C3D20060D–碳化硅肖特基二极管 VRRM = 600 V Z-Rec™ 整流器 IF; TC<135˚C= 28 A Qc 特点 • • • • • • • = 50 nC 封装 600 伏肖特基整流器 零反向恢复电流 零正向恢复电压 高频工作 与温度无关的开关特性 极快的开关 正向电压 (VF) 的正温度系数 TO-247-3 优点 • • • • • 将双极整流器替换成单极整流器 基本无开关损耗 效率更高 对散热器要求降低 并联器件不会导致热失控 引脚 1 引脚 2 外壳 引脚 3 应用 • • • 开关电源 功率因数校正 -- 典型 PFC Pout：2000W-4000W 电机驱动器 -- 典型功率：5HP-10HP 部件号 封装 标记 C3D20060D TO-247-3 C3D20060 最大额定值 符号 版本 C D20060D 修订 值 单位 测试条件 VRRM 反向重复峰值电压 600 V VRSM 反向浪涌峰值电压 600 V VDC 直流阻断电压 600 V 连续正向电流（每个桥臂/器件） 14/28 A TC< 135˚C, 无交流分量 IFRM 正向重复峰值浪涌电流 （每个桥臂/器件） 67/134 44/88 A TC=25˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=0.3 TC=110˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=0.3 IFSM 正向不重复峰值浪涌电流 （每个桥臂） 90/157 71/115 A TC=25˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=0.3 TC=110˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=0.3 IFSM 正向不重复峰值浪涌电流 （每个桥臂/器件） 250/500 A TC=25˚C，tP=10 µs，脉冲 Ptot 功率耗散（每个桥臂） 136.3 59 W TC=25˚C TC=125˚C 工作结温和存储温度 -55 至 +175 ˚C 1 8.8 Nm lbf-in IF 技术数据表：C3 参数 TJ，Tstg TO-247 安装扭矩 注 M3 螺丝 6-32 螺丝 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/power 1 电气特征（每个桥臂） 符号 参数 典型 最大 单位 测试条件 注 IF = 10 A TJ=25°C IF = 10 A TJ=175°C VF 正向电压 1.5 2.0 1.8 2.4 V IR 反向电流 10 20 50 200 μA VR = 600 V TJ=25°C VR = 600 V TJ=175°C QC 总电容电荷 25 nC VR = 600 V, IF = 10 A di/dt = 500 A/μs TJ = 25°C C 总电容 480 50 42 pF VR = 0 V，TJ = 25°C，f = 1 MHz VR = 200 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz VR = 400 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz 注： 1.这是一款主载子二极管，因此没有反向恢复电荷。 热特征 符号 参数 典型 单位 RθJC 热阻，结到外壳 1.1** 0.55* °C/W ** 每个桥臂，* 两个桥臂 典型性能（每个桥臂） 20 100 100 18 TJ = TJ = TJ = TJ = 16 14 90 90 25°C 75°C 125°C 175°C 80 80 70 IR 反向电流 (μA) IR Reverse Current (µA) IF 正向电流 (A) 12 10 8 6 4 2 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 VF 正向电压 (V) 3.0 3.5 4.0 70 60 TJ = 25°C 60 50 TJ = 75°C TJ = 125°C 40 50 TJ = 175°C TJ = 25°C TJ = 75°C 30 40 20 TJ = 125°C TJ = 175°C 30 10 020 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 VR 反向电压 (V) 10 0 图 1. 正向特征 0 100 图 2.300 反向特征 200 400 500 VR Reverse Voltage (V) 2 C3D20060D 修订版本 C 600 700 典型性能（每个桥臂） 70 400 160 60 20% 30% 50% 70% 直流 40 IF (A) 300 120 C Capacitance (pF) 50 350 140 占空系数* 占空系数* 占空系数* 占空系数* C 电容 (pF) 30 20 250 100 200 80 150 60 100 40 10 50 20 0 0 25 50 75 100 125 150 175 1 10 1 TC ˚C 100 1000 VR 反向电压 (V) 0 10 100 1000 VR Reverse Voltage(V) 图 3. 电流降额 图 4. 电容与反向电压的关系 1.0E+01 1E1 热阻抗 (˚C/W) Zth (°C/W) 1.0E+00 1E0 1.0E-01 1E-1 1.0E-02 1.0E-03 1.E-07 1E-5 1E-2 1.E-06 1E-4 1.E-05 1E-3 1.E-04 1E-2 Tim e (s) 1.E-03 时间 (S) 图 5. 瞬态热阻抗 3 C3D20060D 修订版本 C 1E-1 1.E-02 1.E-01 1E0 1.E+00 1E1 典型性能（每个桥臂） 140.000 140 120.000 120 100.000 100 功率耗散 (W) 80.000 80 60.000 60 40.000 40 20.000 20 0.000 0 25 25 50 50 75 75 100 100 125 125 150 150 175 175 TC 外壳温度 (°C) 图 6.功率降额 二极管型号（每个桥臂） Diode Model CSD10060 T = VT+If*RT VfVf T = VT + If*RT -3 -3 V 0.98+(T * -1.6*10 VTT==0.92 + (Tj * J-1.35*10 ) ) -3 -3 R 0.04+(T 0.522*10 ) RTT==0.052 + (Tj *J*0.29*10 ) 注：Tj = 二极管结温，单位摄氏度 VT 4 C3D20060D 修订版本 C RT 封装尺寸 封装 TO-247-3 位置 X Z W 英寸 最小 最大 最小 最大 A .605 .635 15.367 16.130 B .800 .831 20.320 21.10 C .780 .800 19.810 20.320 D .095 .133 2.413 3.380 E .046 .052 1.168 1.321 F .060 .095 1.524 2.410 G Y BB AA CC 引脚 1 引脚 2 外壳 引脚 3 毫米 .215 典型 5.460 典型 H .175 .205 4.450 5.210 J .075 .085 1.910 2.160 K 6˚ 21˚ 6˚ 21˚ L 4˚ 6˚ 4˚ 6˚ M 2˚ 4˚ 2˚ 4˚ N 2˚ 4˚ 2˚ 4˚ P .090 .100 2.286 2.540 Q .020 .030 .508 .762 R 9˚ 11˚ 9˚ 11˚ S 9˚ 11˚ 9˚ 11˚ T 2˚ 8˚ 2˚ 8˚ U 2˚ 8˚ 2˚ 8˚ V .137 .144 3.487 3.658 W .210 .248 5.334 6.300 X .502 .557 12.751 14.150 Y .637 .695 16.180 17.653 Z .038 .052 0.964 1.321 AA .110 .140 2.794 3.556 BB .030 .046 0.766 1.168 CC .161 .176 4.100 4.472 建议的焊盘布局 .12 .2 .08 部件号 封装 标记 C3D20060D TO-247-3 C3D20060 .2 TO-247-3 本产品并未针对以下应用进行设计或测试，也不用于以下应用：植入人体的应用；产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用，包括但不限 于用于以下操作中的装置：核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。 版权所有 ©2012 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是 Cree, Inc. 的注册商标，Z-Rec 是 Cree, Inc. 的商标。 5 C3D20060D 修订版本 C 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]