Cree C2D05120E 碳化硅肖特基二极管- Z-Rec 整流器

C2D05120E
碳化硅肖特基二极管
VRRM
=
1200 V
IF (TC=135˚C) = 8.5 A
Qc
=
28 nC
Zero Recovery® 整流器
特点
•
•
•
•
•
•
•
包装
1.2kV肖特基整流器
零反向恢复电流
零正向恢复电压
高频率工作
与温度无关的切换行为
极快速切换
正向电压(VF)下的正温度系数
TO-252-2
优势
•
•
•
•
•
用单极整流器取代双极整流器
基本上无开关损耗
效率更高
散热要求降低
并行器件无热失控
引脚1
表面
引脚2
应用
•
•
•
•
开关式电源
功率因素校正
电机驱动器
高电压倍增器
部件号
封装
标识
C2D05120E
TO-252-2
C2D05120
最大额定值(TC=25°C,除非另有指定)
符号
参数
单位
测试条件
VRRM
重复峰值反向电压
1200
V
VRSM
浪涌峰值反向电压
1200
V
VDC
直流阻断电压
1200
V
IF
连续正向电流
17.5
8.5
5
A
TC=25˚C
TC=135˚C
TC=157˚C
30
A
TC=25˚C,tP=10 ms,半正弦波
IFRM
重复峰值正向浪涌电流
IFSM
非重复峰值正向浪涌电流
100
A
TC=25˚C,tP=10 µs,脉冲
Ptot
功耗
136
59
W
TC=25˚C
TC=110˚C
-55到+175
˚C
TJ , Tstg
1
值
工作结温和储存温度
C2D05120E 修订版本B
注
电气特性
符号
参数
典型值
最大值
单位
测试条件
注
IF = 5 A TJ=25°C
IF = 5 A TJ=175°C
VF
正向电压
1.6
2.6
1.8
3.0
V
IR
反向电流
50
100
200
1000
µA
VR = 1200 V TJ=25°C
VR = 1200 V TJ=150°C
QC
总电容电荷
28
nC
VR = 1200 V,IF = 5 A
di/dt = 500 A/µs
TJ = 25°C
C
总电容
455
45
33
pF
VR = 0 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz
VR = 200 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
注:
1.
这是多数载流子二极管,因此没有反向恢复电荷。
热特性
符号
RθJC
参数
典型值
单位
1.1
°C/W
从结点到表面的热阻
典型性能
12
20
IF Forward
Current (A)
IF正向电流(A)
10
16
9
14
8
C 2D06060A 反向特性
TJ = 25°C
TJ = 75°C
200
TJ = 125°C
180
TJ = 175°C
160
反向电流(μA)
e C urrent (uA)
IR IRRevers
11
18
127
106
5
8
4
6
3
140
120
100
80
60
25°
C
75°
C
125°
C
175°
C
40
20
0
0
4
2
200
400
VVRR 反向电压(V
) (V)
R evers e Voltage
21
00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VF 正向电压(V)
VF Forward
Voltage (V)
图1. 正向特性
2
C2D05120E 修订版本B
图2. 反向特性
600
800
典型性能
60
60.0
Current Derating
150
典型性能
140
40
40.0
120
Power
(W)
P Dissipation
(W)
30
30.0
Tot
IF 正向电流(A)
IF(PEAK) Peak Forward Current (A)
130
10%暂载率*
20% 暂载率*
30% 暂载率*
50% 暂载率*
70% 暂载率*
直流
50
50.0
20.0
20
110
100
90
80
70
60
50
40
30
10
10.0
20
10
0.00
0
25
25
50
50
75
75
100
100
TC 表面温度(°C)
125
125
150
150
175
175
25
50
Tc*Case
Temperature (°°C)
频率> 1KHz
图3. 电流降额
75
100
125
Tc Case T
Temperature
˚C (°C)
C
图4. 功率降额
Page 1
电容(pF) C (pF)
C Capacitance
Junction
250
200
150
100
50
0
1
10
图5. 电容与反向电压
3
C2D05120E 修订版本B
100
VR 反向电压(V
VR Reverse
Voltage )(V)
1000
150
175
1.00E+01
Zth [°C/W]
1.00E+00
1.00E-01
1.00E-02
1.00E-03
1.00E-07
1.00E-06
1.00E-05
1.00E-04
1.00E-03
时间
[S][s]
time
图6. 瞬态热阻抗
4
C2D05120E 修订版本B
1.00E-02
1.00E-01
1.00E+00
封装尺寸
POS
封装TO-252-2
英寸
最大值
最小值
最大值
A
0.250
0.289
6.350
7.341
B
0.197
0.215
5.004
5.461
C
0.027
0.050
0.686
1.270
D*
0.270
.322
6.858
8.179
E
0.178
0.182
4.521
4.623
F
0.025
0.045
0.635
1.143
G
44˚
46˚
44˚
46˚
H
0.380
0.410
9.652
10.414
J
*
典型值0.090
K
6˚
引脚2
0.086
0.094
2.184
2.388
0.034
0.457
0.864
N
0.035
0.050
0.889
1.270
P
0.231
0.246
5.867
6.248
Q
0.00
0.005
0.00
0.127
典型值R0.010
典型值R0.254
0.017
0.023
0.432
0.584
T
0.038
0.045
0.965
1.143
U
0.021
0.029
0.533
0.737
建议的焊盘布局
0.12
TO-252-2
**所有尺寸均以密耳为单位
部件号
封装
标识
C2D05120E
TO-252-2
C2D05120
C3D02060E
TO-252-2
C3D02060
注:可在此处的应用说明中找到推荐的焊接温度曲线:
http://www.cree.com/power_app_notes/soldering
C2D05120E 修订版本B
8˚
0.018
注:
*可能没有凸片“D”
5
6˚
L
S
表面
8˚
典型值2.286
M
R
引脚1
毫米
最小值
说明
•
符合RoHS规范
本产品中受RoHS限制材料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值(也称为阈值),或者依照欧盟2011/65/EC号指令(RoHS2)
用于可豁免的应用场合(依照2013年1月2日实施的版本)。本产品的RoHS声明可向Cree代表索取或从www.cree.com的“产品
文档”部分获取。
•
符合REACh规范
本产品提供REACh高度关注物质(SVHC)的信息。由于欧洲化学品管理局(ECHA)已发布通告,称其计划在可预见的将来频繁修订
SVHC清单,因此请联系Cree代表,确保您了解最新的REACh SVHC合规性声明。也可索取REACh禁止物质的信息(REACh第67
条款)。
•
本产品并非设计用于以下应用,亦未针对以下应用进行测试:植入人体的装置或者若产品发生故障可能导致死亡、人身伤害或财产损
失的装置,包括但不限于运营核设施所用的设备、生命维持机、心脏除颤器或类似急救医疗设备、飞机导航或通信或控制系统、空中
交通管制系统或武器系统。
版权所有 © 2013 Cree, Inc.保留所有权利。
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Cree、Cree徽标和Zero Recovery是Cree, Inc.的注册商标。
6
C2D05120E 修订版本B
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, NC 27703
美国电话:+1.919.313.5300
传真: +1.919.313.5451
www.cree.com/power