C3D16060D - Cree, Inc

C3D16060D
VRRM = 碳化硅肖特基二极管
IF Z-Rec™整流器
600 V
=
16 A
(TC < 150˚C)
Qc =
42 nC
特点
•
•
•
•
•
•
•
600伏肖特基整流器
零反向恢复电压
零正向恢复电压
高频率工作
与温度无关的切换行为
极快速切换
VF下的正温度系数
符合
规范
TO-274-3
优势
•
•
•
•
•
用单极整流器取代双极整流器
基本上无切换损耗
效率更高
散热要求降低
并行器件无热失控
应用
• 开关式电源
• 功率因素校正
• 太阳能逆变器
• 电机驱动
• 电动车辆充电器
部件号
封装
标识
C3D16060D
TO-247-3
C3D16060
最大额定值(TC=25°C,除非另有指定)
符号
订版本-
值
单位
测试条件
VRRM
重复峰值反向电压
600
V
VRSM
浪涌峰值反向电压
600
V
VDC
直流阻断电压
600
V
8/16
10/20
A
TC<150˚C,无交流分量
TC<135˚C,无交流分量
IF
D16060D修
技术数据表: C3
参数
连续正向电流(每个焊脚/器件)
IFRM
重复峰值正向浪涌电流
57
36
A
TC=25˚C,tP = 10 ms,半正弦波,D=0.3
TC=110˚C,tP = 10 ms,半正弦波,D=0.3
IFSM
非重复峰值正向浪涌电流
80
60
A
TC=25˚C,tP = 10 mS,半正弦波,D=0.3
TC=110˚C,tP = 10 ms,半正弦波,D=0.3
IFSM
非重复峰值正向浪涌电流
220
A
TC=25˚C,tP = 10 µs,脉冲
Ptot
功耗(每个焊脚)
100*
43*
W
TC=25˚C
TC=110˚C
工作结温和储存温度
-55到
+175
˚C
1
8.8
Nm
lbf-in
TJ , Tstg
TO-220安装扭矩
*
每个焊脚,
注
参阅
图3
M3螺丝
6-32螺丝
**
每个器件
若有更改,恕不另行通知。
www.cree.com
1
电气特性(每个焊脚)
符号
参数
典型值
最大值
单位
测试条件
VF
正向电压
1.6
1.9
1.8
2.4
V
IF = 8 A TJ=25°C
IF = 8 A TJ=175°C
IR
反向电流
10
20
50
200
μA
VR = 600 V TJ=25°C
VR = 600 V TJ=175°C
QC
总电容电荷
21
nC
VR = 600 V, IF = 8A
di/dt = 500 A/μs
TJ = 25°C
C
总电容
441
39
33
pF
VR = 0 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz
VR = 200 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
注
注意:
1. 这是多数载流子二极管,因此没有反向恢复电荷。
热特性
符号
参数
RθJC
从结点到表面的热阻
*
每个焊脚,
典型值
单位
1.5 *
0.75 **
°C/W
**
每个器件
典型性能(每个焊脚)Forward Characteristics
Reverse Characteristics
1010
IF Forward Current (A)
8
100
100
TJ = 25°C
9090
TJ = 75°C
TJ = 125°C
80
80
TJ = 175°C
IR Reverse Current (uA)
99
8
7
7070
6060
6
55
IR 反向电流(μA)
IF 正向电流(A)
7
4
4
33
22
50
50
40
TJ = 25°C
40
TJ = 75°C
3030
TJ = 125°C
TJ = 175°C
20
20
10
10
11
00
0.0
0.0
00
0.5
0.5
1.0
1.0
1.5
1.5
VFFForward
Voltage (V)
V
正向电压(V)
图1. 正向特性
2
C3D16060D修订版本-
2.0
2.0
2.5
2.5
00
100
100 200
200 300
300 400
400
500
500 600
600 700
700 800
800 900
900 1000
1000
VR 反向电压(V)
VR Reverse
Voltage (V)
图2. 反向特性
典型性能(每个焊脚)
Capacitance vs. Reverse Voltage
C3D08060 Current Derating
450
60
60
400
50
50
20%暂载率*
30%暂载率*
50%暂载率*
70%暂载率*
直流
40
40
30
30
C 电容(pF) (pF)
C Capacitance
IF(PEAK) 峰值正向电流(A)
