地電位に接続して下さい。
3
GND
接地端子(0V)です。極力 IC ピン近傍で接地電位に接続して下さい。
4
RFIN
RF 信号入力端子です。外部整合回路を介して RF 信号が入力されます。
この端子には DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。
5
GND
接地端子(0V)です。極力 IC ピン近傍で接地電位に接続して下さい。
6
NC(GND)
RF 信号出力端子です。外部整合回路を介して RF 信号が出力されます。
この端子は電源電圧供給端子も兼ねていますので、外部回路図に示す L3
を介して電源を供給して下さい。
この端子はチップ内部との接続がありません。基板上で接地電位に接続して
下さい。
NJG1144KA1
■特性例 (VDD=2.85V )
共通条件:VDD=2.85V, freq=1575MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
Pout vs. Pin
Gain, IDD vs. Pin
(VDD=2.85V, fRF=1575MHz)
(VDD=2.85V, fRF=1575MHz)
15
24
10
10
Gain (dB)
0
Pout
9
20
8
18
7
16
6
14
5
-10
IDD
12
-15
4
10
P-1dB(IN)=-16.5dBm
-20
-40
-30
-20
-10
0
3
P-1dB(IN)=-16.5dBm
8
-40
10
2
-30
Pin (dBm)
Pout, IM3 vs. Pin
10
OIP3, IIP3 vs. frequency
6
22
Pout
OIP3
-20
OIP3 (dBm)
Pout, IM3 (dBm)
0
(VDD=2.85V, f1=1550~1600MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-34dBm)
8
24
20
-40
-60
-10
Pin (dBm)
(VDD=2.85V, f1=1575MHz, f2=f1+100kHz)
0
-20
IM3
20
4
18
2
0
16
IIP3
14
-2
12
-4
10
-6
IIP3 (dBm)
-5
-80
IIP3=-2.0dBm
-100
-40
-30
-20
-10
0
8
1550
10
1560
1570
1580
1590
-8
1600
frequency (MHz)
Pin (dBm)
NF, Gain vs. frequency
3.0
26
2.5
24
Gain
2.0
1.5
22
20
1.0
Gain (dB)
(VDD=2.85V, f=1500~1650MHz)
Noise Figure (dB)
Pout (dBm)
5
22
IDD (mA)
Gain
18
NF
0.5
16
(NF: Exclude PCB, Connector Losses)
0.0
1500
1550
1600
14
1650
frequency (MHz)
-5-
NJG1144KA1
■特性例 (VDD=2.85V )
共通条件:VDD=2.85V, freq=1575MHz, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
Gain, NF vs Temperature
P-1dB(IN) vs. Temperature
(VDD=2.85V, f=1575MHz)
23
2.5
-12
2.0
Gain
21
1.5
20
1.0
NF
19
P-1dB(IN) (dBm)
-10
Noise Figure (dB)
3.0
22
Gain (dB)
(VDD=2.85V, f=1575MHz)
24
0.5
-14
-16
-18
P-1dB(IN)
-20
-22
(NF: Exclude PCB, Connector Losses)
18
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
-24
-60
0.0
100
-40
-20
OIP3, IIP3 vs. Temperature
4.0
3
3.5
2
3.0
1
0
19
-1
18
60
80
100
VSWRi
VSWRo
2.5
VSWR
20
OIP3
40
(VDD=2.85V, f=1575MHz)
IIP3 (dBm)
OIP3 (dBm)
21
20
VSWR vs. Temperature
(VDD=2.85V, f1=1575MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-34dBm)
4
23
22
0
Temperature (oC)
Temperature (oC)
2.0
1.5
IIP3
17
-2
1.0
16
-3
0.5
15
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
-4
100
0.0
-60
Temperature (oC)
0
20
40
60
80
100
k factor vs. Temperature
(VDD=2.85V, f=50MHz~20GHz)
(VDD=2.85V, RF OFF)
20
6
5
15
k factor
IDD (mA)
-20
Temperature (oC)
IDD vs. Temperature
4
3
-40
10
-40oC
-25oC
-10oC
IDD
0oC
5
+25oC
2
+55oC
+85oC
1
-60
0
-40
-20
0
20
40
60
Temperature (oC)
-6-
80
100
0
5
10
frequency [GHz]
15
20
NJG1144KA1
■特性例 (VDD=1.8V )
共通条件:VDD=1.8V, freq=1575MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
