C3D1P7060Q VRRM 碳化硅肖特基二极管 IF; Z-Rec™整流器 • • • • • • • TC<150˚C Qc 特点 600 V 1.7 A 5.6 nC 封装 600伏肖特基整流器 为PFC升压二极管应用进行了优化 零反向恢复电压 高频率工作 与温度无关的切换行为 极快速切换 VF下的正温度系数 PowerQFN 3.3x3.3 优势 • • • • • 符合 小型、紧凑型表面贴装封装 基本上无切换损耗 效率更高 散热要求降低 并行器件无热失控 规范 应用 • • 开关模式电源 LED照明 部件号 封装 标识 C3D1P7060Q 四方扁平无引线 (QFN) 3.3 C3D1P7060 D1P7060Q 技术数据表: C3 修订版本B 最大额定值 符号 参数 值 单位 VRRM 重复峰值反向电压 600 V VRSM 浪涌峰值反向电压 600 V VDC 直流阻断电压 600 V IF 连续正向电流 1.7 3 A A TC<150˚C，无交流分量 TC<135˚C，无交流分量 IFRM 重复峰值正向浪涌电流 7 4.4 A TC=25˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 TC=110˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 IFSM 非重复峰值正向浪涌电流 15 12 A TC=25˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 TC=110˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 Ptot 功耗 35.5 13 W TC=25˚C TC=110˚C 工作结温和储存温度 -55到 +160 ˚C 150 ˚C TJ , Tstg Tc 最高表面温度 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com 测试条件 注 参阅 图3 1 电气特性 符号 参数 典型值 最大值 单位 测试条件 注 IF = 1.7 A TC=25°C IF = 1.7 A TC=150°C VF 正向电压 1.5 1.8 1.7 2.4 V IR 反向电流 10 20 50 100 μA VR = 600 V TC=25°C VR = 600 V TC=150°C QC 总电容电荷 5.6 nC VR = 600 V, IF = 1.7A di/dt = 500 A/μs TC = 25°C C 总电容 100 7 pF VR = 0 V, TC = 25°C, f = 1 MHz VR = 200 V, TC = 25˚C, f = 1 MHz VR = 400 V, TC = 25˚C, f = 1 MHz 注意： 1. 这是多数载流子二极管，因此没有反向恢复电荷。 热特性 符号 参数 RθJC 从结点到表面的封装热阻 典型值 单位 3.8 °C/W 典型性能 10.00 3.5 9.00 3.0 TC= -55°C TC= 25°C TC= 75°C TC =125°C TC =150°C 2.5 8.00 7.00 6.00 IR (μA) IIFF (A) (A) 2.0 1.5 5.00 TC= -55°C TC= 25°C TC= 75°C TC =125°C TC =150°C 4.00 3.00 1.0 2.00 0.5 1.00 0.0 0.0 0.5 1.0 1.5 VFF (V) (V) V 图1. 正向特性 2 C3D1P7060Q修订版本B 2.0 2.5 3.0 0.00 0 200 400 600 VR (V) 图2. 反向特性 800 1000 1200 典型性能 18 40.0 16 35.0 14 20% 30% 50% 70% 直流 12 30.0 25.0 PTot (W) IF (A) 10 暂载率* 暂载率* 暂载率* 暂载率* 8 6 20.0 15.0 4 10.0 2 5.0 0 25 50 75 100 125 0.0 150 25 50 75 125 150 TC ˚C TC ˚C 图3. 电流降额 图4. 功率降额 9 120 8 100 7 6 80 5 C (pF) Qrr (nC) 100 4 3 60 40 2 20 1 0 0 100 200 300 VR (V) 400 图5. 恢复电荷与反向电压 3 C3D1P7060Q修订版本B 500 600 0 0.1 1 10 VR (V) 图6. 电容与反向电压 100 1000 典型性能 热阻 (˚C/W) 10 1 0.1 0.01 1E-6 10E-6 100E-6 1E-3 T (sec) 图7. 瞬态热阻抗 二极管模型 Diode Model CSD10060 VfT = VT+If*RT VT = 0.99+(TJ* -1.5*10-3) RT = 0.22+(TJ* 2.6*10-3) 注：Tj = 二极管结温（摄氏度） VT 4 C3D1P7060Q修订版本B RT 10E-3 100E-3 封装尺寸 四方扁平无引线（QFN）3.3封装 阳极 阴极 正 底部 侧 顶部 所有尺寸的单位均为mm 若未指定，公差为0.05 mm NC = 无连接 5 C3D1P7060Q修订版本B 建议的着陆模式（所有尺寸的单位均为mm） 注意：着陆模式的设计和散热焊盘的尺寸主要取决于热特性和功耗。一般而言，散热焊盘的尺寸应尽可能接近封装的外露焊盘，但前提 是散热焊盘与引线焊盘之间没有桥接。 0.050 mm的额外长度和宽度为贴片工艺中的组件置放公差提供了空间。沿周边的0.150 mm为焊料沿封装金属侧边形成包边圆角提 供了空间。 本产品并非旨在用于以下装置而设计、测试或计划：植入人体的装置或者若本产品发生故障可能导致死亡、人身伤害或财产损失的装置，包括但不限于 用于运营核设施的设备、生命维持机、心脏除颤器或类似的急救医疗设备、飞机导航或通信或控制系统、空中交通管制系统或武器系统。 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree及Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标，Z-Rec Inc.是 Cree, Inc.的商标。 6 C3D1P7060Q修订版本B Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.313.5451 www.cree.com/power