IF(PEAK) Peak Forward Current (A)
350
20
20
300
250
200
150
100
10
10
50
00
25
25
50
50
75
75
100
100
125
125
150
150
0
175
175
1
Case Temperature
(°°C)
TTcC 表面温度(
°C)
1
10
10
100
100
10001000
VRVReverse
Voltage (V)
反向电压(V)
R
* 频率 > 1KHz
图3. 电流降额
图4. 电容与反向电压
1.0E+01
Zth (°C/W)
Zth(ºC/W)
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.E-07
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
时间(秒)
Tim e (s)
图5. 瞬态热阻抗
3
C3D16060D修订版本-
1.E-02
1.E-01
1.E+00
典型性能(每个焊脚)
110
110.0
100
100.0
功耗(W)
Power Dissipation (W)
90
90.0
80
80.0
70
70.0
60
60.0
50
50.0
40.0
40
30.0
30
20.0
20
10.0
10
0.0
0
25
25
50
50
75
100
125
75
100
125
Tc Case Temperature (°C)
TC 表面温度(°C)
图6. 功率降额
4
C3D16060D修订版本-
150
150
175
175
封装尺寸
POS
封装TO-247-3
X
Z
W
英寸
最小
Y
AA
CC
建议的焊盘布局
TO-247-3
5
C3D16060D修订版本-
最小
最大
A
.605
.635
15.367
16.130
B
.800
.831
20.320
21.10
C
.780
.800
19.810
20.320
D
.095
.133
2.413
3.380
E
.046
.052
1.168
1.321
F
.060
.095
1.524
2.410
G
BB
毫米
最大
.215 TYP
5.460 TYP
H
.175
.205
4.450
5.210
J
.075
.085
1.910
2.160
K
6˚
21˚
6˚
21˚
L
4˚
6˚
4˚
6˚
M
2˚
4˚
2˚
4˚
N
2˚
4˚
2˚
4˚
P
.090
.100
2.286
2.540
Q
.020
.030
.508
.762
R
9˚
11˚
9˚
11˚
S
9˚
11˚
9˚
11˚
T
2˚
8˚
2˚
8˚
U
2˚
8˚
2˚
8˚
V
.137
.144
3.487
3.658
W
.210
.248
5.334
6.300
X
.502
.557
12.751
14.150
Y
.637
.695
16.180
17.653
Z
.038
.052
0.964
1.321
AA
.110
.140
2.794
3.556
BB
.030
.046
0.766
1.168
CC
.161
.176
4.100
4.472
二极管模型(每个焊脚)
Diode Model CSD10060
VfT = VT+If*RT
VT = 0.93+(TJ* -9.3*10-4)
RT = 0.058+(TJ* 5.7*10-4)
注:Tj = 二极管结温(摄氏度)
VT
RT
本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质(PBT)、持久性有机污染物(POP)或其他受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值(也称为阈值),或者依照欧盟关于在电气和电子设备中限
制使用某些有害物质的 2002/95/EC号指令(RoHS)用于可豁免的应用场合(依照截至2006年4月21日的修订版本)。
本产品并非旨在用于以下装置而设计、测试或计划的:植入人体的装置或者若本产品发生故障可能导致死亡、人身伤害或财产损失的装置,包括但不限
于用于运营核设施的设备、生命维持机、心脏除颤器或类似的急救医疗设备、飞机导航或通信或控制系统、空中交通管制系统或武器系统。
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Cree, Inc.的商标。
6
C3D16060D修订版本-
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, NC 27703
美国电话:+1.919.313.5300
传真:+1.919.313.5451
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