Pout vs. Pin
Gain, IDD vs. Pin
(VDD=1.8V, fRF=1575MHz)
(VDD=1.8V, fRF=1575MHz)
22
Gain
20
5
Gain (dB)
0
-5
Pout
-10
7
18
6
16
5
14
4
12
3
IDD
-15
10
-20
2
8
P-1dB(IN)=-17.5dBm
-25
-40
-30
-20
-10
0
1
P-1dB(IN)=-17.5dBm
6
-40
10
0
-30
-20
-10
0
10
Pin (dBm)
Pin (dBm)
Pout, IM3 vs. Pin
OIP3, IIP3 vs. frequency
(VDD=1.8V, f1=1575MHz, f2=f1+100kHz)
(VDD=1.8V, f1=1550~1600MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-34dBm)
6
18
20
4
16
OIP3
Pout
-20
OIP3 (dBm)
Pout, IM3 (dBm)
0
-40
-60
IM3
14
2
12
0
10
-2
IIP3
8
-4
6
-6
4
-8
IIP3 (dBm)
Pout (dBm)
8
IDD (mA)
10
-80
IIP3=-4.8dBm
-100
-40
-30
-20
-10
0
2
1550
10
1560
1570
1580
1590
-10
1600
frequency (MHz)
Pin (dBm)
NF, Gain vs. frequency
(VDD=1.8V, f=1500~1650MHz)
3.0
22
20
Gain
2.0
18
1.5
16
NF
1.0
Gain (dB)
Noise Figure (dB)
2.5
14
0.5
12
(NF: Exclude PCB, Connector Losses)
0.0
1500
1550
1600
10
1650
frequency (MHz)
-7-
NJG1144KA1
■特性例 (VDD=1.8V )
共通条件:VDD=1.8V, freq=1575MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
P-1dB(IN) vs. Temperature
Gain, NF vs Temperature
(VDD=1.8V, f=1575MHz)
(VDD=1.8V, f=1575MHz)
20
2.5
Gain
Gain (dB)
19
2.0
18
1.5
17
1.0
NF
16
-10
-12
P-1dB(IN) (dBm)
3.0
Noise Figure (dB)
21
0.5
-40
-20
0
20
40
60
80
-16
-18
P-1dB(IN)
-20
-22
(NF: Exclude PCB, Connector Losses)
15
-60
-14
-24
-60
0.0
100
-40
-20
OIP3, IIP3 vs. Temperature
4.0
16
-1
3.5
-2
3.0
14
-3
13
-4
-5
1.0
10
-7
0.5
-20
0
20
40
60
80
0.0
-60
-8
100
VSWRi
VSWRo
-40
-20
0
20
40
60
Temperature (oC)
Temperature (oC)
IDD vs. Temperature
k factor vs. Temperature
80
100
(VDD=1.8V, f=50MHz~20GHz)
(VDD=1.8V, RF OFF)
4
20
3
15
k factor
IDD (mA)
100
1.5
-6
-40
80
2.0
11
9
-60
60
2.5
VSWR
OIP3 (dBm)
OIP3
IIP3 (dBm)
0
IIP3
40
(VDD=1.8V, f=1575MHz)
17
12
20
VSWR vs. Temperature
(VDD=1.8V, f1=1575MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-34dBm)
15
0
Temperature (oC)
Temperature (oC)
2
10
-40oC
-25oC
IDD
-10oC
0oC
5
1
+25oC
+55oC
+85oC
0
-60
0
-40
-20
0
20
40
60
Temperature (oC)
-8-
80
100
0
5
10
frequency [GHz]
15
20
NJG1144KA1
■特性例
共通条件: freq=1575MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
Gain, NF vs. VDD
P-1dB(IN) vs. VDD
(f=1575MHz)
-13
22
3.5
-14
3.0
-15
20
Gain (dB)
Gain
18
2.5
16
2.0
14
1.5
1.0
12
NF
P-1dB(IN) (dBm)
4.0
Noise Figure (dB)
24
0.5
10
(f=1575MHz)
-16
-17
-18
-19
P-1dB(IN)
-20
(NF: Exclude PCB, Connector Losses)
8
1.0
1.5
2.0
2.5
VDD (V)
3.0
3.5
0.0
4.0
-21
1.0
4.0
22
8
3.5
20
6
18
4
16
2
12
IIP3
-2
10
-4
8
-6
6
-8
2.5
3.0
3.5
-10
4.0
VSWR
0
OIP3
2.0
3.0
3.5
4.0
3.5
4.0
(f=1575MHz)
VSWRi
VSWRo
3.0
IIP3 (dBm)
OIP3 (dBm)
10
1.5
2.5
VSWR vs. VDD
24
4
1.0
2.0
VDD (V)
