新電元工業株式会社 HBET シリーズ電源モジュール

Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
新電元工業株式会社
絶縁型小型大容量 DC/DC コンバータ
HBET シリーズ電源モジュール 取扱説明書
入力電圧 36～75Vdc、出力電圧 1.2～12.0V (48W～108W)までをシリーズ化
概要
HBET シリーズ電源モジュールは、業界標準サイズの Quarter Brick サイズに対し約 60%の床面積で
最大 108W の出力(12V 出力)が得られる絶縁型 DC/DC コンバータです。入力電圧 36～75Vdc にて
動作し、定格出力時約 90%の変換効率(5.0V 出力品)を実現しています。また、RoHS 指令に対応して
います。
用途
z
z
z
z
z
サーバー、ストレージ、ルーター、スイッチ装置
ＩＰ－ＰＢＸ、ゲートウェイ、ネットワーク機器
光伝送装置、ＦＴＴＨ装置、無線基地局装置
放送設備、計測機器
その他 DC48V 系を入力とする装置
機能
z
z
z
z
z
z
z
z
z
小型：（W）58.4mm×（D）22.7mm×（H）8.5mm
業界標準 ブリック電源 ピンコンパチ、(表面実装型 オプションあり)
変換効率：90%（Vout = 5.0V、Vin = 48V、Iout = 20A）
絶縁耐圧 DC1500V (入力 - 出力間)
リモート ON/OFF 機能 (Positive / Negative オプションあり)
リモートセンシング機能
出力電圧可変 (+10%、 -20%)
過電流 / 過電圧 / 過熱保護回路
各種安全規格認証 (UL60950 、EN60950、CE マーク)
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ご使用上の注意
● 本電源は、精密機器のため取り扱いには十分注意してください。特に、機械的ストレス(たわみ・衝
撃・落下)の加わったものについては、使用しないで下さい。
● 本電源は組み込み専用電源です。必ずケース等で絶縁を確保した状態でご使用ください。
● 本電源は電子部品が露出しているため、静電気対策を行った上で取り扱って下さい。
● 電源の近傍・直下部の基板面に配線を行うと、誤動作の原因となるので配線は行わないで下さい。
● 修理や改造は重大な事故につながりますので絶対にしないで下さい。(改造の形跡がみられる製品
については保証対象外となります。)
● 周囲温度条件および冷却方法を必ず守って下さい。温度ディレーティング範囲を超えて使用すると、
過熱保護回路の動作により停止します。
● 電源の入力ラインにはヒューズが内蔵されておりません。入力ラインには必ず適切なヒューズを挿入
して下さい。(安全規格上の必須条件となります)
● 本電源の入力側には強化絶縁された電源を接続してご使用ください。
● 本電源は突入電流防止回路を内蔵していません。入力電圧を急激に立ち上げると内部の入力コン
デンサへの過大な突入電流が流れます。突入電流を低減する必要がある場合は外付けの保護回
路にて対応してください。
● 本電源は入力電圧の逆接続対策回路を内蔵していません。 入力端子の極性を確認し誤接続の無
い事を確認してから通電してください。 (入力ラインのヒューズが切れたり、発煙・発火の原因になり
ます)
● 本電源は出力の並列接続運転には対応していません。
● 表面実装型の端子先端には角部があります。端子に触れないように取り扱いください。尚、端子部を
手で触れたときのコプラナリティは保証対象外となります。
● その他不明点については、弊社営業宛にご連絡下さい。
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【 製品ラインナップ 】
入力電圧範囲
定格出力
最大出力電力
型名
効率
12.0V 9A
108W
HBET12R090
90.0% （定格出力時）
5.0V 20A
100W
HBET5R0200
90.0% （定格出力時）
3.3V 30A
99W
HBET3R3300
90.0% （定格出力時）
2.5V 35A
87.5W
HBET2R5350
88.0% （定格出力時）
1.8V 35A
63W
HBET1R8350
87.0% （定格出力時）
1.2V 40A
48W
HBET1R2400
83.0% （定格出力時）
36V～75V
【 型名表示 】
HBE T 5R0
①
② ③
200 N － S
④ ⑤
⑥
型名
x
⑦
末番
③定格出力電圧
①シリーズ名
記号
サイズ
HBET
1/8ブリックサイズ
② "T" = 低背型(8.5mm max)
⑥基板挿入型/表面実装型
オプション
記号
端子形状
④定格出力電流
⑤ON/OFF 論理
記号
電圧
記号
電流
記号
論理
12R
12.0V
400
40A
N
負論理
5R0
5.0V
350
35A
P
正論理
3R3
3.3V
300
30A
2R5
2.5V
200
20A
1R8
1.8V
090
9A
1R2
1.2V
⑦その他オプション
記号
オプション
無し
基板挿入型
無し
-
S
表面実装型
A
裏面実装用 接着端子付き
(注) ON/OFF 論理は N オプションが弊社標準仕様です。P オプションについては弊社営業までお問い合わせ下さい。
【 使用環境条件 】
項目
条件
(1) 動作周囲温度
-40 ～ 85℃
(2) 動作周囲湿度
5 ～ 85%RH (但し結露無き事)
(3) 冷却条件
強制空冷 (詳細は温度ディレーティング表を参照)
(4) 保存温度
-40 ～ 125℃
(5) 推奨保管条件
温度：10～40℃
湿度：80%以下
納品後 1 年以内に使用して下さい。
(6) その他
有害ガス(硫化水素・亜硫酸・塩素・アンモニア等)の雰囲気下では使用しないで下さい。
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【 内部ブロック図 】
1.2uH
Vin(+)
Vout(+)
1μF
×4
1μF
Vout(-)
Vin(-)
ON/OFF
SENSE(+)
SENSE(-)
TRIM
出力電圧検出回路
Output voltage
detection circuit
制御回路
Control circuit
図 1 内部ブロック図
【 各端子の機能 】
端子番号
端子名
1
Vin (+)
2
機能
＋入力端子
出力電圧の出力・停止を制御する端子
(Positive version)
出力ON : Open
出力OFF : ON/OFF端子 - Vin(-) 短絡
(Negative version)
出力ON : ON/OFF端子 - Vin(-) 短絡
出力OFF : Open
－入力端子
ON/OFF
3
Vin (-)
4
5
Vout (-)
SENSE (-)
6
TRIM
7
SENSE (+)
8
Vout (+)
備考
－出力端子
－リモートセンシング端子
外部からの電圧印加禁止
Vout(-) ラインに接続
出力電圧可変端子
＋リモートセンシング端子
Vout(+) ラインに接続
＋出力端子
外部からの電圧印加禁止
【 絶対最大定格 】
絶対最大定格
特性
Min.
Max.
単位
Topr
動作周囲温度
-40
85
℃
Tstg
保存温度
-40
125
℃
Vin
連続入力電圧 ※ Vin = Vin(+) - Vin(-)
0
75
V
Viso
絶縁耐圧
VRC
ON/OFF端子電圧
Vadj
出力電圧調整端子電圧
-
1500
V
Vin(-)
Vin(+)
V
0
Vout
V
注1) 上記絶対最大定格を超えるような電圧、温度では使用しないで下さい。
注2) [1～3pin]-[4～8pin]間は絶縁しています。
注3) Vsense(+),(-)端子、及びVout(+),(-)端子には外部から電圧源を印加しないで下さい。
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【 機 能 】
1) 出力 ON/OFF 制御 (ON/OFF 端子)
入力側の ON/OFF 端子をトランジスタ、若しくはリレー等で制御する事で、入力電圧を印可した状態での出力の ON/OFF 制
御を行うことができます。
ON/OFF 端子の極性は Positive と Negative の 2 種類があり、製品名の末尾により分類します。
例) HBET3R3300N → Negative version (末尾が"P"の場合 Positive version)
ON/OFF 端子のしきい値は下表の通りです。
出力状態
論理
ON/OFF 端子状態
High レベル
Low レベル
Open
ON/OFF 端子 - Vin(-) 短絡
Positive
ON
OFF
Negative
OFF
ON
※1 ON/OFF 端子の内部回路は図 2 の通りです。
※2 下図より、ON/OFF 端子 - Vin(-)ショート時の ON/OFF 端子からのソース電流は約 0.1mA です。
HBETシリーズ
5.0V
IC
Vin(+)
47k
ON/OFF
トランジスタ等
ON/OFF
Vin(-)
Vin(-)
図 3 回路例
図 2 ON/OFF 部 内部回路
2) リモートセンシング (SENSE(+), (-)端子)
出力に接続される負荷線、パターンによる負荷までの電圧降下を補償するために使用します。
リモートセンシングを行う上で、設計上以下の点に注意して下さい。
○ SENSE(+),(-)端子から負荷までのラインは、外来ノイズによる誤動作を避ける為にシールド線、ツイストペア線、平行
ライン等を使用して下さい。
○ リモートセンシングにて補償できる範囲は、電源の出力可変範囲となっております。従って、電圧補償を行った際の
電源出力端(Vout(+)、Vout(-))間の電圧が、定格出力電圧＋10%以下であることを予め確認して下さい。
○ 電源の出力端からリモートセンス端までの負荷線に寄生インダクタンスがあると電源が不安定になります。負荷線の
寄生インダクタンスが最小となる配線を行って下さい。
尚、リモートセンシングを行わない場合は、電源の出力端直近で接続してください(ローカルセンシング)。
負荷
HBETシリーズ
HBETシリーズ
Vout(+)
(+)
Vout(+)
SENSE(+)
SENSE(+)
SENSE(-)
SENSE(-)
(-)
Vout(-)
負荷
(+)
(-)
Vout(-)
シールド線 or ツイストペア
図4
図5
リモートセンシング
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ローカルセンシング
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3) 出力電圧可変 (TRIM 端子)
TRIM 端子と SENSE(+) または (-)間に抵抗を挿入する事で、出力電圧を最大 +10%/-20% まで可変させることが出来ます
(1.2V 出力品は +10%/-15%まで可変可能)。
外付け抵抗値と出力電圧値の目安は下表の関係式を参照して下さい。
可変方向
トリム Up
トリム Down
関係式
⎛ 5.11 × Vo(100 + Δ ) 511
⎞
Radj = ⎜
−
− 10.22 ⎟kΩ
1
.
