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200A Avg 1600 Volts
THYRISTOR
■回路図
CIRCUIT
■外形寸法図
PGH200N16
OUTLINE DRAWING
Dimension:[mm]
総合定格・特性 Part of Diode Bridge & Thyristor
■最大定格 Maximum Ratings
項 目
Parameter
記号
Symbol
平均出力電流
Average Rectified Output Current
Io (AV)
動作接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
Isolation Voltage
ベース部
Mounting
締付トルク
主端子部
Mounting Torque
Terminal
ゲート端子部
Gate Terminal
Tjw
条件
Conditions
TC= 107℃(電圧印加なし)
三相全波整流
Non-Biased for Thyristor
3-Phase Full
TC= 82℃(電圧印加あり)
Wave Rectified
Biased for Thyristor
125~150℃はサイリスタ部に順阻止電圧を
印加しない事
Tj>125℃ , Can not be Biased for Thyristor
Tstg
Viso
端子-ベース間,AC 1 分間
Terminal to Base, AC 1min.
サーマルコンパウンド塗布
Greased
F
定格値
Max. Rated Value
単位
Unit
200
A
200
-40 ~ +150
℃
-40 ~ +125
℃
2500
V
M6
2.5 ~ 3.5
M6
2.5 ~ 3.5
M4
1.2 ~ 1.6
N・m
■熱特性 Thermal Characteristics
項 目
Parameter
記号
Symbol
接触熱抵抗
Thermal Resistance
Rth(c-f)
特性値(最大)
条件
Conditions
ケース-フィン間(トータル)、サーマルコンパウンド塗布
Case to Fin , Total , Greased
Maximum Value
単位
Unit
0.06
℃/W
■ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 Arm.)
最大定格 Maximum Rating
項 目
Parameter
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しピーク逆電圧
*1
*1
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
項 目
Parameter
サージ順電流
Surge Forward Current
電流二乗時間積
I Squared t
許容周波数
Allowable Operating Frequency
記号
Symbol
定格値
Max.Rated Value
単位
Unit
VRRM
1600
V
VRSM
1700
V
記号
Symbol
*1
*1
IFSM
I2t
f
条件
Conditions
50Hz 正弦半波,1 サイクル,非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
2~10ms
定格値
Max. Rated Value
単位
Unit
2000
A
20000
A2s
400
Hz
*1:1 アーム当たりの値 Value Per 1 Arm
■ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 Arm.)
電気的特性 Electrical Characteristics
項 目
Parameter
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピーク順電圧
Peak Forward Voltage
記号
Symbol
*1
*1
熱抵抗
Thermal Resistance
条件
Conditions
特性値(最大)
Maximum Value
単位
Unit
20
mA
IRM
Tj = 125℃, VRM= VRRM
VFM
Tj = 25℃, IFM= 200A
1.26
V
Rth(j-c)
接合部―ケース間(トータル)
Unction to Case , Total
0.07
℃/W
*1:1 アーム当たりの値 Value Per 1 Arm.
■サイリスタ部(1素子) Part of Thyristor(1 Arm.)
