TinySwitch-III - Power Integrations - AC

参考设计DI-122
®
TinySwitch-III
用于白色家电的13 W(17.2 W峰值)
非隔离电源:空载功耗<150 mW
应用
器件
白色家电
输出功率
TNY279P 13 W / 17.2 W峰值
输入电压
输出电压
拓扑结构
85-265 VAC
-5 V, 2.0 A / -12 V, 0.25 A / 0.6 A峰值
反激式
反馈直接来自-5 V的输出端。输出端电压一旦超过由
Q1的V BE和VR1的额定值确定的电压,Q1将被偏置。
这样将拉出U1的EN/UV引脚中的电流,从而禁止下一
个开关周期。通过调整使能与禁止周期的比例,可以
维持输出稳压。
设计特色
•
•
•
•
•
•
成本低、元件数量少
从中线到输出RTN无阻抗,非常适用于驱动三端双
向可控硅开关的应用
在230 VAC交流输入时,空载功耗<150 mW
两个输出端均具有良好的交叉稳压
最高环境温度达到70 ℃
符合CISPR-22 Class B/EN55022 B EMI限制,无需输
入共模扼流圈
R7的值决定了经由VR1的偏置电流,这样会使齐纳稳压
管的工作电流更接近其指定的测试电流。电阻R6限制了
Q1的基值电流,R5和C8降低了高频增益,且R3限制了
从EN/UV引脚流出的电流。
工作原理
二极管D3确保将EN/UV引脚箝位在>-0.3 V的范围
(这与U1的源极引脚相关)。
图1所示的非隔离反激式转换器设计使用了TNY279
器件,可提供两路输出电压:-5 V/2A-及12 V/250 mA
(连续)、600 mA(峰值)。
Power Integrations的E-Shield™变压器结构技术、RCD箝
位、一个简单的π型滤波器(C4、C5及L1)、紧凑的
X型(C1)和Y型(C2)电容以及TinySwitch-III系列频率抖
动功能,提供了充足的EMI裕量(见图3)。在U1和
T1的正下方放置一个大小为一平方英寸的金属防护罩
(与U1的源极引脚连接),可以进一步降低EMI噪声
的产生。
集成在U1中的MOSFET控制着变压器T1初级侧的开
关。每当MOSFET导通时,初级电流将会上升直至达
到内部电流限制时才会停止,MOSFET也随即关断。
在关断期间,T1中储存的电能将传输到次级侧,并通
过D4、C11、D5及C9进行整流和滤波。初级侧RCD箝
位(D2、C6、R1及R2)限制由变压器漏感产生的峰值
漏极电压尖峰。
D1
1N4007
F1
3.15 A
Line
L1
1000 πH
1
T1
EF20
8
C2
1 nF
250 VAC
R2
200 Ζ
*
D2
1N4007GP
Safety Earth
Ground
C1
47 nF
275 VAC
**
C4
33 πF
400 V
**
C5
33 πF
400 V
D
7
D4
SB530
D5
SB3100
C11
2200 πF
10 V
C9
470 πF
25 V
C10
47 πF
25 V
-5 V, 2 A
-12 V, 250 mA
(600 mA pk)
R4
47 Ζ
R3
4.7 kΖ
Q1
PN2222A
BP/M
R6
5.1 kΖ
S
C7
100 nF
50 V
C12
47 πF
16 V
L3
3.3 πH
3
TinySwitch-III
U1
TNY279P
EN/UV
RTN
10
R1
200 kΖ
0.5 W
C6
1 nF
1 kV
D3
1N5817
R5
1 kΖ
C8
100 nF
50 V
VR1
BZX79-B4V7
4.7 V, 2%
R7
620 Ζ
Neutral
*One square inch metal shield (connected to the S pin of U1) under U1 and T1 eliminates the need for C2.
**For high-line only operation (180 VAC input, minimum), 10 πF (400 V) capacitors can be used for C4 and C5.
PI-4498-112906
图 1. 使用TinySwitch –III的13/17.2 W白色家电电源
DI-122
January 2007
DI-89 DI-122
• 由R7决定的次级侧偏置电流应保持低电流,以将轻载和
空载功耗降至最低。
• 变压器(VOR)的反射输出电压应保持低压,以将初级侧
RCD箝位中的损耗降至最低。
• 优化两个输出端的圈数比,使电压值居中。
• 为了取得良好的输出交叉稳压,需要采用连续导通模式
(使PI Xls表中的KP值最小)。
• D3选用肖特二极管,将EN/UV引脚限制在>-0.3 V。
• 由于D3的正向压降与温度、二极管类型以及电流有关,
因此需使用肖特二极管。不要降低R3的值,并确认EN/
UV脚的绝对最大额定值是在低温(~ <-10 °C)下测得的。
• 可通过R4的值对输出电压进行细微调整。
• 稳压点是VR1的电压额定值、V BE(Q1) 与R4的电压
((VBE(Q1) /R7) × R4)的总和。
• 将齐纳稳压管偏置到其测试电流值以下可相应降低
其电压降,在本例中将降到4.3 V左右。
• 选择恰当的变压器绕组线径大小,使每一个绕组层
占满整个骨架宽度(这样可以降低漏感,同时改善
输出交叉稳压)。
• 使用PI Transformer Designer软件中的选项添加
E-Shield绕组,以降低传导EMI噪声的产生。
• 添加一个偏置绕组,将U1中的供应电流馈送到BP引
脚,可以降低空载功耗。
80
-12 V
20% on -5 V,
100% on -12 V
-5.05 V
-11.49 V
100% on -5 V,
20% on -12 V
-5.03 V
-12.95 V
100% on -5 V,
5% on -12 V
-5.02 V
-13.90 V
70
EN55022B Limits
QP
60
AV
50
40
dBµV
-5 V
30
QP
20
AV
10
表 1. 交叉稳压在85 VAC输入时的最差情况
0
PI-4499-090606
82
80
Efficiency (%)
PI-4500-090706
设计要点
78
-10
-20
0.15
1.0
10.0
70.0
MHz
图 3. 在230 VAC输入及满载时的传导EMI
76
变压器参数
74
Core Material
Nominal Load
72
Bobbin
70
85
115
145
175
205
AC Input Voltage (V)
图 2. 满载效率随输入电压的变化
235
265
Winding Details
Primary
Inductance
EF20 TDK PC40, or equivalent
ALG of 142 nH/T2
EF20, 10 pin (5 + 5)
Shield: 23T, Primary: 95T
Shield: 9T (trifilar), –5 V: 5T,
–12 V: 7T
1.28 mH ±10%
表 2. 变压器构建信息
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