CGH27015 15 W，28V，用于VHF到3 GHz线性通信的GaN HEMT Cree的CGH27015是一款专为高效率、高增益和高带宽能力而设计的氮化镓(GaN)高电 子迁移率晶体管，因而是VHF、Comms、3G、4G、LTE、2.3-2.9GHz WiMAX和BWA 放大器应用的理想选择。该出色的晶体管采用螺旋下降式法兰封装和焊接式丸剂封装。 封装类型：44 0166和4401 部件号：CGH 96 27015F和CG H27015P 在2.3-2.7 GHz（TC = 25˚C）时的典型性能 2.3 GHz 2.4 GHz 2.5 GHz 2.6 GHz 2.7 GHz 单位 小信号增益 16.9 16.0 15.1 14.6 14.3 dB PAVE = 33 dBm时的EVM 1.69 1.51 1.50 1.66 1.93 % PAVE = 33 dBm时的漏极效率 27.1 27.8 28.4 28.0 28.0 dB 参数 注意： 在CGH27015F-TB放大器电路中测得，采用802.16 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉冲串，5毫秒脉冲 串，符号长度59, 编码类型RS-CC，编码速率类型2/3，PAR = 9.8 dB（在CCDF上的概率为0.01 %时）。 特点 • VHF - 3.0 GHz工作频率 • 15 W峰值功率容量 • 14.5 dB小信号增益 • 2 W平均功率时，28 %效率 • 为WiMAX固定接入802.16-2004 OFDM应用而设计 • 为WiMAX移动接入802.16e OFDMA应用而设计 修订版本3.2— —2012年4月 • 2 W PAVE < 2.0 % EVM SiC和GaN可用的大型信号型号 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/rf 1 25˚C表面温度时的绝对最大额定值（非同时发生） 参数 符号 额定值 单位 单位 漏源电压 VDSS 84 伏 25˚C 25˚C 栅源电压 VGS -10, +2 伏 储存温度 TSTG -65, +150 ˚C 工作结温 TJ 225 ˚C 最大正向栅极电流 IGMAX 4.0 mA 25˚C 最大漏极电流1 IDMAX 1.5 A 25˚C 焊接温度 TS 245 ˚C 螺丝扭矩 τ 60 in-oz RθJC 8.0 ˚C/W 85˚C TC -40, +150 ˚C 30秒 2 热阻，结点到表面3 表面工作温度3 注意： 1 为确保长期可靠工作的电流限制。 2 请访问以下网址参见有关焊接的应用说明：www.cree.com/products/wireless_appnotes.asp 3 PDISS = 14W时对CGH27015F测得。 电气特性（TC = 25 ˚C） 规格参数表 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 栅极阈值电压 VGS(th) -3.8 -3.0 -2.3 VDC VDS = 10 V, ID = 3.6 mA 栅极静态电压 VGS(Q) – -2.7 – VDC VDS = 28 V, ID = 100 mA 饱和漏极电流 IDS 2.9 3.5 – A VDS = 6.0 V, VGS = 2.0 V 漏源击穿电压 VBR 120 – – VDC VGS = -8 V, ID = 3.6 mA GSS 13 15 – dB VDD = 28 V, IDQ = 100 mA η 20 28 – % VDD = 28 V, IDQ = 100 mA, PAVE = 33 dBm 误差矢量幅度 EVM – 2.0 – % VDD = 28 V, IDQ = 100 mA, PAVE = 33 dBm 输出失配应力 VSWR – – 10 :1 Y 在所有相角均无损伤， VDD = 28 V, IDQ = 100 mA, PAVE = 33 dBm OFDM PAVE CGS – 4.5 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 输出电容 CDS – 1.3 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 反馈电容 CGD – 0.2 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 直流特性1 2,3 射频特性 （TC = 25˚C，F0 = 2.5 GHz，除非另有说明） 小信号增益 漏极效率4 动态特性 输入电容 注： 1 封装前在晶片上测得。 2 在CGH27015F-TB测试夹具中测得。 3 采用802.16 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉冲串，5毫秒脉冲串，符号长度59，编码类型RS-CC，编码速率类型2/3， PAR = 9.8 dB（在CCDF上的概率为0.01 %时）。 4 漏极效率= POUT / PDC。 