225
×
Δ
Δ
⎝
⎠
100 + Δ
⎛
⎞
Radj = ⎜ 236.5 ×
− 2000 ⎟Ω (1.2V)
Δ
⎝
⎠
(1.8～12V)
接続例 1
⎛ 511
⎞
(1.8～12V)
Radj = ⎜
− 10.22 ⎟kΩ
⎝ Δ
⎠
100 − Δ
⎛
⎞
(1.2V)
Radj = ⎜1918 ×
− 2000 ⎟Ω
Δ
⎝
⎠
※ Vo : 定格出力電圧値(公称値)
接続例 2
Δ ： 定格出力電圧に対する出力電圧変化率(%)
Vout(+)
Radj : 出力可変用抵抗
HBETシリーズ
負荷
HBETシリーズ
負荷
(+)
Vout(+)
(+)
SENSE(+)
SENSE(+)
Radj
TRIM
TRIM
Radj
SENSE(-)
SENSE(-)
(-)
Vout(-)
(-)
Vout(-)
図6
回路
図7
トリム Up (出力電圧を高くする)
トリム Down (出力電圧を低くする)
＊ 出力端電圧×負荷電流は各機種の定格出力電力値以下、且つ定格出力電流以下で使用して下さい。(下式参照)
{Vout(+) － Vout(-)} － {SENSE(+) － SENSE(-)} ≦ VoNOM × 10%
{Vout(+) － Vout(-)} × Iout ≦ VoNOM × IoNOM
* VoNOM
* IoNOM
: 定格出力電圧
: 定格出力電流
値の目安は下表の関係式を参照して下さい。
○外部からの電圧印加による出力電圧可変
出力電圧可変を外部電圧印加により可変させたい場合、下図の回路、および印加電圧にて行う事が可能です。
左図の様に、TRIM～Sense(-)間に外部より電圧を印加します。
印加する電圧 Vtrm は、以下の式により求められます。
Vout(+)
Sense(+)
d : 可変率 [%]
( = ( [可変後の電圧] / [公称出力電圧] - 1 )×100)
Vtrm : 外部印加電圧 [V]
Load
TRIM
Vtrm = 0.0245×d +1.225
Vtrm = 0.0218×d + 1.068
(1.8～12V)
(1.2V)
Vtrm
Sense(-)
Vout(-)
外部回路図
※Vtrm 印加電圧は 1.5V 以下でご使用下さい。
ex.)
3.3V 出力品を、出力 3.2V に可変する場合
d = ( 3.2 / 3.3 - 1 )×100 ≒ -3 [%]
Vtrm = 0.0245×- 3 + 1.225 ≒ 1.152 [V]
→ 1.152V を TRIM 端子に電圧印加する
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【 保護回路 】
1) 入力電圧監視
入力電圧を監視し、規定の入力電圧以下になると出力を遮断します。
動作開始 ： 入力電圧 ≧ 仕様の起動開始電圧 となった場合
動作停止 ： 入力電圧 ≦ (起動開始電圧-ヒステリシス電圧) となった場合
ヒステリシス電圧は約 1.5V 以上確保しており、入力側の電力供給ラインのドロップによる電圧変動を原因とする、動作開始/停
止のばたつきを抑える為に設けています。但し、この電圧値を超える入力変動が動作開始電圧近辺で起こった場合、電源が
起動/停止を繰り返す可能性があります。この場合、入力側の給電ラインのインピーダンスを十分に小さくし、また電圧変動を抑
える為に入力に十分な容量のコンデンサを付加して下さい。
※ 入力電圧の過電圧は監視していないため、入力電圧は仕様の絶対最大定格以下で使用してください。
2) 起動遅延時間
入力電圧を印加後、一定の遅延時間(10～100ms)後に起動を開始します。
入力電圧投入時、活線挿抜等で発生する入力電圧のチャタリング現象をマスクする為、一定の遅延時間後に動作開始します。
尚、ON/OFF 端子による起動の場合は、約 0.1～3ms 以内に起動開始します(1.2V 出力品は 0.1～9ms 以内)。
3) 出力過電流保護
出力の負荷電流を検出し、過電流を防ぎます。
出力電流が仕様の過電流設定値に達すると、定電流で電圧が垂下し始めます｡ 出力電圧が定格出力電圧の約 60～70%程度
に低下すると出力を遮断し停止します｡ 保護回路動作後の復帰は、入力電圧を再投入するか ON/OFF 端子を一旦 OFF にし
て再度 ON にする事で出力が再起動します。
4) 出力過電圧保護
出力の過電圧値を検出し、出力を遮断して停止します。
出力電圧が何らかの原因で上昇して過電圧を検出した場合、保護回路動作後の復帰は、入力電圧を再投入するか
ON/OFF 端子を一旦 OFF にして再度 ON にする事で出力が再起動します。
尚、過電圧検出は Vout(+)、Vout(-)間の電圧を検出する為、SENSE(+)、SENSEZ(-)間の電圧は検出していません(図 8 参照)。
また、TRIM 端子により出力電圧を可変した状態においても過電圧検出値は一定です。過電圧検出に高い精度を要求される
場合は外部回路にて対応してください。
寄生抵抗分
Vout(+)
SENSE(+)
Vin(+)
ON/OFF
Vin(-)
HBET
series
TRIM
Load
SENSE(-)
Vout(-)
図 8 過電圧検出点
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過電圧検出点
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5) 過熱保護
過熱保護機能により、周囲温度の異常な上昇、温度ディレーティング外での使用、電源内部の異常発熱等を検出して出力を
遮断します。保護回路動作後の復帰は、入力電圧を再投入するか ON/OFF 端子を一旦 OFF にして再度 ON にする事で出力
が再起動します。
過熱保護検出は、図 9 の基板上に示すサーミスタ位置にて基板温度を検出しています。但し実装の向き、冷却状態、実装基
板の条件により、温度検出素子が集中して冷却された場合、正しく過熱保護が動作しない場合があります。
また、適切に冷却されているかを確認する為には、裏面に実装されているフォトカプラの表面温度が 100℃以下であること、ま
た各 FET の表面温度が 120℃以下であることを確認して下さい。 但し、裏面の温度測定が困難な場合は、表面の素子の温度
上昇、風向、風速等により裏面温度上昇を推測できるため弊社営業までお問い合わせ下さい。
FET
表面
FET
FET
温度検出素子(サーミスタ)位置
裏面
フォトカプラ
図 9 温度検出部と各素子の配置
※12V、1.2V 出力品は上図の指定部品以外の部品配置、素子サイズが若干異なります。
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【 動作シーケンス 】
本電源の一連の動作シーケンス例を図10に示します。（負論理の場合）
出力立ち上がり時間
Vin(+)
停止電圧
起動開始電圧
起動開始電圧
入力電圧
OCP動作点
出力電圧
Vout(+)
90%
10%
Vin(-)
OVP動作点
10～100ms
出力遅延時間
10～100ms
出力遅延時間
Vout(-)
出力遅延時間
0.1～3ms
Iout
定格
出力電流
Iout
無負荷
H
ON/OFF
1ms min.
コントロール
L
t1
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
t9
t10
t11
図 10 動作シーケンス例
時間
動作
t1
入力電圧立ち上がり。入力電圧が起動開始電圧に達した時点で内部の起動回路が動作します。
t2
出力電圧起動開始。t1～t2間は起動遅延回路が動作し一定の遅延時間後に出力が立ち上がります。
t3
ON/OFF端子による出力停止。
t4
t5
t6
t7
t8
ON/OFF端子による起動開始。ON/OFF端子により起動する場合、ON/OFF端子がONの状態になってから出力電
圧が定格の10%に達するまでの遅延時間は0.1～3msです(1.2V出力品は0.1～9ms)。
過電流保護回路動作。過電流を検出し、電源は出力電圧を低下させ定電流動作になります。出力電圧が低下し､
定格出力電圧時の60～70%に達すると出力を遮断し停止します｡
入力電圧低下による出力遮断。入力電圧が動作停止電圧以下になった時、電源は出力を遮断します。
この時､過電流による停止保持状態は解除されます｡
入力電圧印加による再起動。入力電圧が再び起動電圧を超えた時、電源は再起動します。この時、t6～t7間の時
間が1ms以下の場合、内部の遅延タイマが初期化されず出力遅延時間が仕様より短くなる場合があります。
加熱保護動作による出力遮断。温度ディレーティング外での使用等により加熱保護回路が動作すると電源は出力を
遮断し停止します。
ON/OFF端子による停止保持解除と再起動｡ この時､温度が十分に低下していない場合は起動できません｡
t9
ON/OFF端子へのOFF信号は1ms以上入力してください。また、入力電圧を1ms以上、仕様の停止電圧以下に保つ
ことで過電圧保護による停止保持状態を解除します。
t10
過電圧保護回路動作。出力電圧が仕様の過電圧範囲まで上昇すると、電源は出力を遮断し停止します。
ON/OFF端子による停止保持解除。ON/OFF端子により一旦OFFさせてから再度ONさせる事で過電圧保護による
t11
停止保持状態を解除します。この時、ON/OFF端子へのOFF信号は1ms以上入力してください。また、入力電圧を
1ms以上、仕様の停止電圧以下に保つと過電圧保護による停止保持状態を解除します。
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【 並列運転 】
本電源は並列運転には対応していません。電源の出力同士を並列に接続すると故障する場合があります。冗長運転が必要な
場合はダイオードを介して出力を接続してください。
【 EMI 推奨回路 】
図 11 に示す回路を入力ラインに接続する事で、FCC part15 subpartB classA､および B の規格に適合する入力伝導雑音電圧、
及び漏洩電波電界強度となります。
L2
Vin(+)
L1
Vin(+)
C4
C3
C2 C1 + CIN
HBET Series
Vin(-)
Vin(-)
Cyp
FG
Cyp
Cys
Cys
図 11 推奨 EMI フィルタ回路図
フィルタ定数
C1～C4
ｾﾗﾐｯｸ
ｺﾝﾃﾞﾝｻ
1μF
Vout(+)
CIN
電解
ｺﾝﾃﾞﾝｻ
Cyp
ｾﾗﾐｯｸ
ｺﾝﾃﾞﾝｻ
Cys
ｾﾗﾐｯｸ
ｺﾝﾃﾞﾝｻ
L1､ L2
ｺﾓﾝﾓｰﾄﾞ
ﾁｮｰｸ
33μF
2200pF
0.022μF
1mH
RLOAD
Vout(-)
Cys
Cys
※ Class A 適合時は C4､L2 削除可｡
部品型名リファレンス
C1～C4 : C3225X7R2A105MT (TDK)
CIN : UPS2A330MPD1TD (ニチコン)
Cyp : CF43X7R222K2000AT (京セラ)
Cys : CF43X7R223K1000AT (京セラ)
L1、L2 : SC-05-100 (NEC Tokin)
※ 入力伝導雑音電圧の測定条件として、入力電圧は安定化電源又は蓄電池にて DC48V を供給、負荷は定格電流を流す固定抵
抗を用いています。
※ 漏洩電波電界強度の測定条件として、入力電圧は蓄電池にて DC48V を供給、負荷は定格電流を流す固定抵抗を用いており、3
ｍ法にて測定しています。
※ 上記の部品型名は参考であり、ご使用になる場合は製品の使用条件、使用環境等を考慮し適切な部品選定をして下さい。
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【 突入電流防止回路 】
本電源は、突入電流防止機能がありません。外部から入力
電圧を急激に印加した場合、電源内部の入力平滑用コンデン
サへ過大な突入電流が流れます。短期間の過大な電流により、
入力給電ライン上にあるヒューズが溶断したり、入力電圧を供
給しているコネクタの接点等にダメージを与える場合があります。
この場合は入力給電ラインに突入電流防止回路を外部回路に
より付加してください。突入電流防止回路の一例を図 12 に示し
ます。
Vin(+)
Vin(+)
R1
D1
CTL
HBET Series
Q2
R3
R2
Vin(-)
C1
Q1
Vin(-)
図 12 突入電流防止回路例
リファレンス定数 (Vin=36～60V、出力電力 75W 時)
回路記号
品名
定格
メーカー
C1
CM21W5R683K50AT
50V 0.068uF
京セラ
(注) 表中の定数は参考値であり、電源入力端に接続す
R1
MCR10EZHJ474
125mW 470kΩ
ローム
るｺﾝﾃﾞﾝｻ容量や、電源内部のｺﾝﾃﾞﾝｻ容量、入力電圧
R2
MCR03EZHJ274
100mW 270kΩ
ローム
範囲により調整が必要になる場合があります。尚、
R3
MCR10EZHJ104
125mW 100kΩ
ローム
上記回路及び定数は弊社にてお客様の製品を保証
D1
1SS400-TE61
80V 100mA
ローム
するものではありません。ご採用される場合は十分
なご評価の上ご使用願います。
Q1
FS30ASJ-2-T13
100V 30A
ルネサス
Q2
2SA1608-T2-Y14
-40V -500mA
NEC
※ CTL 端子に電圧を印加すると R1 を介して C1 を充電し、Q1 が徐々に OFF→ON へ移行する事で突入電流を制限します。
入力電圧が投入された後に回路が動作するように、Vin(+)への入力電圧印加後に CTL 端子に電圧がかかるような時間差を
持たせてください。
また、入力電圧が切断された場合は CTL 端子を開放にすると Q2 を介して C1 が放電されます。C1 が十分に放電されない
内に入力電圧が再投入されると Q1 が ON したままとなり電流制限が効かなくなり過大な突入電流が流れます。尚、Q1 による
電流制限時間は、電源の起動遅延時間(≧10ms)よりも短くするように設定し、電源がスイッチングを開始する前に Q1 が十分
に ON するように設定して下さい。
【 外部負荷コンデンサ容量 】
電源の出力に接続されるコンデンサ容量は各機種の最大負荷容量以内で使用してください。起動確認済みの各機種の外付け
最大負荷容量を下表に示します。
型名
外付け最大負荷容量 (μF)
HBET12R090
13,000
HBET5R0200
23,000
HBET3R3300
23,000
HBET2R5350
23,000
HBET1R8350
23,000
HBET1R2400
43,000
セラミックコンデンサ等の低 ESR のコンデンサは電源の安定性に影響を与える可能性があります。低 ESR コンデンサの容量値
が 3,000μF を超える場合は、制御ループの安定性(ゲイン-フェーズ特性)の確認を行った上で使用してください。尚、弊社評
価時はセラミックコンデンサ 3,000μF、及びセラミックコンデンサ 3,000μF + 電解コンデンサ 10,000～40,000μF(各機種定格
表での規定条件) にて安定性を確認済みです。
【 ヒューズ 】
本電源は入力ラインにヒューズを内蔵しておりません。入力ラインには必ず適切なヒューズを入れて使用して下さい。
各機種のヒューズの定格値については下表を参照して下さい。
出力電圧
ヒューズの電流定格
12V、5.0V、3.3V、2.5V
6.3A
1.8V、1.2V
4A
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【 その他注意事項 】
1) 入力電圧逆接続
本電源は入力電圧逆接続時の保護回路を設けていません。入力電圧の逆接続を行うと、入力ラインが短絡に近い状態
となり、電源が破損します。逆接続の可能性がある場合は、入力にヒューズ及び入力電流の逆流防止用の保護ダイオー
ドを接続して下さい。
２) 入力給電ラインについて
本電源は入力電圧を監視して起動、停止を行う回路を設けています。
給電ラインのインピーダンスが高い場合、起動、若しくは停止時の入力電流の急激な変化により、電源入力端の電圧が大きく変
動します。この電圧変動が原因で起動、停止が交互に繰り返される現象が発生する場合があります。この現象を防ぐ為、入力電
圧監視回路としては起動電圧と停止電圧に1.5V以上の差(ヒステリシス)を設けていますが、変動がヒステリシス電圧の幅よりも大
きい場合は完全に防ぐことができません。 この為、入力ラインを十分低インピーダンス化した配線設計をして下さい。
電源の入力段にはLCフィルタを設けて内部のパルス電流の平滑を行っておりますが、給電ラインのインピーダンスが高いと電
源入力端のリプル電圧が増加するため、この場合は電源入力端に適切な容量のデカップリング用コンデンサを実装してくださ
い。
Vin(+)
Vout(+)
SENSE(+)
ON/OFF
Vin(-)
TRIM
Load
SENSE(-)
Vout(-)
デカップリングコンデンサ
図 13 入力給電ラインへの C 付加
また、電源が定電力制御を行っているときは入力側からみると電源は負性抵抗の負荷特性を示します。
ここで、入力給電ラインが極端に長く、また入力電圧が急激に変動した場合、給電ライン上のインダクタンス成分(寄生インダクタ
ンスや入力フィルタ)と容量成分との振動が電源の負性抵抗により増幅されて、条件によっては発振する現象が発生する場合が
あります。
これを対策するためには、入力端にESRの大きめのコンデンサ(電解コンデンサ等)を接続し、このダンピング効果により発振現
象を抑えることができます。また、セラミックコンデンサ等の低インピーダンス品を用いる場合は、シリーズに抵抗を挿入してC、R
による入力ラインの振動のダンピングを行って下さい。(ダンピング用CRの容量、抵抗値の目安は次項のグラフを参考にしてくだ
さい。)
※ 上記のダンピングに用いる抵抗は、起動、停止時のコンデンサへの充放電電流に対して十分なディレーティングを考慮して
使用して下さい。
寄生インダクタンス
Vin(+)
Vout(+)
SENSE(+)
ON/OFF
Vin(-)
ダンピング用 CR
TRIM
Load
SENSE(-)
Vout(-)
図 14 入力給電ラインへの CR 付加
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○ダンピング CR 定数の目安
算出条件 : 出力電力 100W、入力電圧 36V
Cdump : ダンピングﾞ用コンデンサ
Rdump : ダンピング用抵抗
Lin : 入力給電ライン等価インダクタンス
Cin : 入力端コンデンサ
Lin
Cdump
Vin
Cin
Rdump
DC/DC
Converter
(注) 下記グラフは DC/DC を理想定電力源とした時の計算値です。
入力端容量 - ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ抵抗値 (Lin=1uH)
入力端容量 - ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ抵抗値 (Lin=2uH)
5.0
5.0
ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ容量
(Cdump)
1uF
2uF
3.0
3uF
4uF
5uF
2.0
6uF
7uF
1.0
ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ容量
(Cdump)
4.0
ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ抵抗値(Rdump) (Ω)
ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ抵抗値(Rdump) (Ω)
4.0
1uF
2uF
3.0
3uF
4uF
5uF
2.0
6uF
7uF
1.0
8uF
8uF
9uF
9uF
0.0
0.0
0
5
10
入力端容量(Cin) (uF)
15
0
20
入力端容量 - ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ抵抗値 (Lin=4uH)
10
入力端容量(Cin) (uF)
15
20
入力端容量 - ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ抵抗値 (Lin=8uH)
5.0
5.0
ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ容量
(Cdump)
1uF
2uF
3.0
3uF
4uF
5uF
2.0
6uF
7uF
1.0
ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ容量
(Cdump)
4.0
ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ抵抗値(Rdump) (Ω)
4.0
ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ抵抗値(Rdump) (Ω)
5
1uF
2uF
3.0
3uF
4uF
5uF
2.0
6uF
7uF
1.0
8uF
8uF
9uF
9uF
0.0
0.0
0
5
10
入力端容量(Cin) (uF)
15
20
0
入力端容量 - ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ抵抗値 (Lin=16uH)
10
入力端容量(Cin) (uF)
15
20
入力端容量 - ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ抵抗値 (Lin=32uH)
6.0
6.0
ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ容量
(Cdump)
1uF
4.0
2uF
3uF
4uF
3.0
5uF
6uF
2.0
7uF
8uF
1.0
ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ容量
(Cdump)
5.0
ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ抵抗値(Rdump) (Ω)
5.0
ﾀﾞﾝﾋﾟﾝｸﾞ抵抗値(Rdump) (Ω)
5
1uF
2uF
4.0
3uF
4uF
3.0
5uF
6uF
2.0
7uF
8uF
1.0
9uF
9uF
0.0
0.0
0
5
10
入力端容量(Cin) (uF)
15
0
20
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5
10
入力端容量(Cin) (uF)
15
20
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【 信頼性試験 】
※下記は基板挿入型の信頼性試験項目となります。
特性
試験項目・条件
試験時間
高温高湿動作
温度 85℃、湿度 85%、Vin=75V、Io=0A、n=22
1000 hours
高温負荷
温度 85℃、Vin=75V、Io=(機種の温度ディレーティングによる)、n=22
1000 hours
高温放置
温度 100℃、n=5
1000 hours
低温放置
温度 -40℃、n=5
72 hours
湿中放置
温度 60℃、湿度 95%、n=5
1000 hours
熱衝撃
温度 -40℃～125℃ (各 30 分)、300 サイクル、n=22
300 cyc
振動
振幅 1.5mm、XYZ 各 2 hours、周波数 10～55～10Hz/2min.、n=3
6 hours
衝撃
50G､半波正弦波 11ms､XYZ 方向各 3 回、n=3
計9回
はんだ付け性
はんだ温度 230℃±5℃、リード先端から本体まで、n=5
5 sec
はんだ耐熱性
はんだ温度 260℃±5℃、本体より 1.0～1.5mm まで、n=5
はんだ温度 350℃±5℃、本体より 1.0～1.5mm まで、n=5
10 sec
3 sec
梱包落下
80cm より落下､ 1 角 3 辺 6 面
-
【 MTBF 】
Fit 数
472 [fit]
MTBF
212 [万時間]
条件：Ta=40℃、各部品の負荷率≦50%
※ 代表機種における計算値
※ Bellcore 規格 SR-332 に基づき算出
【 推奨はんだ付け条件 】
○ 基板挿入型
端子のはんだ付けはフローソルダリング又は、はんだごてにて行って下さい。 その際の温度条件を下記に示します。
フローソルダリング
260℃
10 秒以内
はんだごて
350℃
3 秒以内
○ 表面実装型 (推奨リフロー条件)
※ リフロー回数は 2 回以内を推奨致します。
※ 梱包開封後は7日以内に実装を終了してください。それ以上経過してリフローすると、吸湿による基板の層間剥離や搭載
されている部品が破損する恐れが有りますので、125±5℃、8～24Ｈの条件でベーキングを行ってからリフローして下さい。
ただし、ベーキング回数は1回のみとして下さい。また、ベーキング後は、7日以内にリフローして下さい。
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【 外形寸法図 】
図 15 外形寸法図(基板挿入型)
図 16 外形寸法図(表面実装型、裏面実装オプション無し)
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図 17 外形寸法図(表面実装型、裏面実装オプションあり)
【 表面実装用推奨フットプリント 】
図 18 推奨フットプリント(表面実装型)
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【 推奨自動実装条件 】
1) 吸着ノズル内径は、右図の吸着エリアサイズ以
下の内径のものをご使用ください。また、ノズル
先端はラバー付きを推奨致します。
2) 吸着エリアは右図の吸着エリア①と②、2点での
吸着を推奨致します。また、エリアの中心で吸
着するように調整下さい。
3) 公差の無い数値は設計値を示しています。
4) 吸着エリアは、トレイ内での製品のガタ、基板へ
のコア取り付け誤差などを考慮したサイズとな
っています。
5) トレイの搬送速度とノズルの実装速度について
は、最適化を図って下さい。
図 19 推奨吸着エリア (表面実装型)
【 端子組成とメッキ仕様 】
○ 基板挿入型
端子組成
: 黄銅
下地メッキ
: Ni 1.0～2.0μm
仕上げメッキ : Sn 100% 2.0～4.0μm
○ 表面実装型
端子組成
: 銅合金
下地メッキ
: Ni 0.5～1.0μm
仕上げメッキ : Sn 100% (無光沢)
3.5～6.0μm
【 洗浄方法 】
○ 基板挿入型
電源を搭載した基板の裏面洗浄を推奨致します。 製品の浸漬洗浄については対応しておりません。
○ 表面実装型
製品の浸漬洗浄に対応しております。 洗浄条件等につきましては別途弊社へご相談下さい。
※ 記載されていない項目、ご不明な点に関しては、別途弊社営業までご相談下さい。
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HBET12R090 定格及び特性表
※ 特に無き場合 Ta = -40～85℃、風速 2.0m/s (3pin→1pin)、Vin = 36V～75V、Vout = 12.0V、負荷は温度ディレーティングによる
項目
定格出力電圧
定格出力電流
冷却条件
単位
V
Min.
V
V
V
V
V
V
入力伝導雑音電圧
－
記 事
Max.
9
強制空冷
A
－
入力特性
絶対最大定格
定格電圧
電圧変動範囲
起動開始電圧
停止ヒステリシス電圧幅
動作停止電圧
Typ.
12.0
別紙ディレーティング表参照
0
75
48
36
48
75
32
33.5
35.5
1.5
2.5
3.5
29.5
31.5
33.5
FCC class B, CISPR class B準拠
※推奨入出力フィルタ使用時
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=9A
出力特性
電圧設定値
V
11.760
出力電圧範囲
V
11.640
静的負荷変動
静的入力変動
出力電圧調整レンジ
リモートセンス電圧補償
出力端リップルノイズ
mV
mV
%
%
12.000
±5
±5
-20
mVp-p
12.240
無負荷時
出力可変無し
12.360
電圧設定偏差・入力電圧変動負荷変動及び
温度変動含む
±20
±20
+10
+10
100
1μFセラミックコンデンサ＋10μF電解コンデ
ンサにて測定
セラミックコンデンサ容量値
出力電流範囲
過電流設定値
過電圧検出設定値
A
A
V
0
9.5
14.400
3,000
10,000
9
12.6
16.800
出力遅延時間
ms
10
100
Vin to 10% of Vout
出力立ち上り時間
起動時出力オーバシュート
ms
%
0.2
30
+10
容量負荷無し
出力負荷容量
負荷急変特性 (※)
回復時間 (※)
効率
μF
mVp-p
μs
%
190
360
100
100
90.0
電解コンデンサ容量値 (ESR≧10mΩ)
過電流値は出力電圧が-3%となった時の値
過電圧検出後ラッチ停止、Iout = 0A
Vin=48V,0.1A/μs
Vin=48V,5A/μs
Vin=48V,0.1A/μs
Vin=48V,5A/μs
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=9A
その他
FCC class B, CISPR class B準拠
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=9A
※推奨入出力フィルタ使用時
変換周波数
kHz
340
Ta = 25℃
外形寸法(L×W×H)
mm
58.4×22.7×8.5 typ.
1500
絶縁耐圧
Vdc
入出力間、感動電流 10mA
1 min.
絶縁抵抗
MΩ
100
入力-出力間,DC500Vメガー
絶縁容量
pF
4700
安全規格
－
UL、cUL、TUV
※ 出力負荷容量として、0.1A/μs時は1μFのセラミックコンデンサ、5A/μs時は1μFのセラミックコンデンサ＋470μFの
タンタルコンデンサを付加して測定してます。
漏洩電波電界強度
－
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HBET12R090 (12.0V / 9A) 特性データ
温度ディレーティングカーブ
Thermal Derating Curve (Vin=48V, 3pin->1pin)
10.0
10.0
9.0
2.0m/s
9.0
2.0m/s
8.0
1.5m/s
8.0
1.5m/s
7.0
2.5m/s
7.0
Load Current (A)
Load Current (A)
Thermal Derating Curve (Vin=48V, 8pin->1pin)
2.5m/s
1.0m/s
6.0
5.0
0.5m/s
4.0
3.0
1.0m/s
6.0
5.0
0.5m/s
4.0
3.0
0.2m/s
2.0
0.2m/s
2.0
1.0
1.0
0.0
0.0
20
30
40
50
60
70
Ambient Temperature (℃)
80
90
20
40
50
60
70
Ambient Temperature (℃)
80
90
測定条件 ： Vin = 48V, Vo = 12.0V, 風向 8pin → 1pin
ﾃﾞｨﾚｰﾃｨﾝｸﾞ ： ﾌｫﾄｶﾌﾟﾗの表面温度が100℃以下、且つMOSFET表面温度 120℃以下
Available load current vs. ambient temperature and airflow rates for converter mounted
vertically with Vin=48V, and air flowing from 8pin to 1pin and maximum photocoupler
temperature ≦ 100℃ and maximum MOSFET temperature ≦ 120℃.
測定条件 ： Vin = 48V, Vo = 12.0V, 風向 3pin → 1pin
ﾃﾞｨﾚｰﾃｨﾝｸﾞ ： ﾌｫﾄｶﾌﾟﾗの表面温度が100℃以下、且つMOSFET表面温度 120℃以下
Available load current vs. ambient temperature and airflow rates for converter mounted
horizontally with Vin=48V, and air flowing from 3pin to 1pin and maximum photocoupler
temperature ≦ 100℃ and maximum MOSFET temperature ≦ 120℃.
効率・損失カーブ
30
Ta = 25℃､ 風速 2.0m/s
100
起動波形
20.0
19.0
95
90.52
90.61
90.29
89.39
90
85
18.0
17.0
16.0
15.0
14.0
ON/OFF
12.796 13.0
75
12.0
11.597
11.292 11.0
70
11.175 10.0
9.0
65
損失 (W)
効率η (%)
80
8.0
7.0
60
6.0
55
5.0
Vout
4.0
50
3.0
2.0
45
1.0
40
0.000
2.000
4.000
6.000
8.000
0.0
10.000
Vin = 48.0V、Io = 9A、Ta = 25℃
ON/OFF 端子起動 (負論理)
出力電流 Io (A)
36V効率
36V損失
48V効率
48V損失
60V効率
60V損失
75V効率
75V損失
負荷急変特性
Iout
Iout
Vout
Vout
負荷電流 4.5A→6.75A (0.1A/μs)、Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
1μF セラミックコンデンサあり
負荷電流 6.75A→4.5A (0.1A/μs)、Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
1μF セラミックコンデンサあり
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HBET12R090 (12.0V / 9A) 特性データ
出力端リップルノイズ
負荷短絡シーケンス
ｽｲｯﾁ
波形
Vout
負荷電流 9A → 短絡後ﾗｯﾁ停止
Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
Vin = 48.0V、Iout = 9A、Ta = 25℃
1μF セラミック＋10μF 電解コンデンサあり、20MHz BW
入力リプル電流
測定回路
Ic
10uH
Vc
Vin(+)
48V
47μF
Ic
Vc
HBET ｼﾘｰｽﾞ
Vin(-)
Vin = 48.0V、Iout = 9A、Ta = 25℃
右図測定回路にて測定
入力伝導雑音電圧
[dB(μV)]
100
Limit1(Ave.)
Limit2(QP)
VA(PEAK)
90
80
70
レベル
60
50
40
30
20
10
0
0.150
0.500
1.000
5.000
10.000
周波数
30.000
[MHz]
Vin = 48.0V、Iout = 9A、Ta = 25℃
推奨入出力フィルタ付き (Class B Filter)
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HBET5R0200 定格及び特性表
※ 特に無き場合 Ta = -40～85℃、風速 2.0m/s (3pin→1pin)、Vin = 36V～75V、Vout = 5.0V、負荷は温度ディレーティングによる
項目
定格出力電圧
定格出力電流
冷却条件
単位
V
Min.
V
V
V
V
V
V
入力伝導雑音電圧
－
記 事
Max.
20
強制空冷
A
－
入力特性
絶対最大定格
定格電圧
電圧変動範囲
起動開始電圧
停止ヒステリシス電圧幅
動作停止電圧
Typ.
5.0
別紙ディレーティング表参照
0
75
48
36
48
75
32
33.5
35.5
1.5
2.5
3.5
29.5
31.5
33.5
FCC class B, CISPR class B準拠
※推奨入出力フィルタ使用時
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=20A
出力特性
電圧設定値
V
4.900
出力電圧範囲
V
4.850
静的負荷変動
静的入力変動
出力電圧調整レンジ
リモートセンス電圧補償
出力端リップルノイズ
mV
mV
%
%
5.000
±2
±2
-20
mVp-p
5.100
無負荷時
出力可変無し
5.150
電圧設定偏差・入力電圧変動負荷変動及び
温度変動含む
±10
±10
+10
+10
100
1μFセラミックコンデンサ＋10μF電解コンデ
ンサにて測定
セラミックコンデンサ容量値
出力電流範囲
過電流設定値
過電圧検出設定値
A
A
V
0
20.5
6.000
3,000
20,000
20
28.0
7.000
出力遅延時間
ms
10
100
Vin to 10% of Vout
出力立ち上り時間
起動時出力オーバシュート
ms
%
0.2
30
+10
容量負荷無し
出力負荷容量
負荷急変特性 (※)
回復時間 (※)
効率
μF
mVp-p
μs
%
80
150
100
100
90.0
電解コンデンサ容量値 (ESR≧10mΩ)
過電流値は出力電圧が-3%となった時の値
過電圧検出後ラッチ停止、Iout = 0A
Vin=48V,0.1A/μs
Vin=48V,5A/μs
Vin=48V,0.1A/μs
Vin=48V,5A/μs
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=20A
その他
FCC class B, CISPR class B準拠
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=20A
※推奨入出力フィルタ使用時
変換周波数
kHz
340
Ta = 25℃
外形寸法(L×W×H)
mm
58.4×22.7×8.5 typ.
1500
絶縁耐圧
Vdc
入出力間、感動電流 10mA
1 min.
絶縁抵抗
MΩ
100
入力-出力間,DC500Vメガー
絶縁容量
pF
4700
安全規格
－
UL、cUL、TUV
※ 出力負荷容量として、0.1A/μs時は1μFのセラミックコンデンサ、5A/μs時は1μFのセラミックコンデンサ＋470μFの
タンタルコンデンサを付加して測定してます。
漏洩電波電界強度
－
[ 21 / 35 ]
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD
Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
HBET5R0200 (5.0V / 20A) 特性データ
温度ディレーティングカーブ
Thermal Derating Curve (Vin=48V, 3pin->1pin)
22.0
20.0
2.5m/s
2.0m/s
22.0
1.5m/s
20.0
2.5m/s
2.0m/s
1.5m/s
18.0
18.0
1.0m/s
14.0
0.5m/s
12.0
10.0
8.0
0.2m/s
6.0
1.0m/s
16.0
Load Current (A)
16.0
Load Current (A)
Thermal Derating Curve (Vin=48V, 8pin->1pin)
14.0
0.5m/s
12.0
10.0
8.0
0.2m/s
6.0
4.0
4.0
2.0
2.0
0.0
0.0
20
30
40
50
60
70
Ambient Temperature (℃)
80
90
20
測定条件 ： Vin = 48V, Vo = 5.0V, 風向 3pin → 1pin
ﾃﾞｨﾚｰﾃｨﾝｸﾞ ： ﾌｫﾄｶﾌﾟﾗの表面温度が100℃以下、且つMOSFET表面温度 120℃以下
Available load current vs. ambient temperature and airflow rates for converter mounted
horizontally with Vin=48V, and air flowing from 3pin to 1pin and maximum photocoupler
temperature ≦ 100℃ and maximum MOSFET temperature ≦ 120℃.
効率・損失カーブ
30
40
50
60
70
Ambient Temperature (℃)
80
90
測定条件 ： Vin = 48V, Vo = 5.0V, 風向 8pin → 1pin
ﾃﾞｨﾚｰﾃｨﾝｸﾞ ： ﾌｫﾄｶﾌﾟﾗの表面温度が100℃以下、且つMOSFET表面温度 120℃以下
Available load current vs. ambient temperature and airflow rates for converter mounted
vertically with Vin=48V, and air flowing from 8pin to 1pin and maximum photocoupler
temperature ≦ 100℃ and maximum MOSFET temperature ≦ 120℃.
Ta = 25℃､ 風速 2.0m/s
100
起動波形
20.0
19.0
95
18.0
90.25
89.20
89.22
90.29
90
17.0
16.0
85
15.0
14.0
ON/OFF
13.0
75
12.113
12.084
12.0
70
10.810
10.766
10.0
11.0
9.0
65
損失 (W)
効率η (%)
80
8.0
7.0
60
6.0
55
5.0
Vout
4.0
50
3.0
2.0
45
1.0
40
0.000
5.000
10.000
15.000
20.000
0.0
25.000
Vin = 48.0V、Io = 20A、Ta = 25℃
ON/OFF 端子起動 (負論理)
出力電流 Io (A)
36V効率
36V損失
48V効率
48V損失
60V効率
60V損失
75V効率
75V損失
負荷急変特性
Iout
Iout
Vout
Vout
負荷電流 10A→15A (0.1A/μs)、Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
1μF セラミックコンデンサあり
負荷電流 15A→10A (0.1A/μs)、Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
1μF セラミックコンデンサあり
[ 22 / 35 ]
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD
Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
HBET5R0200 (5.0V / 20A) 特性データ
出力端リップルノイズ
負荷短絡シーケンス
ｽｲｯﾁ
波形
Vout
負荷電流 20A → 短絡後ﾗｯﾁ停止
Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
Vin = 48.0V、Iout = 20A、Ta = 25℃
1μF セラミック＋10μF 電解コンデンサあり、20MHz BW
入力リプル電流
測定回路
Ic
10uH
Vc
Vin(+)
48V
Ic
47μF
Vc
HBET ｼﾘｰｽﾞ
Vin(-)
Vin = 48.0V、Iout = 20A、Ta = 25℃
右図測定回路にて測定
入力伝導雑音電圧
100
Limit1(Ave.)
