CGH55030F2 / CGH55030P2 无与伦比的25 W、C波段GaN HEMT CGH55030F2/CGH55030P2是一款专为高能效、高增益和宽频带功能而设 计的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），这让CGH55030F2/ C G H 5 5 0 3 0 P 2 成为C 波段脉冲或C W 饱和放大器的理想选择。该晶体管的 封装形式有：旋入式法兰封装和焊入式丸式封装。经过适当的外部匹配调 整，CGH55030F2/CGH55030P2适用于频率最高可达6 GHz的应用。 封装类型：44 0196和4401 部件号：CGH 66 55030P2和C GH55030F2 特点 应用 • 工作频率：4.5 - 6.0 GHz • 双向专用无线电 • 5.65 GHz下小信号增益：12 dB • 宽带放大器 • PSAT典型值：30 W • 蜂窝基础设施 • PSAT条件下的光效：60 % • 测试仪器 • 工作电压：28 V • A类、AB类放大器，适用于驱动电源 修订版本3.2— —2012年4月 和增益模块 SiC和GaN可用的大型信号型号 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/wireless 1 表面温度为25˚C时的绝对最大额定值（非同时出现） 参数 符号 额定值 单位 条件 漏源电压 VDSS 84 电压 25˚C 25˚C 栅源电压 VGS -10、+2 电压 储存温度 TSTG -65、+150 ˚C 工作结温 TJ 225 ˚C 最大正向栅极电流 IGMAX 7.0 mA 25˚C 最大漏极电流1 IMAX 3 A 25˚C 焊接温度 TS 245 ˚C 螺杆扭矩 τ 60 in-oz RθJC 4.8 ˚C/W 85˚C TC -40、+150 ˚C 30秒 2 热阻，结点到表面3 表面工作温度3、4 注意： 1 为确保长期可靠地运行所需满足的电流限制。 2 请参考焊接应用说明，网址为：www.cree.com/products/wireless_appnotes.asp 3 在PDISS = 28 W的条件下，针对CGH55030测得。 4 另请参阅第5页“耗散功率下降曲线”。 电气特性（TC = 25˚C） 规格参数表 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 栅极阈值电压 VGS(th) 栅极静态电压 VGS(Q) -3.8 -3.0 –2.3 VDC VDS = 10 V，ID = 7.2 mA – -3.0 – VDC VDS = 28 V，ID = 250 mA DC特性1 饱和漏极电流 IDS 5.8 7.0 – A 漏源击穿电压 VBR 120 – – VDC VGS = -8 V，ID = 7.2 mA VDS = 6.0 V，VGS = 2 V 射频特性 （除非另行说明，否则测量条件一律为TC = 25˚C，F0 = 5.65 GHz） ２ 小信号增益 GSS 9.0 12.0 - dB VDD = 28 V，IDQ = 250 mA 功率输出3 PSAT 20 30 – W VDD = 28 V，IDQ = 250 mA η 50 60 – % VDD = 28 V，IDQ = 250 mA，PSAT 漏极效率 4 VSWR - – 10：1 Y 所有相角均无损坏， VDD = 28 V，IDQ = 250 mA，PSAT CGS – 9.0 – pF VDS = 28 V，Vgs = -8 V，频率 = 1 MHz 输出电容 CDS – 2.6 – pF VDS = 28 V，Vgs = -8 V，f = 1 MHz 反馈电容 CGD – 0.4 – pF VDS = 28 V，Vgs = -8 V，f = 1 MHz 输出失配应力 动态特性 输入电容 注： 1 封装之前直接在晶片上测得。 2 在CGH55030-TB中测得。 3 PSAT是在G = 0.72 mA的条件下所确定。 4 漏极效率 = POUT / PDC 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 2 CGH55030F2_P2 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless 典型性能 CGH55030-TB中CGH55030F2和CGH55030P2的 小信号S参数与频率之间的关系 VDD = 28 V，IDQ = 250 mA 5 12 S21 0 S11 8 -5 6 -10 4 -15 2 -20 S11 (dB) S21 (dB) 10 -25 0 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 6.0 6.1 频率（GHz） CGH55030-TB中CGH55030F2和CGH55030P2的 漏极效率、功率及增益与频率之间的关系 CGH55030 - GaN HEMT C-Band Performance VDD = 28 V，I = 250 mA Drain Efficiency, Power, and DQGain vs Frequency 漏极效率（%），功率（dBm），增益（dB） 70 60 50 40 30 增益（dB） Psat （dBm） 漏极效率（%） 20 10 0 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 6 频率（GHz） 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 3 CGH55030F2_P2 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless 典型性能 K因数 MAG（dB） CGH55030F2/CGH55030P2的模拟最大可用增益与K因数 VDD = 28 V，IDQ = 250 mA 频率（GHz） 典型噪声性能 噪声电阻（Ω） 最小噪声系数（dB） CGH55030F2/CGH55030P2的模拟最小噪声系数及噪声电阻 与频率之间的关系 VDD = 28 V，IDQ = 250 mA 频率（GHz） 静电放电（ESD）分类 参数 符号 类别 测试方法 人体模型 HBM 1A (> 250 V) JEDEC JESD22 A114-D 充电设备模型 CDM II (200 < 500 V) JEDEC JESD22 C101-C 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 4 CGH55030F2_P2 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless 源阻抗和负载阻抗 D Z负载 Z源 G S 频率（MHz） Z源阻抗 Z负载阻抗 5500 8.0 – j12.4 14.1 – j12.6 5650 8.7 - j13.1 14.7 – j11.7 5800 8.4 - j14.0 15.4 – j11.0 注1. VDD = 28 V，IDQ = 250 mA（在440166封装中）。 