版权所有© 2005-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 2 CGH27015 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.313.5778 www.cree.com/wireless 典型性能数据 CGH27015在宽带放大器电路中的性能 VDD = 28 V, IDQ = 100 mA 22 6 20 4 S21 2 0 14 -2 12 -4 S21（dB） 16 S11 10 -6 8 -8 S21 6 S11（dB） 18 -10 S11 4 -12 2 -14 0 -16 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 频率（GHz） CGH27015在宽带放大器电路中的典型EVM 和效率（24 dB和33 dB时）与频率 4.0 30% 27% 漏极效率 3.2 24% 2.8 21% EVM（%） 2.4 18% 24dB时的EVM 2.0 15% 1.6 12% 33dB时的EVM 1.2 9% 24dB时的EVM 0.8 效率 3.6 6% 33dB时的EVM 0.4 3% 效率 0.0 0% 2 .3 2 .4 2 .5 频率（GHz） 2 .6 2 .7 注意： 采用802.16 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉冲串，符号长 度59，编码类型RS-CC，编码速率类型2/3。 版权所有© 2005-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 3 CGH27015 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.313.5778 www.cree.com/wireless 典型性能数据 CGH27015在宽带放大器电路中的典型EVM和效率（2.5 GHz时） F=2.5 GHz, 802.16-2004 OFDM, P/A=9.8 dB 4.8 36% 4.4 33% EVM 3.6 效率 30% 27% 漏极效率 24% 2.8 21% 2.4 18% 2.0 15% 1.6 12% EVM（%） 3.2 1.2 漏极效率 4.0 9% EVM 0.8 6% 0.4 3% 0.0 0% 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 平均输出功率（dBm） 注意： 采用802.16-2004 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉冲串， 符号长度59，编码类型RS-CC，编码速率类型2/3。 K因数 MAG（dB） CGH27015F的模拟最大可用增益和K因数 VDD = 28 V, IDQ = 100 mA 频率（GHz） 版权所有© 2005-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 4 CGH27015 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.313.5778 www.cree.com/wireless 典型噪声性能 最小噪声系数（dB） 噪声电阻（欧姆） CGH27015的模拟最小噪声系数和噪声电阻与频率 VDD = 28 V, IDQ = 100 mA 频率（GHz） 静电放电（ESD）分类 参数 符号 类别 测试方法 人体模型 HBM 1A (> 250 V) JEDEC JESD22 A114-D 充电装置模型 CDM II (200 < 500 V) JEDEC JESD22 C101-C 版权所有© 2005-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 5 CGH27015 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.313.5778 www.cree.com/wireless 源阻抗和负载阻抗 D Z负载 Z源 G S 频率（MHz） Z源 Z负载 2300 17.8 - j1.5 16.8 - j1.7 2400 20.3 - j4.0 16.9 - j0.8 2500 20.6 - j7.9 17.2 + j0.2 2600 18.2 - j11.3 17.7 + j1.3 2700 14.6 - j12.6 19.1 + j2.4 注1. VDD = 28V，IDQ = 200mA（在440166封装中）。 注2. 阻抗来自CGH27015-TB示范放大器，不是来源于晶体管的源阻抗和负载挽阻抗数据。 CGH27015功耗降额曲线 CGH40010F连续波耗散功率下降曲线 16 14 12 功耗（W） 10 8 注1 6 4 2 0 0 25 50 75 100 125 150 最高表面温度（°C） 175 200 225 250 注1. 超过最高表面工作温度的部分（参见第2页）。 版权所有© 2005-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 6 CGH27015 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.313.5778 www.cree.com/wireless CGH27015-TB示范放大器电路材料表 符号 R1,R2 描述 数量 RES,1/16W,0603,1%,0 OHMS 2 RES,1/16W,0603,1%,100 OHMS 1 R3 RES,1/16W,0603,1%,22.6 OHMS 1 C6 CAP, 470PF, 5%,100V, 0603 1 C17 CAP, 33 UF, 20%, G CASE 1 C16 CAP, 1.0UF, 100V, 10%, X7R, 1210 1 CAP 10UF 16V 钽 1 CAP, 100.0pF, +/-5%, 0603 1 C4 CAP, 