CGH35060F1 / CGH35060P1 60 W，3.3-3.9 GHz，28V，用于WiMAX、宽带无线接入的GaN HEMT Cree的CGH35060F是一款专为高效率、高增益和高带宽能力而设计的 氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），因而是3.3-3.9 GHz WiMAX和BWA线性放大器应用的理想选择。该晶体管用陶瓷／金属法兰 和丸状封装。Cree的碳化硅衬底氮化镓（GaN-on-SiC）HEMT极易校 正，与数字预失真（DPD）一起使用时可实现更高的效率。 封装类型：44 0193 & 4401 部件号：CGH 96 35060F1和C GH35060P1 示范放大器在3.3-3.6GHz（TC = 25˚C）时的典型性能 3.3 GHz 3.4 GHz 3.5 GHz 3.6 GHz 单位 小信号增益 11.7 12.2 12.6 12.8 dB 26 dBm时的EVM 2.05 1.82 1.56 1.80 % 39 dBm时的EVM 1.91 1.83 1.98 2.86 % 39 dBm时的漏极效率 22.0 23.1 24.9 26.7 % 8.0 10.3 12.5 13.1 dB 参数 输入回波损耗 注意： 在CGH35060F1-TB放大器电路中测得，采用802.16 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉冲串，5毫秒脉 冲串，符号长度59，编码类型RS-CC，编码速率类型2/3，PAR = 9.8 dB（在CCDF上的概率为0.01 %时）。 特点 • 3.3 - 3.9 GHz工作频率 • 60 W峰值功率容量 修订版本1.0— —2012年5月 • 12 dB小信号增益 • < 2.0 % EVM时，8.0 W PAVE • 8 W PAVE时，25 %的漏极效率 • WiMAX固定接入802.16-2004 OFDM • WiMAX移动接入802.16e OFDMA SiC和GaN可用的大型信号型号 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/rf 1 25˚C表面温度时的绝对最大额定值（非同时发生） 参数 符号 额定值 单位 条件 漏源电压 VDSS 84 伏 25˚C 25˚C 栅源电压 VGS -10, +2 伏 功耗 PDISS 28 瓦 储存温度 TSTG -65, +150 ˚C TJ 225 ˚C IGMAX 15 mA 25˚C A 25˚C TS 245 ˚C τ 80 in-oz RθJC 2.8 ˚C/W 85˚C TC -40, +150 ˚C 30秒 工作结温 最大正向栅极电流 最大漏极电流 IMAX 1 焊接温度2 螺丝扭矩 3 热阻，结点到表面 表面工作温度3 注意： 1 确保长期可靠工作的电流限制。 2 请访问以下网址参阅有关焊接的应用说明：http://www.cree.com/rf/tools-and-support/document-library 3 PDISS = 28 W时对CGH35060F1测得。 电气特性（TC = 25 ˚C） 规格参数表 符号 最小值 栅极阈值电压 VGS(th) 栅极静态电压 VGS(Q) 饱和漏极电流 漏源击穿电压 直流特性 典型值 最大值 单位 条件 -3.5 -3.0 –2.0 VDC VDS = 10 V, ID = 14.4 mA – -3.0 – VDC VDS = 28 V, ID = 250 mA IDS 11.6 14.0 - A VBR 120 – – VDC VGS = -8 V, ID = 14.4 mA GSS 10 11.5 – dB VDD = 28 V, IDQ = 250 mA η 19 23 – % VDD = 28 V, IDQ = 250 mA, PAVE = 8 W % VDD = 28 V, IDQ = 250 mA, PAVE = 24 dBm 1 VDS = 6.0 V, VGS = 2 V 射频特性2,3（TC = 25˚C）F0 = 3.5 GHz，除非另有说明） 小信号增益 4 漏极效率 回退误差矢量幅度 EVM1 – 2.5 – 误差矢量幅度 EVM2 – 2.0 – 输出失配应力 VSWR – – 10:1 Y 在所有相角均无损伤， VDD = 28 V, IDQ = 250 mA CGS – 19.0 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 输出电容 CDS – 5.9 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 反馈电容 CGD – 0.8 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz VDD = 28 V, IDQ = 250 mA, PAVE = 8 W 动态特性 输入电容 注： 1 2 3 封装前在晶片上测得。 在CGH35060F1-TB测试夹具中测得。 采用802.16 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉冲串，5毫秒脉冲串，符号长度59，编码类型RS-CC，编码速率类型2/3， PAR = 9.8 dB（在CCDF上的概率为0.01 %时）。 4 漏极效率 = POUT / PDC。 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 2 CGH35060F1 / CGH35060P1 Rev 1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/rf 典型WiMAX性能 CGH35060F1和CGH35060P1在CGH35060F1-TB宽带放大器电路中的增益和回波损耗与频率， VDD = 28 V,S21 IDQ = 250 mA 16 0 14 -2 -4 10 -6 8 -8 6 S11（dB） S21（dB） S21 12 -10 S11 4 -12 S21 2 -14 S11 0 -16 3.0 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 3.9 4.0 频率（GHz） CGH35060F1和CGH35060P1在CGH35060F-TB宽带放大器电路中的典型EVM （26 dBm和39 dBm时）和效率与频率，VDD = 28 V, IDQ = 250 mA 6.0 36% 26 dBm时的EVM 5.5 33% 32 dBm时的EVM 30% 效率 4.5 27% 4.0 24% 效率 EVM（%） 3.5 21% 3.0 18% 2.5 15% 2.0 12% EVM 1.5 9% 1.0 6% 0.5 3% 0.0 3.30 效率 5.0 3.35 3.40 3.45 3.50 3.55 3.60 3.65 0% 3.70 频率（GHz） 注意： 采用802.16-2004 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉冲串，符号长度 59，编码类型RS-CC，编码速率类型2/3。 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 3 CGH35060F1 / CGH35060P1 Rev 1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/rf 典型WiMAX性能 CGH35060F1和CGH35060P1在CGH35060F-TB中的漏极效率和增益与输出功率， VDD = 28 V, IDQ = 250 mA, 802.16-2004 OFDM, PAR = 9.8 dB 16 32% 15 30% 14 28% 13 26% 12 24% 增益 11 22% 20% 效率 9 18% 8 16% 7 14% 6 12% 5 10% 4 效率 增益（dB） 10 8% 3 增益 6% 2 效率 4% 1 2% 0 0% 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 输出功率（dBm） CGH35060F1和CGH35060P1在CGH35060F-TB中的典型EVM和效率与输出功率， VDD = 28 V, IDQ = 250 mA, 802.16-2004 OFDM, PAR = 9.8 dB 5.2 26% 4.8 24% 4.4 EVM 22% 4.0 效率 20% 3.6 18% 效率 2.8 14% 2.4 12% 2.0 10% 1.6 8% 1.2 效率 16% EVM（%） 3.2 6% EVM 0.8 4% 0.4 2% 0.0 0% 22 24 26 28 30 32 输出功率（dBm） 34 36 38 40 注意： 采用802.16-2004 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉冲串， 符号长度59，编码类型RS-CC，编码速率类型2/3。 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 4 CGH35060F1 / CGH35060P1 Rev 1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/rf 典型性能数据 K因数 MAG（dB） CGH35060F1和CGH35060P1的模拟最大可用增益和K因数 VDD = 28 V, IDQ = 250 mA 频率（GHz） 典型噪声性能 噪声电阻（欧姆） 最小噪声系数（dB） CGH35060的模拟最小噪声系数和噪声电阻与频率 VDD = 28 V, IDQ = 250 mA 频率（GHz） 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 5 CGH35060F1 / CGH35060P1 Rev 1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/rf 源阻抗和负载阻抗 D Z负载 Z源 G S 频率（MHz） Z源 Z负载 3300 3.5 - j12.1 6.5 - j6.8 3400 3.5 - j11.4 6.0 - j5.9 3500 3.3 - j10.7 5.6 - j5.1 3600 3.2 - j10.0 5.4 - j4.3 3700 3.1 - j9.3 5.2 - j3.4 注1：VDD = 28V, IDQ = 250mA.在440193封装中。 注2：阻抗来自CGH35060F1-TB示范电路，而非来源于晶体管的源阻抗和负载挽阻抗数据。 静电放电（ESD）分类 参数 符号 类别 测试方法 人体模型 HBM 1A (> 250 V) JEDEC JESD22 A114-D 充电装置模型 CDM II (200 < 500 V) JEDEC JESD22 C101-C 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 6 CGH35060F1 / CGH35060P1 Rev 1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/rf CGH35060F1-TB示范放大器电路材料表 符号 R1 R2 描述 RES, 1/16W, 0603, 1%, 5.1 OHMS 数量 1 RES, 1/16W, 0603, 1%, 100 OHMS 1 CAP, 470pF, 5%,100V, 0603 3 C16,C22 CAP, 33 UF, 20%, G CASE 2 C15,C21 CAP, 1.0UF, 100V, 10%, X7R, 1210 2 C6,C13,C19 C8 CAP 10UF 16V 钽 1 CAP, 7.5pF, +/-0.1pF, 0603, ATC 3 C1 CAP, 0.6pF, +/-0.05pF, 0603, ATC 2 C2 CAP, 1.2pF, +/-0.1pF, 0603, ATC 1 CAP, 4.7pF, +/-0.25pF, 100B, ATC 3 C4,C11,C17 C10 C5,C12,C18,C30,C31 CAP, 47pF, +/-5%, 0603, ATC 5 C7,C14.C20 CAP, 33000PF, 0805, 100V, X7R 2 J2,J3 CONN，SMA，面板安装插口，法兰 2 J1 HEADER RT>PLZ .1CEN LK 5POS 1 Q1 CGH35060F1 1 CGH35060F1-TB示范放大器电路 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 7 CGH35060F1 / CGH35060P1 Rev 1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/rf CGH35060F1-TB示范放大器电路示意图 漏极 接地 栅极 法兰式包装 射频输出 射频输入 CGH35060F1-TB示范放大器电路平面图 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 8 CGH35060F1 / CGH35060P1 Rev 1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/rf CGH35060F1/P1的典型封装S参数（小信号，VDS = 28 V，IDQ = 250 mA，角的单位为度） 频率 Mag S11 Ang S11 Mag S21 Ang S21 Mag S12 Ang S12 Mag S22 Ang S22 500 MHz 0.932 -170.73 7.26 79.93 0.014 -5.48 0.616 -170.30 600 MHz 0.933 -173.14 6.04 75.95 0.014 -8.53 0.624 -170.60 700 MHz 0.933 -175.02 5.17 72.27 0.014 -11.26 0.632 -170.73 800 MHz 0.934 -176.56 4.51 68.80 0.014 -13.77 0.640 -170.79 900 MHz 0.935 -177.90 3.99 65.50 0.014 -16.12 0.648 -170.84 1.0 GHz 0.936 -179.09 3.58 62.32 0.014 -18.33 0.657 -170.91 1.1 GHz 0.937 179.82 3.24 59.24 0.013 -20.41 0.666 -171.02 1.2 GHz 0.937 178.80 2.96 56.27 0.013 -22.38 0.675 -171.18 1.3 GHz 0.938 177.82 2.73 53.38 0.013 -24.25 0.684 -171.38 1.4 GHz 0.939 176.88 2.53 50.57 0.013 -26.02 0.693 -171.64 1.5 GHz 0.940 175.95 2.35 47.83 0.012 -27.69 0.702 -171.94 1.6 GHz 0.941 175.04 2.20 45.17 0.012 -29.28 0.710 -172.30 1.7 GHz 0.942 174.13 2.07 42.56 0.012 -30.78 0.718 -172.69 1.8 GHz 0.942 173.22 1.96 40.01 0.012 -32.20 0.726 -173.13 1.9 GHz 0.943 172.30 1.86 37.51 0.012 -33.53 0.733 -173.60 2.0 GHz 0.943 171.37 1.77 35.06 0.011 -34.79 0.740 -174.11 2.1 GHz 0.944 170.42 1.69 32.65 0.011 -35.98 0.746 -174.64 2.2 GHz 0.944 169.44 1.62 30.28 0.011 -37.09 0.752 -175.21 2.3 GHz 0.944 168.44 1.56 27.94 0.011 -38.14 0.757 -175.80 2.4 GHz 0.944 167.42 1.51 25.63 0.011 -39.12 0.762 -176.41 2.5 GHz 0.944 166.35 1.47 23.33 0.011 -40.03 0.767 -177.05 2.6 GHz 0.944 165.25 1.43 21.06 0.010 -40.89 0.771 -177.70 2.7 GHz 0.944 164.10 1.39 18.79 0.010 -41.69 0.775 -178.38 2.8 GHz 0.943 162.90 1.36 16.52 0.010 -42.44 0.778 -179.08 2.9 GHz 0.943 161.64 1.34 14.25 0.010 -43.15 