Limit2(QP)
VA(PEAK)
90
80
レベル[dBuV]
70
60
50
40
30
20
10
0
150k
300k
700k 1M
3M
周波数[Hz]
7M 10M
30M
Vin = 48.0V、Iout = 20A、Ta = 25℃
推奨入出力フィルタ付き (Class B Filter)
[ 23 / 35 ]
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD
Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
HBET3R3300 定格及び特性表
※ 特に無き場合 Ta = -40～85℃、風速 2.0m/s (3pin→1pin)、Vin = 36V～75V、Vout =3.3V、負荷は温度ディレーティングによる
項目
定格出力電圧
定格出力電流
冷却条件
単位
V
Min.
V
V
V
V
V
V
入力伝導雑音電圧
－
記 事
Max.
30
強制空冷
A
－
入力特性
絶対最大定格
定格電圧
電圧変動範囲
起動開始電圧
停止ヒステリシス電圧幅
動作停止電圧
Typ.
3.3
別紙ディレーティング表参照
0
75
48
36
48
75
32
33.5
35.5
1.5
2.5
3.5
29.5
31.5
33.5
FCC class B, CISPR class B準拠
※推奨入出力フィルタ使用時
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=30A
出力特性
電圧設定値
V
3.234
出力電圧範囲
V
3.200
静的負荷変動
静的入力変動
出力電圧調整レンジ
リモートセンス電圧補償
出力端リップルノイズ
mV
mV
%
%
3.300
±2
±2
-20
mVp-p
3.366
無負荷時
出力可変無し
3.400
電圧設定偏差・入力電圧変動負荷変動及び
温度変動含む
±10
±10
+10
+10
100
1μFセラミックコンデンサ＋10μF電解コンデ
ンサにて測定
セラミックコンデンサ容量値
出力電流範囲
過電流設定値
過電圧検出設定値
A
A
V
0
30.5
3.960
3,000
20,000
30
42.0
4.620
出力遅延時間
ms
10
100
Vin to 10% of Vout
出力立ち上り時間
起動時出力オーバシュート
ms
%
0.2
30
+10
容量負荷無し
出力負荷容量
負荷急変特性 (※)
回復時間 (※)
効率
μF
mVp-p
μs
%
80
170
100
100
90.0
電解コンデンサ容量値 (ESR≧10mΩ)
過電流値は出力電圧が-3%となった時の値
過電圧検出後ラッチ停止、Iout = 0A
Vin=48V,0.1A/μs
Vin=48V,5A/μs
Vin=48V,0.1A/μs
Vin=48V,5A/μs
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=30A
その他
FCC class B, CISPR class B準拠
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=30A
※推奨入出力フィルタ使用時
変換周波数
kHz
340
Ta = 25℃
外形寸法(L×W×H)
mm
58.4×22.7×8.5 typ.
1500
絶縁耐圧
Vdc
入出力間、感動電流 10mA
1 min.
絶縁抵抗
MΩ
100
入力-出力間,DC500Vメガー
絶縁容量
pF
4700
安全規格
－
UL、cUL、TUV
※ 出力負荷容量として、0.1A/μs時は1μFのセラミックコンデンサ、5A/μs時は1μFのセラミックコンデンサ＋470μFの
タンタルコンデンサを付加して測定してます。
漏洩電波電界強度
－
[ 24 / 35 ]
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD
Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
HBET3R3300 (3.3V / 30A) 特性データ
温度ディレーティングカーブ
2.5m/s
2.0m/s
Thermal Derating Curve (Vin=48V, 3pin->1pin)
32.0
30.0
30.0
1.5m/s
28.0
1.5m/s
28.0
26.0
26.0
1.0m/s
24.0
1.0m/s
24.0
22.0
22.0
20.0
Load Current (A)
Load Current (A)
2.5m/s
2.0m/s
Thermal Derating Curve (Vin=48V, 8pin->1pin)
32.0
0.5m/s
18.0
16.0
14.0
12.0
10.0
20.0
18.0
0.5m/s
16.0
14.0
12.0
10.0
0.2m/s
8.0
8.0
6.0
6.0
4.0
4.0
2.0
2.0
0.0
0.2m/s
0.0
20
30
40
50
60
70
Ambient Temperature (℃)
80
90
20
測定条件 ： Vin = 48V, Vo = 3.3V, 風向 3pin → 1pin
ﾃﾞｨﾚｰﾃｨﾝｸﾞ ： ﾌｫﾄｶﾌﾟﾗの表面温度が100℃以下、且つMOSFET表面温度 120℃以下
Available load current vs. ambient temperature and airflow rates for converter mounted
horizontally with Vin=48V, and air flowing from 3pin to 1pin and maximum photocoupler
temperature ≦ 100℃ and maximum MOSFET temperature ≦ 120℃.
効率・損失カーブ
40
50
60
70
Ambient Temperature (℃)
80
90
測定条件 ： Vin = 48V, Vo = 3.3V, 風向 8pin → 1pin
ﾃﾞｨﾚｰﾃｨﾝｸﾞ ： ﾌｫﾄｶﾌﾟﾗの表面温度が100℃以下、且つMOSFET表面温度 120℃以下
Available load current vs. ambient temperature and airflow rates for converter mounted
vertically with Vin=48V, and air flowing from 8pin to 1pin and maximum photocoupler
temperature ≦ 100℃ and maximum MOSFET temperature ≦ 120℃.
Ta = 25℃､ 風速 2.0m/s
起動波形
20.0
100
30
19.0
95
18.0
90.12
89.67
89.47
89.85
90
85
17.0
16.0
15.0
ON/OFF
14.0
13.0
75
11.640
11.387
70
10.834
11.170
12.0
11.0
10.0
9.0
65
損失 (W)
効率η (%)
80
8.0
7.0
60
Vout
6.0
55
5.0
4.0
50
3.0
2.0
45
1.0
40
0.000
5.000
10.000
15.000
20.000
25.000
30.000
0.0
35.000
Vin = 48.0V、Io = 30A、Ta = 25℃
ON/OFF 端子起動 (負論理)
出力電流 Io (A)
36V効率
36V損失
48V効率
48V損失
60V効率
60V損失
75V効率
75V損失
負荷急変特性
Iout
Iout
Vout
Vout
負荷電流 15A→22.5A (0.1A/μs)、Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
1μF セラミックコンデンサあり
負荷電流 22.5A→15A (0.1A/μs)、Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
1μF セラミックコンデンサあり
[ 25 / 35 ]
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD
Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
HBET3R3300 (3.3V / 30A) 特性データ
負荷短絡シーケンス
出力端リップルノイズ
ｽｲｯﾁ
波形
Vout
負荷電流 30A → 短絡後ﾗｯﾁ停止
Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
Vin = 48.0V、Iout = 30A、Ta = 25℃
1μF セラミック＋10μF 電解コンデンサあり、20MHz BW
入力リプル電流
測定回路
Ic
10uH
Vin(+)
Vc
48V
47μF
Vc
HBET ｼﾘｰｽﾞ
Ic
Vin(-)
Vin = 48.0V、Iout = 30A、Ta = 25℃
右図測定回路にて測定
入力伝導雑音電圧
100
Limit1(Ave.)
Limit2(QP)
VA(PEAK)
90
80
レベル[dBuV]
70
60
50
40
30
20
10
0
150k
300k
700k 1M
3M
周波数[Hz]
7M 10M
30M
Vin = 48.0V、Iout = 30A、Ta = 25℃
推奨入出力フィルタ付き (Class B Filter)
[ 26 / 35 ]
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD
Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
HBET2R5350 定格及び特性表
※ 特に無き場合 Ta = -40～85℃、風速 2.0m/s (3pin→1pin)、Vin = 36V～75V、Vout =2.5V、負荷は温度ディレーティングによる
項目
定格出力電圧
定格出力電流
冷却条件
単位
V
Min.
V
V
V
V
V
V
入力伝導雑音電圧
－
記 事
Max.
35
強制空冷
A
－
入力特性
絶対最大定格
定格電圧
電圧変動範囲
起動開始電圧
停止ヒステリシス電圧幅
動作停止電圧
Typ.
2.5
別紙ディレーティング表参照
0
75
48
36
48
75
32
33.5
35.5
1.5
2.5
3.5
29.5
31.5
33.5
FCC class B, CISPR class B準拠
※推奨入出力フィルタ使用時
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=35A
出力特性
電圧設定値
V
2.450
出力電圧範囲
V
2.425
静的負荷変動
静的入力変動
出力電圧調整レンジ
リモートセンス電圧補償
出力端リップルノイズ
mV
mV
%
%
2.500
±2
±2
-20
mVp-p
2.550
無負荷時
出力可変無し
2.575
電圧設定偏差・入力電圧変動負荷変動及び
温度変動含む
±10
±10
+10
+10
100
1μFセラミックコンデンサ＋10μF電解コンデ
ンサにて測定
セラミックコンデンサ容量値
出力電流範囲
過電流設定値
過電圧検出設定値
A
A
V
0
35.5
3.000
3,000
20,000
35
49.0
3.500
出力遅延時間
ms
10
100
Vin to 10% of Vout
出力立ち上り時間
起動時出力オーバシュート
ms
%
0.2
30
+10
容量負荷無し
出力負荷容量
負荷急変特性 (※)
回復時間 (※)
効率
μF
mVp-p
μs
%
100
180
100
100
88.0
電解コンデンサ容量値 (ESR≧10mΩ)
過電流値は出力電圧が-3%となった時の値
過電圧検出後ラッチ停止、Iout = 0A
Vin=48V,0.1A/μs
Vin=48V,5A/μs
Vin=48V,0.1A/μs
Vin=48V,5A/μs
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=35A
その他
FCC class B, CISPR class B準拠
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=35A
※推奨入出力フィルタ使用時
変換周波数
kHz
340
Ta = 25℃
外形寸法(L×W×H)
mm
58.4×22.7×8.5 typ.
1500
絶縁耐圧
Vdc
入出力間、感動電流 10mA
1 min.
絶縁抵抗
MΩ
100
入力-出力間,DC500Vメガー
絶縁容量
pF
4700
安全規格
－
UL、cUL、TUV
※ 出力負荷容量として、0.1A/μs時は1μFのセラミックコンデンサ、5A/μs時は1μFのセラミックコンデンサ＋470μFの
タンタルコンデンサを付加して測定してます。
漏洩電波電界強度
－
[ 27 / 35 ]
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD
Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
HBET2R5350 (2.5V / 35A) 特性データ
Thermal Derating Curve (Vin=48V, 3pin->1pin)
38.0
36.0
34.0
32.0
30.0
28.0
26.0
24.0
22.0
20.0
18.0
16.0
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
2.5m/s
2.0m/s
1.5m/s
1.0m/s
Load Current (A)
Load Current (A)
温度ディレーティングカーブ
0.5m/s
0.2m/s
20
30
40
50
60
70
Ambient Temperature (℃)
80
90
1.5m/s
1.0m/s
0.5m/s
0.2m/s
30
40
50
60
70
Ambient Temperature (℃)
80
90
測定条件 ： Vin = 48V, Vo = 2.5V, 風向 8pin → 1pin
ﾃﾞｨﾚｰﾃｨﾝｸﾞ ： ﾌｫﾄｶﾌﾟﾗの表面温度が100℃以下、且つMOSFET表面温度 120℃以下
Available load current vs. ambient temperature and airflow rates for converter mounted
vertically with Vin=48V, and air flowing from 8pin to 1pin and maximum photocoupler
temperature ≦ 100℃ and maximum MOSFET temperature ≦ 120℃.
Ta = 25℃､ 風速 2.0m/s
100
2.5m/s
2.0m/s
20
測定条件 ： Vin = 48V, Vo = 2.5V, 風向 3pin → 1pin
ﾃﾞｨﾚｰﾃｨﾝｸﾞ ： ﾌｫﾄｶﾌﾟﾗの表面温度が100℃以下、且つMOSFET表面温度 120℃以下
Available load current vs. ambient temperature and airflow rates for converter mounted
horizontally with Vin=48V, and air flowing from 3pin to 1pin and maximum photocoupler
temperature ≦ 100℃ and maximum MOSFET temperature ≦ 120℃.
効率・損失カーブ
Thermal Derating Curve (Vin=48V, 8pin->1pin)
38.0
36.0
34.0
32.0
30.0
28.0
26.0
24.0
22.0
20.0
18.0
16.0
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
起動波形
20.0
19.0
95
18.0
90
85
88.77
17.0
88.05
88.57
88.87
16.0
15.0
ON/OFF
14.0
13.0
75
70
11.901
11.318
11.092
12.0
10.988
10.0
11.0
9.0
65
損失 (W)
効率η (%)
80
8.0
7.0
60
Vout
6.0
55
5.0
4.0
50
3.0
2.0
45
1.0
40
0.000
5.000
10.000
15.000
20.000
25.000
30.000
35.000
0.0
40.000
Vin = 48.0V、Io = 35A、Ta = 25℃
ON/OFF 端子起動 (負論理)
出力電流 Io (A)
36V効率
36V損失
48V効率
48V損失
60V効率
60V損失
75V効率
75V損失
負荷急変特性
Iout
Iout
Vout
Vout
負荷電流 17.5A→26.2A (0.1A/μs)、Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
1μF セラミックコンデンサあり
[ 28 / 35 ]
負荷電流 26.2A→17.5A (0.1A/μs)、Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
1μF セラミックコンデンサあり
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD
Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
HBET2R5350 (2.5V / 35A) 特性データ
負荷短絡シーケンス
出力端リップルノイズ
ｽｲｯﾁ
波形
Vout
負荷電流 35A → 短絡後ﾗｯﾁ停止
Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
Vin = 48.0V、Iout = 35A、Ta = 25℃
1μF セラミック＋10μF 電解コンデンサあり、20MHz BW
入力リプル電流
測定回路
Ic
10uH
Vin(+)
Vc
48V
47μF
Vc
HBET ｼﾘｰｽﾞ
Ic
Vin(-)
Vin = 48.0V、Iout = 35A、Ta = 25℃
右図測定回路にて測定
入力伝導雑音電圧
[dB(μV)]
100
<CISPR B>
限度値 (QP)
限度値 (AV)
<HBET2R5350N_ClassB>
レンジ (L2,PK)
90
80
70
レベル
60
50
40
30
20
10
0
0.150
0.500
1.000
5.000
10.000
周波数
30.000
[MHz]
Vin = 48.0V、Iout = 35A、Ta = 25℃
推奨入出力フィルタ付き (Class B Filter)
[ 29 / 35 ]
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD
Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
HBET1R8350 定格及び特性表
※ 特に無き場合 Ta = -40～85℃、風速 2.0m/s (3pin→1pin)、Vin = 36V～75V、Vout =1.8V、負荷は温度ディレーティングによる
項目
定格出力電圧
定格出力電流
冷却条件
単位
V
Min.
V
V
V
V
V
V
入力伝導雑音電圧
－
記 事
Max.
35
強制空冷
A
－
入力特性
絶対最大定格
定格電圧
電圧変動範囲
起動開始電圧
停止ヒステリシス電圧幅
動作停止電圧
Typ.
1.8
別紙ディレーティング表参照
0
75
48
36
48
75
32
33.5
35.5
1.5
2.5
3.5
29.5
31.5
33.5
FCC class B, CISPR class B準拠
※推奨入出力フィルタ使用時
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=35A
出力特性
電圧設定値
V
1.764
出力電圧範囲
V
1.746
静的負荷変動
静的入力変動
出力電圧調整レンジ
リモートセンス電圧補償
出力端リップルノイズ
mV
mV
%
%
1.800
±2
±2
-20
mVp-p
1.836
無負荷時
出力可変無し
1.854
電圧設定偏差・入力電圧変動負荷変動及び
温度変動含む
±10
±10
+10
+10
100
1μFセラミックコンデンサ＋10μF電解コンデ
ンサにて測定
セラミックコンデンサ容量値
出力電流範囲
過電流設定値
過電圧検出設定値
A
A
V
0
35.5
2.160
3,000
20,000
35
49.0
2.520
出力遅延時間
ms
10
100
Vin to 10% of Vout
出力立ち上り時間
起動時出力オーバシュート
ms
%
0.2
30
+10
容量負荷無し
出力負荷容量
負荷急変特性 (※)
回復時間 (※)
効率
μF
mVp-p
μs
%
100
180
100
100
87.0
電解コンデンサ容量値 (ESR≧10mΩ)
過電流値は出力電圧が-3%となった時の値
過電圧検出後ラッチ停止、Iout = 0A
Vin=48V,0.1A/μs
Vin=48V,5A/μs
Vin=48V,0.1A/μs
Vin=48V,5A/μs
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=35A
その他
FCC class B, CISPR class B準拠
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=35A
※推奨入出力フィルタ使用時
変換周波数
kHz
340
Ta = 25℃
外形寸法(L×W×H)
mm
58.4×22.7×8.5 typ.
1500
絶縁耐圧
Vdc
入出力間、感動電流 10mA
1 min.
絶縁抵抗
MΩ
100
入力-出力間,DC500Vメガー
絶縁容量
pF
4700
安全規格
－
UL、cUL、TUV
※ 出力負荷容量として、0.1A/μs時は1μFのセラミックコンデンサ、5A/μs時は1μFのセラミックコンデンサ＋470μFの
タンタルコンデンサを付加して測定してます。
漏洩電波電界強度
－
[ 30 / 35 ]
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD
Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
HBET1R8350 (1.8V / 35A) 特性データ
2.5m/s
2.0m/s
Thermal Derating Curve (Vin=48V, 3pin->1pin)
38.0
36.0
34.0
32.0
30.0
28.0
26.0
24.0
22.0
20.0
18.0
16.0
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
1.5m/s
1.0m/s
0.5m/s
0.2m/s
20
30
40
50
60
70
Ambient Temperature (℃)
80
Load Current (A)
Load Current (A)
温度ディレーティングカーブ
90
1.5m/s
1.0m/s
0.5m/s
0.2m/s
20
測定条件 ： Vin = 48V, Vo = 1.8V, 風向 3pin → 1pin
ﾃﾞｨﾚｰﾃｨﾝｸﾞ ： ﾌｫﾄｶﾌﾟﾗの表面温度が100℃以下、且つMOSFET表面温度 120℃以下
Available load current vs. ambient temperature and airflow rates for converter mounted
horizontally with Vin=48V, and air flowing from 3pin to 1pin and maximum photocoupler
temperature ≦ 100℃ and maximum MOSFET temperature ≦ 120℃.
2.5m/s
2.0m/s
Thermal Derating Curve (Vin=48V, 8pin->1pin)
38.0
36.0
34.0
32.0
30.0
28.0
26.0
24.0
22.0
20.0
18.0
16.0
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
30
40
50
60
70
Ambient Temperature (℃)
80
90
測定条件 ： Vin = 48V, Vo = 1.8V, 風向 8pin → 1pin
ﾃﾞｨﾚｰﾃｨﾝｸﾞ ： ﾌｫﾄｶﾌﾟﾗの表面温度が100℃以下、且つMOSFET表面温度 120℃以下
Available load current vs. ambient temperature and airflow rates for converter mounted
vertically with Vin=48V, and air flowing from 8pin to 1pin and maximum photocoupler
temperature ≦ 100℃ and maximum MOSFET temperature ≦ 120℃.
