Cree C3D04060F 碳化硅肖特基二极管- Z-Rec 整流器

C3D04060F–碳化硅肖特基二极管
VRRM = 600 V
Z-Rec™ 整流器(全隔离式封装)
IF(AVG)= 4 A
Qc 特点
•
•
•
•
•
•
•
•
•
= 8.5 nC
封装
600 伏肖特基整流器
针对 PFC 升压二极管应用进行优化
零反向恢复电流
零正向恢复电压
高频工作
与温度无关的开关特性
极快的开关
正向电压 (VF) 的正温度系数
全隔离式外壳
TO-220-F2
优点
引脚 1
•
•
•
•
•
•
外壳
将双极整流器替换成单极整流器
基本无开关损耗
效率更高
对散热器要求降低
并联器件不会导致热失控
无额外的隔离要求
引脚 2
应用
•
•
•
部件号
封装
标记
C3D04060F
TO-220-F2
C3D04060
开关电源
功率因数校正
--典型 PFC Pout:150W-300W
电机驱动器
最大额定值
D04060F
技术数据表:C3
Rev. D
符号
参数
值
单位
测试条件
VRRM
反向重复峰值电压
600
V
VRSM
反向浪涌峰值电压
600
V
VDC
直流阻断电压
600
V
IF(AVG)
平均正向电流
4
A
TC=95˚C,直流
IFRM
正向重复峰值浪涌电流
21
13
A
TC=25˚C,tP=10 mS,半正弦波,D=0.3
TC=110˚C,tP=10 mS,半正弦波,D=0.3
IFSM
正向不重复峰值浪涌电流
30
25
A
TC=25˚C,tP=10 mS,半正弦波,D=0.3
TC=110˚C,tP=10 mS,半正弦波,D=0.3
IFSM
正向不重复峰值浪涌电流
110
A
TC=25˚C,tP=10 µs,脉冲
Ptot
功率耗散
13.1
5.7
W
TC=25˚C
TC=110˚C
-55 至
+175
˚C
1
8.8
Nm
lbf-in
TJ,Tstg
工作结温和存储温度
TO-220 安装扭矩
注
M3 螺丝
6-32 螺丝
信息若有更改,恕不另行通知。
www.cree.com
1
电气特征
符号
参数
典型
最大
单位
测试条件
VF
正向电压
1.5
1.8
1.7
2.4
V
IR
反向电流
10
20
50
100
μA
VR = 600 V TJ=25°C
VR = 600 V TJ=175°C
QC
总电容电荷
8.5
nC
VR = 600 V, IF = 4 A
di/dt = 500 A/μS
TJ = 25°C
C
总电容
251
22
21
pF
VR = 0 V,TJ = 25°C,f = 1 MHz
VR = 200 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
VR = 400 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
注
IF = 4 A TJ=25°C
IF = 4 A TJ=175°C
注:
1.这是一款主载子二极管,因此没有反向恢复电荷。
热特征
符号
参数
典型
单位
RθJC
热阻,结到外壳
11.5
°C/W
典型性能
8.0
8
1010
88
5.0
5
D1_25C
D1_75C
4.0
4
D1_125C
D1_175C
3
3.0
R
IF Forward Voltage (A)
6.0
6
IF 正向电流 (A)
99
TJ = 25°C
TJ = 75°C
TJ = 125°C
TJ = 175°C
2.0
2
1.0
1
0.0
0
77
66
D4_25C
D4_75C
55
D4_125C
D4_175C
44
33
TJ = 25°C
TJ = 75°C
22
TJ = 125°C
TJ = 175°C
11
0.0
0.0
0.5
0.5
1.0
1.0
1.5
1.5
2.0
2.0
VF Forward Voltage (V)
VF 正向电压 (V)
图 1.正向特征
2
IRI 反向电流
(μA)
Reverse Current (uA)
7.0
7
C3D04060F Rev. D
2.5
2.5
3.0
3.0
00
00
100
200
100
200 300
300
400
500
400
500
600
700
800
900
600
700
800
900 1000
1000
VR Reverse Voltage
VR 反向电压
(V) (V)
图 2.反向特征
典型性能
C3D04060F Current Derating
D3_4A_FP
120
120
12
12
20% 占空系数*
30% 占空系数*
50% 占空系数*
70% 占空系数*
直流
8080
C 电容 (pF)
88
C Capacitance (pF)
100
100
10
10
F(PEAK)
(A)Current (A)
峰值正向电流
IF(PEAK)I Peak
Forward
14
14
66
6060
D3_4A_FP
4040
44
2020
22
0
00
0
25
50
25
50
75
75
100
125
100
TC 外壳温度 (°C)
TC Case *Temperature
频率 > 1KHz
125
(°°C)
150
150
175
1
1
175
10
10
VR
图 3.电流降额
100
100
1000
1000
VR Reverse
反向电压
(V) Voltage (V)
图 4.电容与反向电压的关系
热阻抗 (°C/W)
1E1
1E0
E-1
E-2
1E-5
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
时间 (s)
图 5.瞬态热阻抗
3
C3D04060F Rev. D
1E0
1E1
1E2 1E3
典型性能
16
14
12
功率耗散 (W)
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
175
TC 外壳温度 (°C)
图 6.功率降额
封装尺寸
封装 TO-220-F2
E
A
F
位置
B
G
C
H
P
L
D
S
T
M
N
引脚 1
外壳
引脚 2
4
C3D04060F Rev. D
英寸
毫米
最小
最大
最小
A
.177
.193
4.5
最大
4.9
B
.092
.108
2.34
2.74
6.9
C
.248
.272
6.3
D
.098
.114
2.5
2.9
E
.390
.406
9.9
10.3
3.4
F
.118
.134
3.0
G
.122
.137
3.1
3.5
H
.617
.633
15.67
16.07
L
.039
.055
1.0
1.4
M
.016
.031
0.4
0.8
N
.185
.217
4.7
5.5
P
0
.154
0
3.9
S
.476
.508
12.1
12.9
T
.016
.031
0.4
0.8
注:
1. 尺寸 L、M、T 适用于浸焊表面处理
建议的焊盘布局
TO-220-F2
部件号
封装
标记
C3D04060F
TO-220-F2
C3D04060
二极管型号
Diode Model CSD10060
T = VT+If*RT
VfVf
T = VT + If*RT
-3
-3
V
0.98+(T
* -1.8*10
VTT==0.92
+ (Tj * J-1.35*10
) )
-4
-3
R
0.10+(T
9.16*10
RTT==0.052
+ (Tj *J*0.29*10
) )
注:Tj = 二极管结温,单位摄氏度
VT
RT
本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质 (PBT)、持久性有机污染物 (POP) 或其它受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值 (也称为阈值),或者依照欧盟关于在电气和电子设备中限制
使用某些有害物质的 2002/95/EC 号指令 (RoHS) 用于可豁免的应用场合 (修订截至 2006 年 4 月 21 日)。
本产品并未针对以下应用进行设计或测试,也不用于以下应用:植入人体的应用;产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用,包括但不限
于用于以下操作中的装置:核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。
版权所有 © 2009-2011 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是 Cree, Inc. 的注册商标,
Z-Rec 是 Cree, Inc. 的商标。
5
C3D04060F Rev. D
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