0.780 -179.81 3.0 GHz 0.942 160.32 1.32 11.97 0.010 -43.81 0.783 179.45 3.2 GHz 0.939 157.45 1.29 7.34 0.010 -45.03 0.786 177.90 3.4 GHz 0.936 154.21 1.29 2.56 0.010 -46.16 0.787 176.26 3.6 GHz 0.932 150.50 1.30 -2.45 0.010 -47.28 0.786 174.50 3.8 GHz 0.926 146.18 1.32 -7.79 0.010 -48.49 0.783 172.62 4.0 GHz 0.918 141.08 1.37 -13.59 0.011 -49.93 0.778 170.58 4.2 GHz 0.907 134.91 1.45 -20.01 0.011 -51.79 0.770 168.35 4.4 GHz 0.893 127.31 1.55 -27.29 0.012 -54.34 0.759 165.88 4.6 GHz 0.875 117.74 1.68 -35.72 0.013 -57.92 0.745 163.12 4.8 GHz 0.851 105.40 1.85 -45.68 0.014 -62.99 0.726 159.95 5.0 GHz 0.821 89.23 2.06 -57.67 0.016 -70.09 0.701 156.25 5.2 GHz 0.788 67.93 2.29 -72.20 0.018 -79.82 0.668 151.81 5.4 GHz 0.763 40.72 2.50 -89.57 0.019 -92.51 0.624 146.32 5.6 GHz 0.760 8.85 2.62 -109.47 0.021 -107.92 0.563 139.43 5.8 GHz 0.789 -23.42 2.60 -130.80 0.021 -124.97 0.479 130.69 6.0 GHz 0.837 -51.66 2.44 -152.19 0.020 -142.29 0.367 119.31 请访问以下网址下载“.s2p”格式的该s参数文件：http://www.cree.com/products/wireless_s-parameters.asp 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 9 CGH35060F1 / CGH35060P1 Rev 1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/rf CGH35060F1产品尺寸（封装类型——440193） 注： 1. 按照 ANSI Y14.5M ‒ 1982 规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘 0.020" 。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于0.008" 。 5. 所有电镀的表面是镍/黄金。 英寸 最小 毫米 最大 最小 最大 引脚1. 栅极 引脚2. 漏极 引脚3. 光源 CGH35060P1产品尺寸（封装类型——440196） 注： 1. 尺寸和公差每 ANSI Y14.5M- 1994。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘 0.020" 。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于 0.008" 。 英寸 最小 毫米 最大 最小 注 最大 引脚1. 栅极 引脚2. 漏极 引脚3. 光源 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 10 CGH35060F1 / CGH35060P1 Rev 1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/rf 免责声明 规格若有更改，恕不另行通知。Cree, Inc.认为本数据手册中所包含的信息是准确且可靠的。但是，Cree不对因此类信息的使用而产生 的侵犯第三方的专利或其他权利的行为承担任何责任。不会通过暗示或以其他方式授予Cree的任何专利或专利权的任何许可。Cree不对 其产品在任何特定用途方面的适用性做出任何担保、声明或保证。“典型”参数是Cree根据大量数据得出的平均预期值，仅供参考。这 些值可能且确实在不同应用中有所差异，并且实际性能可能随着时间的推移而有所差异。各个应用的所有工作参数均应由客户的技术专 家进行验证。Cree产品并不是旨在用作以下应用的组件而设计、计划或批准的：旨在进行人体外科移植或者支持或维持生命的应用；若 Cree产品发生故障可能导致人身伤害或死亡的应用；用于规划、建设、维护或直接运营核设施的应用。 如需更多信息，请联系： Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 www.cree.com/rf Sarah Miller 营销及出口 Cree，射频组件 919.407.5302 Ryan Baker 营销 Cree，射频组件 919.407.7816 Tom Dekker 销售总监 Cree，射频组件 919.407.5639 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 11 CGH35060F1 / CGH35060P1 Rev 1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/rf