Cree C3D20060D 碳化硅肖特基二极管- Z-Rec 整流器

C3D20060D–碳化硅肖特基二极管
VRRM = 600 V
Z-Rec™ 整流器
IF; TC<135˚C= 28 A
Qc
特点
•
•
•
•
•
•
•
= 50 nC
封装
600 伏肖特基整流器
零反向恢复电流
零正向恢复电压
高频工作
与温度无关的开关特性
极快的开关
正向电压 (VF) 的正温度系数
TO-247-3
优点
•
•
•
•
•
将双极整流器替换成单极整流器
基本无开关损耗
效率更高
对散热器要求降低
并联器件不会导致热失控
引脚 1
引脚 2
外壳
引脚 3
应用
•
•
•
开关电源
功率因数校正
-- 典型 PFC Pout:2000W-4000W
电机驱动器
-- 典型功率:5HP-10HP
部件号
封装
标记
C3D20060D
TO-247-3
C3D20060
最大额定值
符号
版本 C
D20060D 修订
值
单位
测试条件
VRRM
反向重复峰值电压
600
V
VRSM
反向浪涌峰值电压
600
V
VDC
直流阻断电压
600
V
连续正向电流(每个桥臂/器件)
14/28
A
TC< 135˚C, 无交流分量
IFRM
正向重复峰值浪涌电流
(每个桥臂/器件)
67/134
44/88
A
TC=25˚C,tP=10 mS,半正弦波,D=0.3
TC=110˚C,tP=10 mS,半正弦波,D=0.3
IFSM
正向不重复峰值浪涌电流
(每个桥臂)
90/157
71/115
A
TC=25˚C,tP=10 mS,半正弦波,D=0.3
TC=110˚C,tP=10 mS,半正弦波,D=0.3
IFSM
正向不重复峰值浪涌电流
(每个桥臂/器件)
250/500
A
TC=25˚C,tP=10 µs,脉冲
Ptot
功率耗散(每个桥臂)
136.3
59
W
TC=25˚C
TC=125˚C
工作结温和存储温度
-55 至
+175
˚C
1
8.8
Nm
lbf-in
IF
技术数据表:C3
参数
TJ,Tstg
TO-247 安装扭矩
注
M3 螺丝
6-32 螺丝
信息若有更改,恕不另行通知。
www.cree.com/power
1
电气特征(每个桥臂)
符号
参数
典型
最大
单位
测试条件
注
IF = 10 A TJ=25°C
IF = 10 A TJ=175°C
VF
正向电压
1.5
2.0
1.8
2.4
V
IR
反向电流
10
20
50
200
μA
VR = 600 V TJ=25°C
VR = 600 V TJ=175°C
QC
总电容电荷
25
nC
VR = 600 V, IF = 10 A
di/dt = 500 A/μs
TJ = 25°C
C
总电容
480
50
42
pF
VR = 0 V,TJ = 25°C,f = 1 MHz
VR = 200 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
VR = 400 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
注:
1.这是一款主载子二极管,因此没有反向恢复电荷。
热特征
符号
参数
典型
单位
RθJC
热阻,结到外壳
1.1**
0.55*
°C/W
**
每个桥臂,* 两个桥臂
典型性能(每个桥臂)
20
100
100
18
TJ =
TJ =
TJ =
TJ =
16
14
90
90
25°C
75°C
125°C
175°C
80
80
70
IR 反向电流
(μA)
IR Reverse
Current
(µA)
IF 正向电流 (A)
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VF 正向电压 (V)
3.0
3.5
4.0
70
60
TJ = 25°C
60
50
TJ = 75°C
TJ = 125°C
40
50
TJ = 175°C
TJ = 25°C
TJ = 75°C
30
40
20
TJ = 125°C
TJ = 175°C
30
10
020
0
100
200 300
400 500
600 700
800
900
VR 反向电压 (V)
10
0
图 1. 正向特征
0
100
图 2.300
反向特征
200
400
500
VR Reverse Voltage (V)
2
C3D20060D 修订版本 C
600
700
典型性能(每个桥臂)
70
400
160
60
20%
30%
50%
70%
直流
40
IF (A)
300
120
C Capacitance (pF)
50
350
140
占空系数*
占空系数*
占空系数*
占空系数*
C 电容 (pF)
30
20
250
100
200
80
150
60
100
40
10
50
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
1
TC ˚C
100
1000
VR 反向电压 (V)
0
10
100
1000
VR Reverse Voltage(V)
图 3. 电流降额
图 4. 电容与反向电压的关系
1.0E+01
1E1
热阻抗 (˚C/W)
Zth (°C/W)
1.0E+00
1E0
1.0E-01
1E-1
1.0E-02
1.0E-03
1.E-07
1E-5
1E-2
1.E-06
1E-4
1.E-05
1E-3
1.E-04 1E-2
Tim e (s)
1.E-03
时间 (S)
图 5. 瞬态热阻抗
3
C3D20060D 修订版本 C
1E-1 1.E-02
1.E-01
1E0
1.E+00
1E1
典型性能(每个桥臂)
140.000
140
120.000
120
100.000
100
功率耗散 (W)
80.000
80
60.000
60
40.000
40
20.000
20
0.000
0
25
25
50
50
75
75
100
100
125
125
150
150
175
175
TC 外壳温度 (°C)
图 6.功率降额
二极管型号(每个桥臂)
Diode Model CSD10060
T = VT+If*RT
VfVf
T = VT + If*RT
-3
-3
V
0.98+(T
* -1.6*10
VTT==0.92
+ (Tj * J-1.35*10
) )
-3
-3
R
0.04+(T
0.522*10
)
RTT==0.052
+ (Tj *J*0.29*10
)
注:Tj = 二极管结温,单位摄氏度
VT
4
C3D20060D 修订版本 C
RT
封装尺寸
封装 TO-247-3
位置
X
Z
W
英寸
最小
最大
最小
最大
A
.605
.635
15.367
16.130
B
.800
.831
20.320
21.10
C
.780
.800
19.810
20.320
D
.095
.133
2.413
3.380
E
.046
.052
1.168
1.321
F
.060
.095
1.524
2.410
G
Y
BB
AA
CC
引脚 1
引脚 2
外壳
引脚 3
毫米
.215 典型
5.460 典型
H
.175
.205
4.450
5.210
J
.075
.085
1.910
2.160
K
6˚
21˚
6˚
21˚
L
4˚
6˚
4˚
6˚
M
2˚
4˚
2˚
4˚
N
2˚
4˚
2˚
4˚
P
.090
.100
2.286
2.540
Q
.020
.030
.508
.762
R
9˚
11˚
9˚
11˚
S
9˚
11˚
9˚
11˚
T
2˚
8˚
2˚
8˚
U
2˚
8˚
2˚
8˚
V
.137
.144
3.487
3.658
W
.210
.248
5.334
6.300
X
.502
.557
12.751
14.150
Y
.637
.695
16.180
17.653
Z
.038
.052
0.964
1.321
AA
.110
.140
2.794
3.556
BB
.030
.046
0.766
1.168
CC
.161
.176
4.100
4.472
建议的焊盘布局
.12
.2
.08
部件号
封装
标记
C3D20060D
TO-247-3
C3D20060
.2
TO-247-3
本产品并未针对以下应用进行设计或测试,也不用于以下应用:植入人体的应用;产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用,包括但不限
于用于以下操作中的装置:核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。
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5
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