OIP3, IIP3 vs. VDD
(f1=1575MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-34dBm)
14
1.5
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VDD (V)
VDD (V)
IDD vs. VDD
(RF OFF)
6
5
IDD (mA)
4
3
2
IDD
1
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VDD (V)
-9-
NJG1144KA1
■特性例 (VDD=2.85V )
共通条件:VDD=2.85V, freq=1575MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
S11, S22
VSWRi, VSWRo
S11, S22 (50MHz~20GHz)
- 10 -
S21, S12
Zin, Zout
S21, S12 (50MHz~20GHz)
NJG1144KA1
■特性例 (VDD=1.8V )
共通条件:VDD=1.8V, freq=1575MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
S11, S22
S21, S12
VSWRi, VSWRo
Zin, Zout
S11, S22 (50MHz~20GHz)
S21, S12 (50MHz~20GHz)
- 11 -
NJG1144KA1
外部回路図
(Top View)
L1
8.2nH
4
RF IN
5
6
RFIN
GND
3
GND
GND
2
RFOUT
NC(GND)
1
L2
12nH
C1
1.6pF
RF OUT
1 Pin INDEX
L3
5.1nH
VDD
C2
1000pF
基板実装図
(Top View)
チップ部品リスト
部品番号
L1~L3
C1, C2
型名
村田製作所製
LQP03T_02 シリーズ
村田製作所製
GRM03 シリーズ
C1
RF IN
L1
C2
RF OUT
L2 L3
1 Pin INDEX
PCB
VDD
基板材質:FR-4
基板厚:0.2mm
マイクロストリップライン幅:0.34mm (Z0=50Ω)
外形サイズ:14.0mm×14.0mm
注: RFIN 端子と RFOUT 端子の結合を防ぐために、IC の下にグランドパターンを配置して下さい。
- 12 -
NJG1144KA1
MEASUREMENT BLOCK DIAGRAM
● S パラメーター測定
VDD=2.9V
V
DD
RF Output
RF Input
DU T
Port1
Port2
Network
Analyzer
S パラメータ測定ブロック
● IIP3 測定
VDD
freq1
Isolator
Signal
Generator
RF Input
RF Output
DUT
Signal
Generator
freq2
Isolator
Power.
Comb.
Spectrum
Analyzer
6dB
Attenuator
大信号特性測定ブロック
- 13 -
NJG1144KA1
●NF 測定ブロックダイアグラム
使用測定器
・NF アナライザ
:Agilent 8973A, 8975A
・ノイズソース
:Agilent 346A
NF アナライザ設定
・Measurement mode form
Device under test
:Amplifier
System downconverter :off
・Mode setup form
:LSB
Sideband
・Averages
:16
・Average mode
:Point
・Bandwidth
:4MHz
・Loss comp
:off
・Tcold
:ノイズソース本体の温度を入力(303.15K)
NF Analyzer
(Agilent 8973A, 8975A)
Noise Source
(Agilent 346A)
※ノイズソースと NF
Input (50Ω)
Noise Source
Drive Output
アナライザは直接接続
キャリブレーション
NF Analyzer
(Agilent 8973A, 8975A)
Noise Source
(Agilent 346A)
※ノイズソースと DUT、
DUT と NF アナライザは
IN
DUT
NF 測定
- 14 -
OUT
Input (50Ω)
Noise Source
Drive Output
直接接続
NJG1144KA1
パッケージ外形図(FLP6-A1)
1.6 0.05
0.05
0.13 0.05
0.1
0.5
0.2 0.1
0.5
1.6 0.05
1.2 0.05
0.2 0.1
0.55
UNIT: mm
0.1
0.22 0.05
単位: mm
ガリウムヒ素
製品取り
ガリウムヒ素(GaAs)製品取
製品取り扱い上の注意事項
この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、
製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関
連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。
この製品は静電放電 ・ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。
<注意事項>
このデータブックの掲載内容の正確さには
万全を期しておりますが、掲載内容について
何らかの法的な保証を行うものではありませ
ん。とくに応用回路については、製品の代表
的な応用例を説明するためのものです。また、
工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴
うものではなく、第三者の権利を侵害しない
ことを保証するものでもありません。
- 15 -