最大定格 Maximum Rating
項 目
Parameter
くり返しピークオフ電圧
*2
Repetitive Peak Off-State Voltage
非くり返しピークオフ電圧
*2
Non-Repetitive Peak Off-State Voltage
記号
Symbol
定格値
Max.Rated Value
単位
Unit
VDRM
1600
V
VDSM
1700
V
*2:逆電圧を印加しないこと Can not be Biased for Thyristor
項 目
Parameter
サージオン電流
Surge On-State Current
電流二乗時間績
I Squared t
臨界オン電流上昇率
Critical Rate of Rise of Turned-On Current
ピークゲート電力損失
Peak Gate Power
平均ゲート電力損失
Average Gate Power
ピークゲート電流
Peak Gate Current
ピークゲート電圧
Peak Gate Voltage
ピークゲート逆電圧
Peak Gate Reverse Voltage
記号
Symbol
ITSM
条件
Conditions
50Hz 正弦半波,1 サイクル,非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
定格値
Max. Rated Value
単位
Unit
4000
A
80000
A2s
100
A/μs
PGM
5
W
PG(AV)
1
W
IGM
2
A
VGM
10
V
VRGM
5
V
I2t
di/dt
2~10ms
VD= 2/3 VDRM, ITM = 2・Io, Tj =125℃
IG= 300mA, diG/dt = 0.2A/μs
電気的特性 Electrical Characteristics
項 目
Parameter
ピークオフ電流
Peak Off-State Current
ピークオン電圧
Peak Off-State Voltage
記号
Symbol
特性値(最大)
Maximum Value
最小 標準 最大
Min Typ Max
条 件
Conditions
単位
Unit
IDM
Tj = 125℃, VDM= VDRM
50
mA
VTM
Tj = 25℃, ITM= 200A
1.15
V
トリガゲート電流
Gate Current to Trigger
IGT
VD= 6 V, IT= 1A
トリガゲート電圧
Gate Voltage to Trigger
VGT
VD= 6 V, IT= 1A
VGD
Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM
0.25
V
dv/dt
Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM
500
V/μs
非トリガゲート電圧
Gate Non-Trigger Voltage
臨界オフ電圧上昇率
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
ターンオフ時間
Turn-Off Time
ターンオン時間
Turn-On Time
tq
t gt
Tj=-40℃
Tj= 25℃
Tj=125℃
Tj=-40℃
Tj= 25℃
Tj=125℃
Tj =125℃, ITM= Io, VD= 2/3 VDRM
dv/dt = 20V/μs, VR= 100V, ‐di/dt = 20A/μs
Tj =25℃, VD= 2/3 VDRM , IT=3・IO
IG= 300mA, diG/dt = 0.2A/μs
300
150
80
5.0
3.0
2.0
mA
V
150
μs
6
μs
項 目
Parameter
記号
Symbol
遅れ時間
Delay Time
立ち上がり時間
Rise Time
ラッチング電流
Latching Current
保持電流
Holding Current
熱抵抗
Thermal Resistance
条 件
Conditions
特性値(最大)
Maximum Value
最小 標準 最大
Min Typ Max
単位
Unit
2
μs
4
μs
Tj =25℃, VD= 2/3 VDRM , IT=3・IO
IG= 300mA, diG/dt = 0.2A/μs
td
tr
IL
Tj =25℃
150
mA
IH
Tj =25℃
100
mA
接合部-ケース間
Junction to Case
Rth(j-c)
0.20
℃/W
■質量
Approximate Weight --- 約 450g
■定格・特性曲線
順
電
圧
特
性
オ
(DiodePer1Arm
PGH200N16
(per Arm))
PGH200N16
2000
ン
電
圧
特
性
ON-STATE CURRENT VS. VOLTAGE
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE
(Thyristor)
PGH200N16PGH200N16
5000
1000
2000
500
1000
時
順
電
流
(A)
瞬
時
100
オ
ン
電
50
流
(A)
20
INSTANTANEOUS ON-STATE CURRENT (A)
瞬
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
500
200
200
100
50
20
Tj=25°C
Tj=25°C
Tj=150°C
10
Tj=150°C
10
5
5
2
2
0
1
2
3
4
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
瞬
時
順
電
圧
(V)
5
6
0
2
4
6
INSTANTANEOUS ON-STATE VOLTAGE (V)
瞬
時
オ
ン
電
圧
(V)
8
NON-Biased
Biased
Thyristor
DiodePer1Arm.
-40℃
PGM = 5W
f ≧ 50Hz
duty ≦ 20%
+25℃
+125℃
過
渡
熱
抵
抗
特
性
Transient Thermal Impedance
PGH200N16(Diode Per 1 Arm.)
過
渡
熱
抵
抗
(゚C/W)
Transient Thermal Impedance Rth(j-c) (°C/W)
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.001 0.002
0.005 0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
Time t (s)
時間
過
渡
熱
t (s)
抵
抗
特
性
Transient Thermal Impedance
PGH200N16(Thyristor)
過
渡
熱
抵
抗
(゚C/W)
Transient Thermal Impedance Rth(j-c) (°C/W)
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.001 0.002
0.005 0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
Time t (s)
時間
t (s)
0.5
1
2
5
10