効率・損失カーブ
Ta = 25℃､ 風速 2.0m/s
起動波形
20.0
100
19.0
95
18.0
90
85
88.12
87.97
87.01
17.0
87.74
15.0
16.0
ON/OFF
14.0
13.0
12.0
75
11.0
10.0
70
9.451
8.655
8.530
8.845
65
9.0
8.0
7.0
60
損失 (W)
効率η (%)
80
Vout
6.0
5.0
55
4.0
50
3.0
2.0
45
1.0
40
0.000
5.000
10.000
15.000
20.000
25.000
30.000
35.000
0.0
40.000
Vin = 48.0V、Io = 35A、Ta = 25℃
ON/OFF 端子起動 (負論理)
出力電流 Io (A)
36V効率
36V損失
48V効率
48V損失
60V効率
60V損失
75V効率
75V損失
負荷急変特性
Iout
Iout
Vout
Vout
負荷電流 17.5A→26.2A (0.1A/μs)、Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
1μF セラミックコンデンサあり
[ 31 / 35 ]
負荷電流 26.2A→17.5A (0.1A/μs)、Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
1μF セラミックコンデンサあり
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD
Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
HBET1R8350 (1.8V / 35A) 特性データ
負荷短絡シーケンス
出力端リップルノイズ
ｽｲｯﾁ
波形
Vout
負荷電流 35A → 短絡後ﾗｯﾁ停止
Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
Vin = 48.0V、Iout = 35A、Ta = 25℃
1μF セラミック＋10μF 電解コンデンサあり、20MHz BW
入力リプル電流
測定回路
Ic
10uH
Vin(+)
Vc
48V
47μF
Vc
HBET ｼﾘｰｽﾞ
Vin(-)
Ic
Vin = 48.0V、Iout = 35A、Ta = 25℃
右図測定回路にて測定
入力伝導雑音電圧
[dB(μV)]
100
<CISPR B>
限度値 (QP)
限度値 (AV)
<HBET1R8350N_ClassB>
レンジ (L2,PK)
90
80
70
レベル
60
50
40
30
20
10
0
0.150
0.500
1.000
5.000
10.000
Vin = 48.0V、Iout = 35A、Ta = 25℃ 周波数
30.000
[MHz]
推奨入出力フィルタ付き (Class B Filter)
[ 32 / 35 ]
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD
Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
HBET1R2400 定格及び特性表
※ 特に無き場合 Ta = -40～85℃、風速 2.0m/s (3pin→1pin)、Vin = 36V～75V、Vout = 1.2V、負荷は温度ディレーティングによる
項目
定格出力電圧
定格出力電流
冷却条件
単位
V
Min.
V
V
V
V
V
V
入力伝導雑音電圧
－
記 事
Max.
40
強制空冷
A
－
入力特性
絶対最大定格
定格電圧
電圧変動範囲
起動開始電圧
停止ヒステリシス電圧幅
動作停止電圧
Typ.
1.2
別紙ディレーティング表参照
0
75
48
36
48
75
32
33.5
35.5
1.5
2.5
3.5
29.5
31.5
33.5
FCC class B, CISPR class B準拠
※推奨入出力フィルタ使用時
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=40A
出力特性
電圧設定値
V
1.176
出力電圧範囲
V
1.164
静的負荷変動
静的入力変動
出力電圧調整レンジ
リモートセンス電圧補償
出力端リップルノイズ
mV
mV
%
%
1.200
±5
±5
-15
mVp-p
1.224
無負荷時
出力可変無し
1.236
電圧設定偏差・入力電圧変動負荷変動及び
温度変動含む
±10
±10
+10
+10
100
1μFセラミックコンデンサ＋10μF電解コンデ
ンサにて測定
セラミックコンデンサ容量値
出力電流範囲
過電流設定値
過電圧検出設定値
A
A
V
0
40.5
1.440
3,000
40,000
40
56.0
1.680
出力遅延時間
ms
10
100
Vin to 10% of Vout
出力立ち上り時間
起動時出力オーバシュート
ms
%
0.2
50
+10
容量負荷無し
出力負荷容量
負荷急変特性 (※)
回復時間 (※)
効率
μF
mVp-p
μs
%
50
120
150
150
83.0
電解コンデンサ容量値 (ESR≧10mΩ)
過電流値は出力電圧が-3%となった時の値
過電圧検出後ラッチ停止、Iout = 0A
Vin=48V,0.1A/μs
Vin=48V,5A/μs
Vin=48V,0.1A/μs
Vin=48V,5A/μs
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=40A
その他
FCC class B, CISPR class B準拠
Ta = 25℃
Vin=48V, Iout=40A
※推奨入出力フィルタ使用時
変換周波数
kHz
340
Ta = 25℃
外形寸法(L×W×H)
mm
58.4×22.7×8.5 typ.
1500
絶縁耐圧
Vdc
入出力間、感動電流 10mA
1 min.
絶縁抵抗
MΩ
100
入力-出力間,DC500Vメガー
絶縁容量
pF
4700
安全規格
－
UL、cUL、TUV
※ 出力負荷容量として、0.1A/μs時は1μFのセラミックコンデンサ、5A/μs時は1μFのセラミックコンデンサ＋470μFの
タンタルコンデンサを付加して測定してます。
漏洩電波電界強度
－
[ 33 / 35 ]
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD
Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
HBET1R2400 (1.2V / 40A) 特性データ
温度ディレーティングカーブ
Thermal Derating Curve (Vin=48V, 3pin->1pin)
45.0
2.0m/s
40.0
1.5m/s
30.0
Load Current (A)
Load Current (A)
35.0
1.0m/s
25.0
20.0
Thermal Derating Curve (Vin=48V, 8pin->1pin)
45.0
2.5m/s
0.5m/s
15.0
2.5m/s
40.0
2.0m/s
35.0
1.5m/s
30.0
1.0m/s
25.0
20.0
0.5m/s
15.0
0.2m/s
10.0
10.0
0.2m/s
5.0
5.0
0.0
0.0
20
30
40
50
60
70
Ambient Temperature (℃)
80
90
20
30
40
50
60
70
Ambient Temperature (℃)
80
90
測定条件 ： Vin = 48V, Vo = 1.2V, 風向 8pin → 1pin
ﾃﾞｨﾚｰﾃｨﾝｸﾞ ： ﾌｫﾄｶﾌﾟﾗの表面温度が100℃以下、且つMOSFET表面温度 120℃以下
Available load current vs. ambient temperature and airflow rates for converter mounted
vertically with Vin=48V, and air flowing from 8pin to 1pin and maximum photocoupler
temperature ≦ 100℃ and maximum MOSFET temperature ≦ 120℃.
測定条件 ： Vin = 48V, Vo = 1.2V, 風向 3pin → 1pin
ﾃﾞｨﾚｰﾃｨﾝｸﾞ ： ﾌｫﾄｶﾌﾟﾗの表面温度が100℃以下、且つMOSFET表面温度 120℃以下
Available load current vs. ambient temperature and airflow rates for converter mounted
horizontally with Vin=48V, and air flowing from 3pin to 1pin and maximum photocoupler
temperature ≦ 100℃ and maximum MOSFET temperature ≦ 120℃.
効率・損失カーブ
起動波形
Ta = 25℃､ 風速 2.0m/s
100
20.0
19.0
95
18.0
17.0
90
84.99
84.91
83.85
84.69
85
15.0
ON/OFF
14.0
13.0
12.0
75
11.0
70
10.0
9.265
8.552
8.494
8.693
65
60
9.0
8.0
7.0
6.0
55
損失 (W)
効率η (%)
80
16.0
Vout
5.0
4.0
50
3.0
2.0
45
1.0
40
0.000
5.000
10.000
15.000
20.000
25.000
30.000
35.000
40.000
0.0
45.000
Vin = 48.0V、Io = 40A、Ta = 25℃
ON/OFF 端子起動 (負論理)
出力電流 Io (A)
36V効率
36V損失
48V効率
48V損失
60V効率
60V損失
75V効率
75V損失
負荷急変特性
Iout
Iout
Vout
Vout
負荷電流 20A→30A (0.1A/μs)、Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
1μF セラミックコンデンサあり
負荷電流 30A→20A (0.1A/μs)、Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
1μF セラミックコンデンサあり
[ 34 / 35 ]
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD
Updated : 2008.7.30
5RE-080159-4
HBET1R2400 (1.2V / 40A) 特性データ
出力端リップルノイズ
負荷短絡シーケンス
ｽｲｯﾁ
波形
Vout
Vin = 48.0V、Iout = 40A、Ta = 25℃
1μF セラミック＋10μF 電解コンデンサあり、20MHz BW
負荷電流 40A → 短絡後ﾗｯﾁ停止
Vin = 48.0V、 Ta = 25℃
入力リプル電流
測定回路
Ic
10uH
Vin(+)
Vc
48V
47μF
Ic
Vc
HBET ｼﾘｰｽﾞ
Vin(-)
Vin = 48.0V、Iout = 40A、Ta = 25℃
右図測定回路にて測定
入力伝導雑音電圧
[dB(μV)]
100
90
80
70
レベル
60
50
40
30
20
10
0
0.150
0.500
1.000
Vin = 48.0V、Iout = 40A、Ta = 25℃
推奨入出力フィルタ付き (Class B Filter)
5.000
10.000
30.000
[MHz]
周波数
[ 35 / 35 ]
Shindengen Electric Mfg. Co.,LTD