CPW3-0600S003–碳化硅肖特基二极管芯片 Z-Rec 整流器 TM VRRM = 600 V IF(AVG)= 3 A 特点 Qc = 6.7 nC 芯片平面图 • 600伏肖特基整流器 • 零反向恢复 • 零正向恢复 • 高频率工作 • 与温度无关的切换行为 • 极快速切换 • 正向电压（VF）下的正温度系数 部件号 阳极 阴极 封装 标识 CPW3-0600S003B Al NiV/Ag 在箔片上锯切 箔片上的晶片编号 W3-0600S0 技术数据表: CP 03修订版本A 最大额定值 符号 参数 值 单位 VRRM 重复峰值反向电压 600 V VRSM 浪涌峰值反向电压 600 V VDC 直流阻断电压 600 V IF(AVG) 平均正向电流 3 A TJ=175˚C 20 A TC=25˚C，tP=10 ms，半正弦波，D=0.3 1 100 A TC=25˚C，tP=10 µs，脉冲 1 -55到 +175 ˚C IFRM 重复峰值正向浪涌电流 IFSM 非重复峰值正向浪涌电流 TJ , Tstg 工作结温和储存温度 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/power 测试条件 注 1 电气特性 符号 参数 典型值 最大值 单位 测试条件 IF = 3 A TJ=25°C IF = 3 A TJ=175°C VF 正向电压 1.5 1.8 1.8 2.4 V IR 反向电流 10 20 50 100 μA VR = 600 V TJ=25°C VR = 600 V TJ=175°C QC 总电容电荷 6.7 nC VR = 600 V, IF = 3 A di/dt = 500 A/μs TJ = 25°C C 总电容 155 13 12 pF VR = 0 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz VR = 200 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz 注意： 1. 假设θJC热阻为2.5˚C/W或更小 机械参数 参数 典型值 单位 晶粒尺寸 1.07 x 0.92 毫米 阳极焊盘尺寸 0.93 x 0.77 毫米 阳极焊盘开口 0.82 x 0.67 毫米 厚度 377 ± 10% μm 100 毫米 4 μm 1.8 μm 晶片尺寸 阳极金属化（Al） 阴极金属化（NiV/Ag） 前端钝化 2 聚酰亚胺 CPW3-0600S003修订版本A 注 芯片尺寸 B 符号 C A 尺寸 毫米 英寸 A 1.07 0.042 B 0.92 0.036 C 0.93 0.037 D 0.77 0.030 D 部件号 阳极 阴极 封装 标识 CPW3-0600S003B Al NiV/Ag 在箔片上锯切 箔片上的晶片编号 用于交付这些碳化硅晶粒的胶带封装法可被认为是一种临时储存方式。由于粘性随着时间的推移增强，长时间储存的晶粒可能在 胶带上粘得太紧。这些晶粒应在收到后立即储存在有温度控制的氮气干燥箱中。Cree进一步建议在交付后2到3周内将所有晶粒从 胶带移除到叠片包装或类似储存介质中，或者用于生产，以确保100%顺利脱出所有晶粒。 本产品并非旨在用于以下装置而设计、测试或计划：植入人体的装置或者若产品发生故障可能导致死亡、人身伤害或财产损失的装置，包括但不限于用 于运营核设施的设备、生命维持机、心脏除颤器或类似的急救医疗设备、飞机导航或通信或控制系统、空中交通管制系统或武器系统。 版权所有© 2009-2011 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree及Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标，Z-Rec Inc. 是Cree, Inc.的商标。 3 CPW3-0600S003修订版本A Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.313.5451 www.cree.com/power