15pF, +/-5%, 0603 1 C1 CAP, 1.8pF, +/-0.1pF, 0603 1 C2, C10, C11 CAP, 2.0pF, +/-0.1pF, 0603 3 R4 C8 C14 C5,C13 CAP, 39pF, +/-5%, 0603 2 C7,C15 CAP,33000PF, 0805,100V, X7R 2 CONN SMA STR PANEL JACK RECP 1 J3,J4 J2 HEADER RT>PLZ.1CEN LK 2 POS 1 J1 HEADER RT>PLZ .1CEN LK 5POS 1 - PCB, RO4350B, Er = 3.48, h = 20 mil 1 - CGH27015F或CGH27015P 1 CGH27015-TB示范放大器电路 版权所有© 2005-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 7 CGH27015 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.313.5778 www.cree.com/wireless CGH27015-TB示范放大器电路示意图 射频输出 射频输入 CGH27015-TB示范放大器电路平面图 版权所有© 2005-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 8 CGH27015 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.313.5778 www.cree.com/wireless CGH27015的典型封装S参数（小信号，VDS = 28 V，IDQ = 100 mA，角的单位为度） 频率 Mag S11 Ang S11 Mag S21 Ang S21 Mag S12 Ang S12 Mag S22 Ang S22 500 MHz 0.909 -124.41 17.41 107.81 0.026 21.06 0.335 -93.73 600 MHz 0.902 -134.04 15.04 101.48 0.027 15.39 0.322 -101.61 700 MHz 0.898 -141.62 13.18 96.16 0.028 10.74 0.315 -107.78 800 MHz 0.894 -147.78 11.71 91.54 0.028 6.79 0.312 -112.73 900 MHz 0.892 -152.91 10.51 87.43 0.028 3.35 0.312 -116.77 1.0 GHz 0.890 -157.30 9.53 83.68 0.028 0.28 0.314 -120.15 1.1 GHz 0.889 -161.12 8.71 80.20 0.028 -2.51 0.318 -123.04 1.2 GHz 0.889 -164.51 8.01 76.95 0.028 -5.07 0.322 -125.57 1.3 GHz 0.888 -167.56 7.41 73.86 0.028 -7.45 0.328 -127.82 1.4 GHz 0.888 -170.34 6.89 70.91 0.028 -9.69 0.335 -129.87 1.5 GHz 0.888 -172.91 6.44 68.07 0.028 -11.81 0.342 -131.77 1.6 GHz 0.888 -175.30 6.04 65.32 0.028 -13.82 0.349 -133.56 1.7 GHz 0.888 -177.55 5.69 62.65 0.027 -15.74 0.357 -135.25 1.8 GHz 0.888 -179.68 5.37 60.05 0.027 -17.58 0.364 -136.89 1.9 GHz 0.888 178.29 5.09 57.50 0.027 -19.34 0.373 -138.48 2.0 GHz 0.888 176.34 4.83 55.01 0.027 -21.04 0.381 -140.03 2.1 GHz 0.889 174.45 4.60 52.56 0.026 -22.69 0.389 -141.55 2.2 GHz 0.889 172.63 4.39 50.14 0.026 -24.27 0.397 -143.06 2.3 GHz 0.889 170.84 4.20 47.76 0.026 -25.80 0.405 -144.56 2.4 GHz 0.889 169.10 4.02 45.41 0.025 -27.28 0.413 -146.04 2.5 GHz 0.890 167.39 3.86 43.09 0.025 -28.70 0.421 -147.52 2.6 GHz 0.890 165.71 3.71 40.79 0.025 -30.08 0.429 -149.00 2.7 GHz 0.891 164.04 3.57 38.51 0.024 -31.41 0.437 -150.48 2.8 GHz 0.891 162.39 3.44 36.26 0.024 -32.69 0.445 -151.95 2.9 GHz 0.891 160.76 3.32 34.01 0.024 -33.92 0.452 -153.43 3.0 GHz 0.892 159.13 3.21 31.79 0.023 -35.10 0.459 -154.92 3.2 GHz 0.892 155.89 3.00 27.38 0.023 -37.31 0.473 -157.90 3.4 GHz 0.893 152.65 2.83 23.00 0.022 -39.32 0.486 -160.90 3.6 GHz 0.893 149.39 2.67 18.66 0.021 -41.09 0.499 -163.93 3.8 GHz 0.894 146.09 2.54 14.34 0.020 -42.63 0.510 -166.99 4.0 GHz 0.894 142.74 2.41 10.02 0.020 -43.90 0.521 -170.10 4.2 GHz 0.895 139.33 2.31 5.70 0.019 -44.88 0.530 -173.24 4.4 GHz 0.895 135.84 2.21 1.37 0.018 -45.53 0.539 -176.45 4.6 GHz 0.895 132.26 2.12 -2.98 0.018 -45.84 0.547 -179.71 4.8 GHz 0.895 128.59 2.04 -7.36 0.017 -45.78 0.554 176.97 5.0 GHz 0.895 124.80 1.97 -11.79 0.016 -45.32 0.561 173.56 5.2 GHz 0.895 120.90 1.91 -16.27 0.016 -44.47 0.566 170.07 5.4 GHz 0.895 116.87 1.85 -20.81 0.016 -43.25 0.571 166.48 5.6 GHz 0.895 112.70 1.80 -25.41 0.015 -41.72 0.575 162.78 5.8 GHz 0.895 108.38 1.75 -30.10 0.015 -39.97 0.579 158.96 6.0 GHz 0.895 103.92 1.70 -34.88 0.016 -38.13 0.581 155.00 请访问以下网址下载“.s2p”格式的该s参数文件：http://www.cree.com/products/wireless_s-parameters.asp 版权所有© 2005-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 9 CGH27015 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.313.5778 www.cree.com/wireless CGH27015F产品尺寸（封装类型——440166） 注： 1. 按照 ANSI Y14.5M - 1982规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘 0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于 0.008"。 5. 所有电镀的表面是镍/黄金。 英寸 最小 毫米 最大 最小 最大 引脚1. 栅极 引脚2. 漏极 引脚3. 光源 CGH27015P产品尺寸（封装类型——440196） 注： 1. 按照ANSI Y14.5M - 1982规定的标示尺寸和公差 。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘 0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于 0.008"。 5. 所有电镀的表面是镍/黄金。 英寸 最小 毫米 最大 最小 最大 引脚1. 栅极 引脚2. 漏极 引脚3. 光源 版权所有© 2005-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 10 CGH27015 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.313.5778 www.cree.com/wireless 免责声明 规格若有更改，恕不另行通知。Cree, Inc.认为本数据手册中所包含的信息是准确且可靠的。但是，Cree不对因此类信息的使用而产生 的侵犯第三方的专利或其他权利的行为承担任何责任。本数据手册未通过暗示或以其他方式根据Cree的任何专利或专利权授予任何许 可。Cree不对其产品在任何特定用途方面的适用性做出任何担保、声明或保证。“典型”参数是Cree根据大量数据得出的平均预期值， 仅供参考。这些值可能且确实在不同应用中有所差异，并且实际性能可能随着时间的推移而有所差异。各个应用的所有工作参数均应由客 户的技术专家进行验证。Cree产品并不是旨在用作以下应用的组件而设计、计划或批准的：旨在进行人体外科移植或者支持或维持生命 的应用；若Cree产品发生故障可能导致人身伤害或死亡的应用；用于规划、建设、维护或直接运营核设施的应用。 如需更多信息，请联系： Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 www.cree.com/rf Sarah Miller 营销及出口 Cree，射频组件 1.919.407.5302 Ryan Baker 营销 Cree，射频组件 1.919.407.7816 Tom Dekker 销售总监 Cree，射频组件 1.919.407.5639 版权所有© 2005-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 11 CGH27015 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.313.5778 www.cree.com/wireless