注2. 阻抗源于CGH55030-TB公版放大器，不同于从晶体管中读取到的源阻抗和负 载阻抗数据。 CGH55030F2和CGH55030P2耗散功率下降曲线 CGH40025F CW Power Dissipation De-rating Curve 30 25 功耗（W） 20 15 注1 10 5 0 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 最高表面温度（°C） 注1. 超出最大表面工作温度的区域（见第2页）。 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 5 CGH55030F2_P2 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless CGH55030-TB公版放大器电路物料清单 编号 R1 描述 数量 电阻，1/16W，0603，1%，562 Ω 1 R2 电阻，1/16W，0603，1%，22.6 Ω 1 C2 电容，0.3pF，+/-0.05pF，0402，ATC600L 1 C16 电容，33 UF，20%，G CASE 1 C15 电容，1.0UF，100V，10%，X7R，1210 1 电容，10UF，16V，钽 1 C9 电容，0.4pF，+/-0.05pF，0603，ATC600S 1 C1 电容，1.2pF，+/-0.1pF，0603，ATC600S 1 C6，C13 电容，200 PF，0603封装，100 V 2 C4，C11 电容，10.0pF，+/-5%，0603，ATC600S 2 C5，C12 电容，39pF，+/-5%，0603，ATC600S 2 C8 C7，C14 J3，J4 J1 电容，330000PF，0805，100V，STABILIZ 2 连接器，SMA，面板安装插孔，法兰 2 晶体支架，RT>PLZ，0.1CEN LK 5POS 1 - PCB，RO4350B，Er = 3.48, h = 20 mil 1 - CGH55030 1 CGH55030-TB公版放大器电路 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 6 CGH55030F2_P2 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless CGH55030-TB公版放大器电路原理图 (CGH55030F) 射频输出 射频输入 CGH55030-TB公版放大器电路外形 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 7 CGH55030F2_P2 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless CGH55030的典型封装S参数（小信号，VDS = 28 V，IDQ = 250 mA，角度以度为单位） 频率 Mag S11 Ang S11 Mag S21 Ang S21 Mag S12 Ang S12 Mag S22 Ang S22 500 MHz 0.917 -157.22 12.62 91.45 0.018 7.56 0.458 -158.97 600 MHz 0.916 -161.92 10.57 87.33 0.018 4.70 0.465 -160.93 700 MHz 0.916 -165.46 9.07 83.78 0.018 2.41 0.472 -162.19 800 MHz 0.916 -168.28 7.94 80.58 0.018 0.51 0.478 -163.04 900 MHz 0.916 -170.61 7.05 77.64 0.017 -1.12 0.485 -163.64 1.0 GHz 0.916 -172.60 6.33 74.88 0.017 -2.55 0.493 -164.09 1.1 GHz 0.917 -174.33 5.74 72.25 0.017 -3.82 0.500 -164.45 1.2 GHz 0.917 -175.88 5.24 69.73 0.017 -4.94 0.508 -164.77 1.3 GHz 0.918 -177.28 4.82 67.30 0.017 -5.95 0.516 -165.06 1.4 GHz 0.918 -178.57 4.46 64.94 0.017 -6.84 0.525 -165.36 1.5 GHz 0.919 -179.78 4.14 62.65 0.016 -7.63 0.533 -165.67 1.6 GHz 0.919 179.09 3.87 60.41 0.016 -8.31 0.542 -165.99 1.7 GHz 0.920 178.01 3.62 58.22 0.016 -8.90 0.550 -166.35 1.8 GHz 0.921 176.98 3.40 56.07 0.016 -9.39 0.559 -166.73 1.9 GHz 0.921 175.99 3.21 53.97 0.015 -9.77 0.568 -167.14 2.0 GHz 0.922 175.03 3.03 51.90 0.015 -10.06 0.577 -167.59 2.1 GHz 0.923 174.09 2.87 49.87 0.015 -10.24 0.585 -168.07 2.2 GHz 0.924 173.17 2.73 47.87 0.014 -10.31 0.594 -168.57 2.3 GHz 0.924 172.27 2.60 45.91 0.014 -10.27 0.602 -169.11 2.4 GHz 0.925 171.39 2.47 43.97 0.014 -10.12 0.610 -169.67 2.5 GHz 0.926 170.51 2.36 42.07 0.014 -9.85 0.619 -170.26 2.6 GHz 0.926 169.65 2.26 40.19 0.013 -9.46 0.626 -170.88 2.7 GHz 0.927 168.79 2.16 38.34 0.013 -8.95 0.634 -171.52 2.8 GHz 0.928 167.93 2.08 36.52 0.013 -8.31 0.642 -172.17 2.9 GHz 0.928 167.08 1.99 34.72 0.013 -7.54 0.649 -172.85 3.0 GHz 0.929 166.24 1.92 32.94 0.013 -6.65 0.656 -173.55 3.2 GHz 0.930 164.54 1.78 29.45 0.012 -4.49 0.670 -175.00 3.4 GHz 0.931 162.85 1.66 26.05 0.012 -1.85 0.683 -176.50 3.6 GHz 0.932 161.14 1.55 22.72 0.012 1.19 0.695 -178.06 3.8 GHz 0.933 159.42 1.46 19.46 0.012 4.55 0.706 -179.66 4.0 GHz 0.933 157.68 1.38 16.27 0.012 8.08 0.716 178.70 4.2 GHz 0.934 155.91 1.31 13.12 0.012 11.64 0.726 177.02 4.4 GHz 0.934 154.11 1.24 10.03 0.013 15.08 0.735 175.30 4.6 GHz 0.935 152.28 1.18 6.97 0.013 18.26 0.743 173.56 4.8 GHz 0.935 150.41 1.13 3.95 0.014 21.09 0.750 171.78 5.0 GHz 0.935 148.49 1.08 0.96 0.015 23.50 0.756 169.97 5.2 GHz 0.935 146.53 1.04 -2.00 0.016 25.48 0.762 168.12 5.4 GHz 0.935 144.52 1.00 -4.96 0.017 27.02 0.768 166.24 5.6 GHz 0.935 142.45 0.97 -7.90 0.018 28.12 0.773 164.32 5.8 GHz 0.934 140.31 0.94 -10.84 0.020 28.83 0.777 162.36 6.0 GHz 0.934 138.12 0.91 -13.79 0.021 29.18 0.781 160.36 请从http://www.cree.com/products/wireless_s-parameters.asp下载“.s2p”格式的s参数文件。 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 8 CGH55030F2_P2 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless CGH55030F产品尺寸（封装类型 — 440166） 注： 1. 按照 ANSI Y14.5M – 1982规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘 0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于0.008"。 5. 所有电镀的表面是镍/黄金。 英寸 最小 毫米 最大 最小 最大 引脚1. 栅极 引脚2. 漏极 引脚3. 光源 CGH55030P产品尺寸（封装类型 — 440196） 注： 1. 按照 ANSI Y14.5M – 1982规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于0.008"。 5. 所有电镀的表面是镍/黄金。 英寸 最小 毫米 最大 最小 最大 引脚1. 栅极 引脚2. 漏极 引脚3. 光源 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 9 CGH55030F2_P2 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless 免责声明 本文所列规格随时可能出现更改，恕不另行通知。Cree, Inc.相信本数据手册中所含的信息是准确、可靠的。然而，如若使用此信息导致 侵犯第三方的专利或其他权利，Cree对此不承担任何责任。Cree并未就其专利或专利权授予默示许可或其他形式的许可。Cree对于其产 品针对任何特定用途的适用性不作任何担保、表示或保证。所给出的“典型”参数是Cree对大量产品预计的平均值，此数据仅供参考。 在不同的应用中，这些数值会与表中所列数据有所不同，实际性能也会随着时间的推移而变化。所有工作参数均应由客户的技术专家针对 每项具体应用进行验证。Cree产品无意用作也未授权用作以下应用中的部件，事实上也未针对类似应用而设计：植入人体的外科植入物 或者用于支撑或延续生命的应用；Cree产品故障会导致人员伤亡的应用；以及规划、建设、维护或直接运作核设施的应用。 有关详细信息，请联系： Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 www.cree.com/rf Sarah Miller 市场与出口 Cree射频组件 919.407.5302 Ryan Baker 市场营销 Cree射频组件 919.407.7816 Tom Dekker 销售总监 Cree射频组件 919.407.5639 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 10 CGH55030F2_P2 Rev 3.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless